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[发明专利]一种LED外延片及其制备方法、LED芯片-CN202111655190.7有效
发明人：吕腾飞;展望;芦玲 -专利权人：淮安澳洋顺昌光电技术有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：所述的LED外延片包括在衬底表面依次层叠设置的N型半导体层、有源层、耗尽区层和P型半导体层；所述耗尽区层包括依次层叠设置的第一超晶格层和第二超晶格层；所述第一超晶格层包括周期性交替生长的AlN层和P型AlGaN层；所述第二超晶格层包括周期性交替生长的P型GaN层和P型InN层。所述第一超晶格层的势能高，可以阻挡电子，减少电子溢流；所述第二超晶格层提供空穴，以减少P型半导体层提供的空穴在耗尽区的能量损失，从而提高有源层中空穴的数量，进而提高电子和空穴的辐射复合效率。
一种 led 外延及其制备方法芯片

[发明专利]半导体发光二极管-CN99118000.3无效
发明人：中津弘志;山本修 -专利权人：夏普公司
申请日： 1999-08-20 - 公布日： 2004-06-23 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种发光二极管，包括：半导体基底；分层结构，该分层结构由AlGaInP型化合物半导体材料制成并设在该半导体基底上。分层结构包括：发光结构，包含一对覆层和该两覆层之间的发光的活性层；与该发光结构晶格失配的电流扩散层，由下式确定的电流扩散层相对于该发光结构晶格失配度Δa/a为1％或更小：Δa/a＝(a_d-a_e)/a_e，a_d是电流扩散层晶格常数，a_e是发光结构晶格常数。
半导体发光二极管

[发明专利]氮化物基半导体装置以及其制造方法-CN202210205710.2在审
发明人：周以伦;高双;李传纲 -专利权人：英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请日： 2021-11-09 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：氮化物基半导体装置包含第一氮化物基半导体层、晶格层、第三氮化物基半导体层、第一源极电极和第二电极，以及栅极电极。第一氮化物基半导体层掺杂到第一导电类型。第二氮化物基半导体层安置在第一氮化物基半导体层上方。晶格层安置在第一和第二氮化物基半导体层之间且掺杂到第一导电类型。晶格层包括交替地堆叠的多个第一III‑V层和多个第二III‑V层。
氮化物半导体装置及其制造方法

[发明专利]一种氮化镓基发光二极管外延片及其制备方法-CN201810804143.6在审
发明人：郭炳磊;王群;葛永晖;吕蒙普;胡加辉;李鹏 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2018-07-20 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓基发光二极管外延片及其制备方法，属于半导体技术领域。所述氮化镓基发光二极管外延片包括衬底、缓冲层、N型半导体层、有源层、电子阻挡层和P型半导体层，所述缓冲层、所述N型半导体层、所述有源层、所述电子阻挡层和所述P型半导体层依次层叠在所述衬底上，所述电子阻挡层包括氮化钪铝层本发明通过将电子阻挡层的材料从氮化铝镓改为氮化钪铝，氮化钪铝的能级较高，可以有效阻挡电子跃迁到P型半导体层中与空穴进行非辐射发光。同时氮化钪铝的晶格与氮化镓的晶格比较匹配，可以缓解蓝宝石和氮化镓之间晶格失配产生的应力和缺陷，提高电子阻挡层的晶体质量，可以保证电子阻挡层对电子的阻挡效果。
电子阻挡层氮化氮化镓基发光二极管外延片氮化镓缓冲层衬底晶格源层制备半导体技术领域空穴能级阻挡氮化铝镓电子跃迁晶格失配依次层叠蓝宝石非辐射铝层匹配发光缓解保证

[发明专利]用于迁移率改进的N-MOS的拉伸的源极漏极III-V族晶体管-CN201380081116.6有效
发明人： G·A·格拉斯;A·S·默西;C·S·莫哈帕特拉 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2013-12-23 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：所述n‑MOS晶体管器件包括半导体衬底，所述半导体衬底具有形成在衬底上方的一个或多个替换有源区。所述替换有源区包括第一III‑V族半导体材料。栅极结构形成在所述替换有源区上方。替换S/D区形成在S/D凹陷中并且包括第二III‑V族半导体材料，所述第二III‑V族半导体材料具有比所述第一III‑V族半导体材料的晶格常数更小的晶格常数。第二III‑V族材料的较小的晶格常数诱发了由所述第一III‑V族材料形成的所述沟道上的单轴应变。所述沟道中的所述单轴应变改进了所述n‑MOS器件中的载流子迁移率。
用于迁移率改进 mos 拉伸源极漏极 iii 晶体管

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN202010977926.1在审
发明人：江欣哲;高伟智;梁春昇;潘国华 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-09-17 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：半导体装置的制造方法，包括：提供半导体基板；从半导体基板的顶表面外延成长阻挡层，其中阻挡层具有与半导体基板不同的晶格常数；于阻挡层之上外延成长半导体层；图案化半导体层以形成半导体鳍片，其中阻挡层位于半导体鳍片之下；形成接触半导体鳍片的源极/漏极部件；以及形成齿合半导体鳍片的栅极结构。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200680033530.X有效
发明人：林哲也;下井田良雄;星正胜;田中秀明;山上滋春 -专利权人：日产自动车株式会社
申请日： 2006-08-22 - 公布日： 2008-09-10 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：一种半导体装置，其包括：半导体基体；异质半导体区域，其与半导体基体接触，并且其具有带隙与半导体基体的带隙不同；第一电极，其与异质半导体区域连接；以及第二电极，其与半导体基体欧姆接触。异质半导体区域包括通过层叠多个半导体层形成的层状异质半导体区域，其中，在至少两层之间的界面处的晶格对准不连续。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]一种晶体外延结构及生长方法-CN201711294749.1在审
发明人：颜建;黄勇;胡双元;帕勒布·巴特查亚;和田修 -专利权人：苏州矩阵光电有限公司
申请日： 2017-12-08 - 公布日： 2018-03-27 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件领域，公开了一种晶体外延结构及生长方法，晶体外延生长方法包括以下步骤在衬底的第一表面形成晶格匹配层；在所述衬底的第二表面形成第一晶格失配层；在所述晶格匹配层上形成第二晶格失配层；所述第一晶格失配层、所述衬底以及所述第二晶格失配层的晶格常数单调递增或单调递减。本发明中第一晶格失配层的形成有效改变了衬底和晶格匹配层的应变状态，从而有效减弱了第二晶格失配层形成时所产生的应变，抑制了位错的产生，提高了晶体外延结构的质量，进而提高半导体器件性能。
一种晶体外延结构生长方法

[发明专利]半导体结构的加工装置、加工方法及半导体结构-CN202310061241.6在审
发明人：寇崇善;叶文勇 -专利权人：日扬科技股份有限公司
申请日： 2023-01-18 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体结构的加工装置、加工方法及半导体结构。此半导体结构的加工装置包含载台与改质能量源。载台承载具有晶格结构之半导体结构。改质能量源提供一非均匀改质能量分布阵列于半导体结构之加工目标区上，使其形成非均匀改质区。在非均匀改质区中，加工目标区与晶格结构之至少一天然解理面(natural cleavage plane)相交之重叠区段(overlapped section)相较于重叠区段以外之区域具有较低之改质程度(modification degree)，以减少半导体结构产生由重叠区段沿着天然解理面延伸之侧向裂隙。
半导体结构加工装置方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法、PMOS晶体管及其形成方法-CN201210149349.2有效
发明人：涂火金;三重野文健 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-05-14 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，以及一种PMOS晶体管及其形成方法，本发明所提供的半导体结构形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底内具有凹槽；在所述凹槽表面形成硅锗层；还包括：在所述硅锗层表面形成硅锗锡层在本发明所提供的半导体结构形成方法中，由于所述硅锗层表面形成有硅锗锡层，而锡的晶格常数大于硅和锗的晶格常数，因此，所述硅锗锡层的可以提供较硅锗层和硅层更大的应力，从而提高半导体结构和PMOS管内的载流子迁移率
半导体结构及其形成方法 pmos 晶体管

[实用新型]一种半导体发光二极管-CN202320433210.4有效
发明人：李水清;阚宏柱;请求不公布姓名;王星河;陈婉君;张江勇;蔡鑫 -专利权人：安徽格恩半导体有限公司
申请日： 2023-03-09 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本实用新型提出了一种半导体发光二极管，包括从下至上依次设置的衬底、n型半导体层、超晶格层、浅量子阱层、量子阱层、第一p型半导体层和第二p型半导体层，所述第一p型半导体层、量子阱层、浅量子阱层和超晶格层形成空穴注入与量子限制结构本实用新型降低量子阱层的极化效应，提升量子阱层的空穴注入效率和量子限制效果，提升电子空穴波函数的交叠几率和电子空穴辐射复合效率，提升半导体发光二极管的内量子效率和发光效率。
一种半导体发光二极管

[发明专利]应变半导体单晶纳米结构-CN202110461841.2在审
发明人： G·埃内曼;B·布里格斯;A·德克亚斯亦特;A·维洛索;F·保拉 -专利权人： IMEC非营利协会
申请日： 2021-04-27 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体结构，其包括：a.具有顶部层的半导体基材；b.一个或多个半导体单晶纳米结构，其各自具有第一和第二末端，第一和第二末端限定了平行于半导体基材顶表面并与顶表面隔开一定距离的轴，各纳米结构具有在第一末端上外延生长的源极结构和在第二个末端外上延生长的漏极结构，其中，源极和漏极结构由p掺杂(或n掺杂)的半导体单晶材料制备，该半导体单晶材料的未应变晶格常数小于(或大于)制造源极和漏极结构生长于其上的半导体单晶纳米结构的半导体单晶材料的未应变晶格常数，从而在该半导体单晶纳米结构中产生压缩
应变半导体纳米结构

[发明专利]制备受应力半导体晶圆及制备包含该晶圆的设备的方法-CN201310120599.8有效
发明人： S·弗莱克豪斯基;T·沙伊佩 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2013-04-09 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供制备受应力半导体晶圆及制备包含该晶圆的设备的方法。用于制备受应力半导体晶圆的示例性方法包含提供由具有第一晶格常数的第一材料所构成的半导体晶圆。由具有与该第一材料不同的晶格常数的第二材料所构成的受应力结晶层是假晶性地形成于半导体晶圆的表面上。第一穿孔是经蚀刻穿通该受应力结晶层并至少部分是穿入该半导体晶圆以释放该受应力结晶层邻近该第一穿孔处的应力，藉以转移应力给该半导体晶圆并在半导体晶圆中形成受应力区。半导体晶圆中的第一穿孔是以第一填充材料予以填充以阻止半导体晶圆中的应力消散。
制备应力半导体包含设备方法

[发明专利]盘状分子有机半导体构成的有机超晶格材料及其制备方法-CN200710193552.9无效
发明人：闫东航;朱峰;娄坤;王海波 -专利权人：中国科学院长春应用化学研究所
申请日： 2007-12-17 - 公布日： 2008-09-10 - 主分类号： C30B29/54 文献下载
摘要：本发明涉及盘状分子有机半导体构成的有机超晶格材料及制备方法。在基板(1)上气相沉积诱导层(2)，在诱导层(2)上弱取向外延生长k周期m分子层厚第一有机半导体层(3)和n分子层厚第二有机半导体层(4)构成；其中，由m分子层厚第一有机半导体层(3)和n分子层厚第二有机半导体层(4)顺次连接构成了盘装分子有机半导体构成的有机超晶格材料的1个周期；1≤m≤10，1≤n≤10，2≤k≤100。本发明采用气相沉积方法交替生长半导体层，半导体层之间没有化学反应，制备每层半导体前不需要引入新化学成份的预处理步骤，薄膜制备过程中也没有化学反应产物排出。
分子有机半导体构成有机晶格材料及其制备方法

[发明专利]场效应晶体管、半导体基板、场效应晶体管的制造方法及半导体基板的制造方法-CN201080038652.4无效
发明人：秦雅彦;山田永;福原升;高木信一;竹中充;横山正史;安田哲二;卜部友二;宫田典幸;板谷太郎;石井裕之 -专利权人：住友化学株式会社;国立大学法人东京大学;独立行政法人产业技术综合研究所
申请日： 2010-09-06 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： H01L21/338 文献下载
摘要：本发明涉及场效应晶体管，其具有栅极绝缘层、与所述栅极绝缘层相接的第1半导体结晶层以及与第1半导体结晶层晶格匹配或准晶格匹配的第2半导体结晶层，所述栅极绝缘层、所述第1半导体结晶层及所述第2半导体结晶层按照栅极绝缘层、第1半导体结晶层、第2半导体结晶层的顺序配置，所述第1半导体结晶层是Inx1Ga1-x1Asy1P1-y1(0＜x1≤1，0≤y1≤1)，所述第2半导体结晶层是Inx2Ga1-x2Asy2P1-y2(0≤x2≤1，0≤y2≤1，y2≠y1)，所述第1半导体结晶层的电子亲和力Ea1比所述第2半导体结晶层的电子亲和力Ea2小。
场效应晶体管半导体制造方法