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[发明专利]金属刻蚀工艺-CN201610356777.0在审
发明人：昂开渠;曾林华;任昱;吕煜坤;朱骏;张旭升 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2016-05-25 - 公布日： 2016-08-10 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明提供一种金属刻蚀工艺，所述金属刻蚀工艺用于对半导体衬底上的金属层进行刻蚀，所述金属刻蚀工艺在刻蚀设备中进行，所述金属刻蚀工艺的刻蚀气体的流量不小于300sccm。本发明通过采用大流量的刻蚀气体进行刻蚀工艺，减少半导体衬底边缘的聚合物沉积，改善刻蚀工艺造成的半导体衬底的聚合物剥落的缺陷。
金属刻蚀工艺

[发明专利]半导体器件的制作方法、刻蚀控制方法、系统及存储介质-CN202111636808.5在审
发明人：刘隆冬;肖梦;吴建中;长江 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件的制作方法、刻蚀控制方法、系统及存储介质，半导体器件包括衬底以及位于衬底上的半导体结构，半导体器件的制作方法包括：对半导体器件进行第一刻蚀，以在半导体器件上形成第一开口；获取形成第一开口过程中第一刻蚀的参数变化并形成数据记录；根据数据记录与预设数据记录，确定第二刻蚀的刻蚀工艺参数；根据第二刻蚀的刻蚀工艺参数，依据第一开口对半导体器件进行第二刻蚀，在半导体器件中形成包括第一开口的第二开口。通过根据数据记录与预设数据记录，确定第二刻蚀的刻蚀工艺参数，从而保证形成的第二开口的工艺尺寸稳定，进而提升器件的良率和制程能力。
半导体器件制作方法刻蚀控制方法系统存储介质

[发明专利]半导体结构的刻蚀方法-CN201610510324.9在审
发明人：聂钰节;唐在峰;吴智勇;任昱;吕煜坤 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2016-06-30 - 公布日： 2016-09-21 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构的刻蚀方法，用于在刻蚀设备维护后对半导体衬底上的半导体结构进行刻蚀，包括：在所述刻蚀设备的刻蚀腔体内壁沉积聚合物层；基于所述聚合物层的厚度，设置刻蚀设备的工艺参数对所述半导体结构进行刻蚀工艺本发明能够避免因为刻蚀腔体维护保养时更换部件或者清洗部件引起半导体结构的关键特征尺寸的偏移问题，提高工艺稳定性以及产品良率。
半导体结构刻蚀方法

[发明专利]一种半导体器件中接触区引线工艺保护对准标记的方法-CN201210244717.1有效
发明人：陈刚;李理;王泉慧;柏松 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2012-07-16 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明是一种半导体器件中接触区引线工艺保护对准标记的方法，其工艺包括：一、正常进行半导体器件的部分正面工艺；二、使用酸性溶液清洗经过部分工艺的半导体材料；三、在半导体材料上的对准标记区域形成一层耐刻蚀金属膜；四、采用干法刻蚀方法处理半导体材料表面及耐刻蚀金属膜；五、进行钝化介质生长；六、过刻蚀钝化介质及对准标记区域；七、使用酸性溶液处理经过过刻蚀工艺的半导体材料及耐刻蚀金属膜；八、进行去胶；九、进行光刻工艺优点：解决了对准标记损坏而不能被光刻系统识别或者由于对准标记分辨率太低导致光刻精度降低的问题；保持了良好的表面形貌，保证了半导体器件的光刻工艺精度。
一种半导体器件接触引线工艺保护对准标记方法

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN202110466797.4在审
发明人：张连谦;施平 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2021-04-28 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L27/11 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，衬底包括第一区；在第一区上形成半导体材料膜；在半导体材料膜上形成第一图形化层；以第一图形化层为掩膜，对半导体材料膜进行改性处理，形成改性层；采用刻蚀工艺去除改性层，在第一区上形成若干浮栅结构，且刻蚀工艺对改性层的刻蚀速率大于对半导体材料膜的刻蚀速率。由于刻蚀工艺对改性层的刻蚀速率大于对半导体材料膜的刻蚀速率，因此能够有效减少刻蚀去除改性层的刻蚀时间，进而能够减小刻蚀工艺横向对半导体材料膜的刻蚀，使得后续形成的浮栅结构的宽度增加。当浮栅结构的宽度增加时，会增大所述浮栅结构的电容值，进而增大所述浮栅结构的开启电压，使得最终形成的半导体结构的性能提升。
半导体结构形成方法

[发明专利]半导体结构的刻蚀方法-CN202011187636.3有效
发明人：梁梦诗;蒋燚 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2020-10-30 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体结构的刻蚀方法，包括提供半导体结构，所述半导体结构包括衬底及衬底上的UTM叠层，所述UTM叠层包括依次形成在衬底上的第一低介质氧化层、第二低介质氧化层及刻蚀停止层；在UTM叠层上形成图案化的光刻胶层，采集光刻胶层的透光率；对UTM叠层进行主刻蚀，刻蚀第二低介质氧化层并停止在第一低介质氧化层；将透光率代入过刻蚀方程，得到过刻蚀工艺参数并反馈至工艺腔，以对UTM叠层进行过刻蚀，使刻蚀停止在刻蚀停止层。本发明提供的半导体结构的刻蚀方法通过对不同半导体结构的透光率和过刻蚀工艺参数之间的关系进行拟合得到过刻蚀方程，从而计算并调整对半导体结构进行过刻蚀时的工艺参数，进而改善半导体结构的刻蚀精度。
半导体结构刻蚀方法

[发明专利]半导体刻蚀方法-CN202011358152.0在审
发明人：刘珂;王京;何艳 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体刻蚀方法，包括：刻蚀步骤，对半导体刻蚀设备工艺腔室中的待加工件进行刻蚀；清洁步骤，清除工艺腔室中的刻蚀产物。交替执行刻蚀步骤和清洁步骤。其中，清洁步骤包括：清除工艺腔室内部件表面剩余的保护层；清除工艺腔室中的刻蚀产物；对工艺腔室进行吹扫；在部件表面沉积保护层。本发明实施例提供的半导体刻蚀方法能够消除工艺腔室内部各种结构的表面性质之间的差异对半导体刻蚀工艺的影响，提高刻蚀待加工件的均匀性，进而提高产品良率。
半导体刻蚀方法

[发明专利]一种改善刻蚀关键尺寸稳定性的方法-CN201710470246.9在审
发明人：聂钰节;昂开渠;江旻;唐在峰;任昱 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2017-06-20 - 公布日： 2017-11-03 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善刻蚀关键尺寸稳定性的方法，包括提供一半导体结构，所述半导体结构上设有硬质掩膜层；量测所述硬质掩膜层厚度；分析量测得到的所述硬质掩膜层厚度与设定目标值的差异，调控所述半导体结构刻蚀工艺的工艺参数；按照调控后的工艺参数对所述半导体结构进行刻蚀。本发明根据测得硬质掩膜层厚度，利用硬质掩层膜厚度与刻蚀工艺参数、刻蚀工艺参数与半导体结构刻蚀关键尺寸的特定关系，通过先进过程控制系统调节刻蚀工艺参数进行刻蚀补偿，使得刻蚀工艺关键尺寸达到预设目标值，避免了因硬质掩膜层厚度漂移带来的刻蚀关键尺寸的偏移，从而提高了刻蚀工艺关键尺寸的稳定性。
一种改善刻蚀关键尺寸稳定性方法

[发明专利]一种半导体返工方法-CN201910213266.7在审
发明人：胡咏兵 -专利权人：东莞新科技术研究开发有限公司
申请日： 2019-03-20 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： H01L21/26 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体返工方法，所述方法包括以下步骤：(1)提供刻蚀工艺后的不合格半导体，用紫外灯照射；(2)对步骤(1)处理后的半导体进行碱制绒；(3)对步骤(2)处理后的半导体进行清洗，然后进行后续工艺制成成品本发明结合紫外光辐照和碱制绒对刻蚀工艺后的不合格半导体处理并清洗后，继续进行后续工艺制成成品，实现了刻蚀工艺后的不合格半导体的重新利用，并且使得刻蚀工艺后的不合格半导体的返工处理的合格率达到了90％以上
一种半导体返工方法

[发明专利]∑形凹槽的制作方法-CN201310217267.1有效
发明人：李全波;张瑜;黄君;彭树根 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2013-06-03 - 公布日： 2013-09-04 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供一种∑形凹槽的制作方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极，所述栅极和半导体衬底表面形成有保护层；利用等离子体刻蚀工艺，对所述保护层和半导体衬底进行刻蚀，在所述半导体衬底内形成∑本发明的制作方法不需要湿法刻蚀工艺，无需使用湿法刻蚀设备，仅需要通过离子体刻蚀工艺就可形成∑形凹槽，简化了工艺流程，更加容易实现工艺控制，形成的∑形凹槽更加靠近沟道，器件增强效果更好。
凹槽制作方法

[发明专利]半导体晶圆的激光刻蚀方法-CN202210681528.4在审
发明人：苏达尔桑·乌皮利;维平达斯·帕拉;卡尔·强森;吴喜泉;约翰·特雷普 -专利权人：成都芯源系统有限公司
申请日： 2022-06-15 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： B23K26/362 文献下载
摘要：公开了一种半导体晶圆处理方法，包括：采用激光烧蚀工艺烧蚀半导体晶圆的背面；以及采用刻蚀工艺刻蚀半导体晶圆的背面；其中，所述激光烧蚀工艺在半导体晶圆的背面形成图案；以及所述刻蚀工艺保留了激光烧蚀工艺在半导体晶圆背面烧蚀的图案本发明公开的半导体晶圆处理方法，在不需要引入掩膜的情况下，可以在半导体晶圆的背面制作出具有不同深度的图案。
半导体激光刻蚀方法

[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法、显示器件-CN201510502492.9有效
发明人：王久石;崔大林 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2015-08-14 - 公布日： 2018-06-26 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：所述薄膜晶体管包括半导体层和刻蚀阻挡层，刻蚀阻挡层仅覆盖半导体层的沟道区域，并通过一次构图工艺形成所述半导体层和刻蚀阻挡层，不需要单独增加制作刻蚀阻挡层的工艺，简化了薄膜晶体管的制作工艺。当源电极和漏电极搭接在半导体层上时，在形成源电极和漏电极的刻蚀工艺中，所述刻蚀阻挡层能够保护位于其下方的半导体层不被刻蚀，保证薄膜晶体管的半导体特性，提高薄膜晶体管显示器件的显示质量。
薄膜晶体管刻蚀阻挡层半导体层显示器件漏电极源电极制作薄膜晶体管显示半导体特性沟道区域构图工艺刻蚀工艺制作工艺搭接刻蚀覆盖保证

[发明专利]半导体衬底的刻蚀方法-CN202010567655.2在审
发明人：张君 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2020-06-19 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种半导体衬底的刻蚀方法，其包括：通过调节指定工艺参数来对覆盖在半导体衬底上的掩膜图形进行刻蚀，以使掩膜图形的横向收缩速率大于半导体衬底的横向收缩速率；对覆盖有刻蚀后的掩膜图形的半导体衬底进行刻蚀本发明实施例提供的半导体衬底的刻蚀方法，其可以避免衬底图形的截面形貌的顶部出现平台，即可以获得期望形貌的衬底图形，从而可以增大半导体衬底的工艺窗口，满足工艺要求。
半导体衬底刻蚀方法

[发明专利]一种半导体器件的刻蚀方法以及三维存储器-CN201910533619.1有效
发明人：许波;杨川;谢柳群;殷姿 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-06-19 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件的刻蚀方法以及三维存储器，其中，所述刻蚀方法包括：提供待刻蚀的半导体结构，所述半导体结构至少包括半导体衬底、位于所述半导体衬底上的叠层结构以及位于所述叠层结构内部的第一导电柱，所述第一导电柱与所述半导体衬底导电连接；形成包覆所述半导体衬底的绝缘层，以使所述半导体衬底表面不具有外露区域；采用干法刻蚀工艺刻蚀所述叠层结构，形成深入所述叠层结构内部的狭缝。如此，保证了干法刻蚀工艺按照预期方向进行，提高了器件的良率和工作稳定性。
一种半导体器件刻蚀方法以及三维存储器

[发明专利]一种制作半导体器件的方法-CN201410216718.4有效
发明人：隋运奇;韩秋华 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2014-05-21 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种制作半导体器件的方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成栅极结构；在所述半导体衬底上形成包围栅极的侧墙；在所述半导体衬底上曝光形成仅露出PMOS区域的光刻胶层；各向异性刻蚀所述半导体衬底从而在源漏区形成沟槽；各向同性继续刻蚀所述沟槽；执行刻蚀后处理工艺。湿法刻蚀所述沟槽根据本发明的制作方法采用氢气等离子气体作为沟槽刻蚀的最后一步；氢气等离子气体对氮化硅侧墙材料具有超高选择比；氢气刻蚀工艺结合氮气和氢气的混合气体的刻蚀后处理工艺能减弱蚀刻副产物的堆积。
一种制作半导体器件方法

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