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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种阵列基板、其制作方法、显示面板及显示装置-CN201610574113.1在审
发明人：李正亮;孙雪菲;姚琪;袁广才 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2016-07-19 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种阵列基板、其制作方法、显示面板及显示装置，通过调整构图工艺以将形成具有第一过孔的栅绝缘层图形的一次构图工艺和形成有源层图形的一次构图工艺，合并为一次构图工艺，可以在不增加构图工艺的前提下，通过一次构图工艺形成源漏电极的图形。由于在形成源漏电极图形的构图工艺中，只需要经过一次刻蚀液的刻蚀过程即可形成源漏电极的图形，可以降低构图工艺中光刻胶和金属层处于刻蚀液的时间，从而可以避免在刻蚀金属层的过程中光刻胶出现剥离以及源漏电极的图形发生变形的问题
一种阵列制作方法显示面板显示装置

[发明专利]一种显示基板及其制作方法、显示面板及显示装置-CN202010737943.8有效
发明人：袁粲;李永谦;袁志东 -专利权人：合肥京东方卓印科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2020-07-28 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明通过一次构图工艺在衬底基板上形成源漏电极层，形成覆盖源漏电极层和衬底基板的缓冲层，通过一次构图工艺形成贯穿缓冲层的第一过孔，通过一次构图工艺在缓冲层上形成有源层，有源层通过第一过孔与源漏电极层连接，形成覆盖有源层和缓冲层的栅绝缘层，通过一次构图工艺形成贯穿栅绝缘层的第二过孔，通过一次构图工艺在栅绝缘层上形成栅极层，栅极层通过第二过孔与有源层连接。通过优化像素驱动电路中晶体管的制作工序，使得总共需要5次构图工艺即可形成显示基板中的像素驱动电路，减少一次构图工艺，从而简化了显示基板的制作工艺，降低了制作成本。
一种显示及其制作方法面板显示装置

[发明专利]一种有源矩阵型有机发光二极管器件的制造方法-CN201110151982.0无效
发明人：李刘中;丁宏哲;吕学兴;陈佳榆 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2011-06-01 - 公布日： 2011-10-19 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：本发明提供了一种有源矩阵型有机发光二极管器件的制造方法，包括：在基板上连续沉积ITO膜与第一金属层，通过第一构图工艺形成栅极与阳极的图形；接着连续沉积栅绝缘层、半导体材料层及保护膜材料层，通过第二构图工艺形成半导体层与沟道保护层；通过第三构图工艺暴露出像素区的第一金属层，同时对半导体层与沟道保护层进行构图；继续沉积第二金属层以形成源/漏极；通过第四构图工艺暴露出阳极；接着沉积平坦层，通过第五构图工艺暴露出阳极。
一种有源矩阵有机发光二极管器件制造方法

[发明专利]TFT-LCD阵列基板及其制造方法-CN200910085506.6有效
发明人：刘圣烈;崔承镇;宋泳锡 -专利权人：北京京东方光电科技有限公司
申请日： 2009-05-22 - 公布日： 2010-11-24 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：该制造方法包括：在透明基板上依次沉积透明导电薄膜、源漏金属薄膜及掺杂半导体薄膜，通过第一构图工艺形成包括掺杂半导体层、源电极、漏电极、数据线和像素电极的图形；沉积半导体薄膜，通过第二构图工艺形成包括TFT沟道和半导体层的图形；沉积绝缘薄膜和栅金属薄膜，通过第三构图工艺形成包括栅线和栅电极的图形。本发明通过三次构图工艺制造了顶栅极结构的TFT-LCD阵列基板，相比现有的三次构图工艺制造阵列基板的方法，本发明无需进行离地剥离工艺，极大的简化了工艺难度，提高了产品的良品率。
tft lcd 阵列及其制造方法

[发明专利]有机薄膜晶体管阵列基板及其制作方法和显示装置-CN201110247820.7无效
发明人：张学辉;薛建设;刘翔 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2011-08-24 - 公布日： 2012-08-15 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：该有机薄膜晶体管阵列基板的制作方法，包括：通过第一次构图工艺在透明基板上形成包括源电极、漏电极、数据线和像素电极的图形；通过第二次构图工艺在经过所述第一次构图工艺的透明基板上形成包括有机半导体图案、栅绝缘层图案、栅电极和栅线的图形；在经过所述第二次构图工艺的透明基板上沉积钝化层，通过第三次构图形成包括数据线接口、栅线接口和像素接口的图形；通过第四次构图工艺在经过所述第三次构图工艺的透明基板上形成公共电极的图形
有机薄膜晶体管阵列及其制作方法显示装置

[发明专利]双重构图工艺光刻标记的改善方法-CN202010275703.0在审
发明人：田范焕;梁时元;权炳仁 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-04-09 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种双重构图工艺光刻标记的改善方法，方法包括：提供一个光刻标记光栅；确定双重构图工艺的侧墙壁厚；根据所述光刻标记光栅的尺寸和所述侧墙壁厚确定所述光栅的分割间距；根据所述分割间距将光栅分割为若干部分；执行所述双重构图工艺。本申请通过将用于构成光刻标记的光栅(grating)进行分割，以在经过双重构图工艺之后防止光刻标记对比度的下降，从而提升了标记测量的准确性。
双重构图工艺光刻标记改善方法

[发明专利]一种阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置-CN201610643394.1在审
发明人：白金超;徐文清;王静;丁向前;郭会斌 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
申请日： 2016-08-08 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：阵列基板的制作方法包括：在衬底基板上通过构图工艺依次制作栅极和栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上通过构图工艺制作源极和漏极；在所述源极和所述漏极上沉积一层半导体薄膜，对所述半导体薄膜进行构图工艺，形成半导体有源层；在所述半导体有源层上通过构图工艺制作钝化层以及贯穿所述钝化层和所述半导体有源层的过孔，在所述钝化层上通过构图工艺制作像素电极，所述像素电极通过所述过孔与所述漏极电连接。
一种阵列及其制作方法显示面板显示装置

[发明专利]阵列基板及其制造方法、显示装置-CN201110329601.3有效
发明人：宁策;于航;李明超 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2011-10-26 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明提供一种阵列基板及其制造方法、显示装置，所述制造方法包括：在基板上形成透明导电薄膜和栅金属薄膜，通过构图工艺形成第一层像素电极、栅线和栅电极的图形；形成栅绝缘层和有源层，通过构图工艺形成有源层的图形；形成绝缘层，通过构图工艺形成保护层和阻挡层的图形，所述阻挡层位于所述有源层的沟道区域上方；形成透明导电薄膜和源漏金属薄膜，通过构图工艺形成第二层像素电极、源漏电极和数据线的图形。本发明采用四次构图工艺实现阵列基板的制造，能够缩短生产时间，提高生产效率，降低生产成本。
阵列及其制造方法显示装置

[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制造方法和电子器件-CN201110240510.2有效
发明人：刘翔;薛建设 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2011-08-19 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：其中，该阵列基板的制造方法，包括：第一次构图工艺，在透明基板上形成包括由半导体层组成的有源层和由第一金属层组成的相分离的源电极、漏电极的图形；第二次构图工艺，在经过所述第一次构图工艺的透明基板上形成绝缘层的图形，所述绝缘层的图形包括一露出所述源电极的接触过孔；第三次构图工艺，在经过所述第二次构图工艺的透明基板上形成包括由透明导电层组成的像素电极和由第二金属层组成的栅电极的图形，所述像素电极通过所述接触过孔与所述源电极连接本发明的技术方案能够在采用三次构图工艺制作TFT阵列基板时提高产品的良品率。
薄膜晶体管阵列及其制造方法电子器件

[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示面板及其制备方法-CN201610797896.X有效
发明人：崔承镇 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2017-12-19 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明的实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板及其制备方法,涉及显示技术领域，可减少构图工艺次数，降低成本。该阵列基板的制备方法包括在衬底上通过一次构图工艺形成栅金属层；在形成有栅金属层和栅绝缘层的衬底上，通过一次构图工艺形成半导体层和源漏金属层；源漏金属层包括数据线和与数据线连接的金属电极；在形成有半导体层和源漏金属层的衬底上，通过一次构图工艺形成第一电极，并形成沟道区，沟道区使金属电极形成源极和漏极；在形成有第一电极的衬底上，通过一次构图工艺形成钝化层和有机绝缘层；有机绝缘层至少与数据线对应；在形成有所述有机绝缘层的衬底上，通过一次构图工艺形成第二电极。
一种阵列及其制备方法显示面板

[发明专利]FFS型TFT-LCD阵列基板及其制造方法-CN200910089829.2有效
发明人：宋泳锡;刘圣烈;崔承镇 -专利权人：北京京东方光电科技有限公司
申请日： 2009-07-24 - 公布日： 2011-02-02 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：该方法包括：步骤1：在透明基板上依次沉积第一透明导电薄膜、源漏金属薄膜及掺杂半导体薄膜，通过第一构图工艺形成包括源电极、漏电极、数据线和像素电极的图形；步骤2：沉积半导体薄膜，通过第二构图工艺形成包括掺杂半导体层、TFT沟道和半导体层的图形；步骤3：沉积绝缘薄膜和栅金属薄膜、通过第三构图工艺形成包括连接孔、栅线、栅电极以及公共电极线的图形；步骤4：沉积第二透明导电薄膜，通过第四构图工艺形成包括公共电极的图形。本发明可以采用4次构图工艺既可制备完成，相比现有技术具有工艺步骤简化、工艺时间短、生产效率高和生产成本低等优点。
ffs tft lcd 阵列及其制造方法

[发明专利]FFS型TFT-LCD阵列基板及其制造方法-CN200910089828.8有效
发明人：宋泳锡;刘圣烈;崔承镇 -专利权人：北京京东方光电科技有限公司
申请日： 2009-07-24 - 公布日： 2011-02-02 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：该方法包括：步骤1：在透明基板上依次沉积第一透明导电薄膜、源漏金属薄膜及掺杂半导体薄膜，通过第一构图工艺形成包括源电极、漏电极、数据线和像素电极的图形；步骤2：沉积半导体薄膜，通过第二构图工艺形成包括掺杂半导体层、TFT沟道和半导体层的图形；步骤3：沉积绝缘薄膜、通过第三构图工艺在PAD区域的数据线区域形成连接孔的图形；步骤4：沉积第二透明导电薄膜和栅金属薄膜，通过第四构图工艺形成包括栅线、栅电极、公共电极以及公共电极线的图形本发明可以采用4次构图工艺既可制备完成，相比现有技术具有工艺步骤简化、工艺时间短、生产效率高和生产成本低等优点。
ffs tft lcd 阵列及其制造方法

[发明专利]一种传感器的制造方法-CN201210262962.5有效
发明人：徐少颖;谢振宇;陈旭 -专利权人：北京京东方光电科技有限公司
申请日： 2012-07-26 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种传感器的制造方法，包括：在衬底基板上通过一次构图工艺形成源极和漏极的图形、数据线的图形、接收电极的图形、光电二极管的图形，以及透明电极的图形；通过一次构图工艺形成欧姆层的图形；通过一次构图工艺形成有源层的图形；通过一次构图工艺形成栅极绝缘层的图形，所述栅极绝缘层在透明电极的上方具有通孔；通过一次构图工艺形成栅极的图形、栅线的图形，以及在透明电极的上方通过通孔与透明电极连接的偏压线的图形。对比于现有技术，本发明方法在制造工艺上减少了掩模板的使用数量，降低了制造成本，简化了生产工艺，大大提升了设备产能及产品的良品率。
一种传感器制造方法

[发明专利]薄膜场效应晶体管阵列基板及其制造方法、电子器件-CN201210055454.X有效
发明人：宁策;张学辉;杨静 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2012-03-05 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：该制造方法包括：第一次构图工艺，在透明基板上形成由第一透明导电层组成的像素电极的图形和由第一金属层组成的相分离的漏电极、源电极和数据线的图形；第二次构图工艺，在经过所述第一次构图工艺的透明基板上形成栅绝缘层的图形和由透明氧化物层组成的有源层的图形；第三次构图工艺，在经过所述第二次构图工艺的透明基板上形成由第二透明导电层组成的公共电极的图形和由第二金属层组成的栅电极、栅线的图形。本发明的技术方案采用三次构图工艺制作出透明氧化物TFT阵列基板，简化了透明氧化物TFT阵列基板的制造工艺，缩短了制造时间，从而降低生产成本。
薄膜场效应晶体管阵列及其制造方法电子器件

[发明专利]一种多晶硅TFT阵列基板的制造方法-CN201110124667.9无效
发明人：袁广才 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2011-05-13 - 公布日： 2012-08-29 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明涉及液晶显示器制备领域，提供了一种多晶硅TFT阵列基板的制造方法，通过一道HTM或GTM掩膜工艺，完成了栅电极、多晶硅半导体和像素电极部分的构图处理。较现有技术中，先进行一次构图工艺处理得到多晶硅半导体部分，再进行一次构图工艺处理得到栅电极，后续在进行一次构图工艺处理得到像素电极而言，减少了两次利用掩膜板曝光的工艺处理，从而降低了工序复杂度，减少了加工时间和加工成本
一种多晶 tft 阵列制造方法

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