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[发明专利]一种刻蚀方法-CN202010047760.3在审
发明人：朱瑞苹;王京;陈国动 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2020-01-16 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供一种刻蚀方法，所述刻蚀方法包括：主刻蚀步骤，所述主刻蚀步骤用于在待刻蚀层上进行孔刻蚀；开口修饰步骤，所述开口修饰步骤用于去除所述主刻蚀步骤在所述孔的开口处形成的刻蚀沉积物；循环交替进行主刻蚀步骤和开口修饰步骤，以在所述待刻蚀层上形成预设深度的孔。由此与主刻蚀步骤交替进行的开口修饰步骤，去除了主刻蚀步骤在待刻蚀层上形成的孔开口处的刻蚀沉积物，避免了沉积物在孔开口处的堆积造成的底部失真。通过本发明，提高了刻蚀良率。
一种刻蚀方法

[发明专利]一种晶圆刻蚀方法-CN202310145212.8在审
发明人：刘道国 -专利权人：深圳市尚鼎芯科技有限公司
申请日： 2023-02-07 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种晶圆刻蚀方法，涉及集成电路制造，该方法包括：氧化步骤：向设于晶圆上的刻蚀槽内通入氧气，通过氧气对所述刻蚀槽的底部和侧壁进行氧化，形成具有平滑界面的氧化层，之后停止通入氧气；沉积步骤：向所述刻蚀槽内通入刻蚀气体，通过所述刻蚀气体刻蚀所述氧化层，形成连续光滑的聚合物层，得到沉积表面；刻蚀步骤：向所述刻蚀槽内通入刻蚀源，通过所述刻蚀源对所述刻蚀槽的底部和侧壁进行刻蚀；循环沉积步骤和刻蚀步骤多次，直至在刻蚀步骤中将所述刻蚀槽的必要尺寸刻蚀到各自的误差范围内。采用氧化步骤、沉积步骤、刻蚀步骤使得每块晶圆的各尺寸刻蚀到各自的误差范围内，晶圆的各关键性尺寸具有较好的均匀度。
一种刻蚀方法

[发明专利]刻蚀工艺方法-CN201711097030.9有效
发明人：郭享;罗永坚;荆泉;任昱;吕煜坤;张旭升 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2017-11-09 - 公布日： 2019-11-19 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明公开了一种刻蚀工艺方法，包括步骤：步骤一、确定干法刻蚀工艺腔中的刻蚀速率分布并找出干法刻蚀速率最低的区域位置。步骤二、确定湿法刻蚀工艺设备中的刻蚀速率分布并找出湿法刻蚀速率最高的区域位置。步骤三、对晶圆产品片的被刻蚀材料层进行如下刻蚀：步骤31、进行干法刻蚀。步骤32、将晶圆产品片转动一固定角度使晶圆产品片上的干法刻蚀速率最低的区域定位在后续湿法刻蚀中湿法刻蚀速率最高的区域。步骤33、进行湿法刻蚀。本发明能提高刻蚀的面内均匀性，能防止被刻蚀材料残留，提高产品良率。
湿法刻蚀刻蚀干法刻蚀晶圆产品刻蚀材料刻蚀工艺区域位置干法刻蚀工艺面内均匀性产品良率工艺设备区域定位转动残留

[发明专利]一种深硅刻蚀方法-CN201210558737.6有效
发明人：蒋中伟 -专利权人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2012-12-20 - 公布日： 2017-07-04 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明公开一种深硅刻蚀方法，该方法包括沉积步骤，生成保护层以对刻蚀侧壁进行保护；刻蚀步骤，对刻蚀底部和刻蚀侧壁进行刻蚀；重复所述沉积步骤和刻蚀步骤至整个深硅刻蚀过程结束；其中，还包括底部平滑步骤，所述底部平滑步骤为利用含氟气体执行等离子体处理，以去除刻蚀底部由于沉积产生的聚合物；并且，所述底部平滑步骤采用的工艺压力小于所述刻蚀步骤采用的工艺压力，在整个深硅刻蚀过程中执行所述底部平滑步骤至少一次。通过上述深硅刻蚀方法，在深硅刻蚀过程中抑制了刻蚀底部聚合物的逐渐增加，抑制微掩膜或者硅草的产生，从而提高深硅刻蚀的刻蚀速率以及选择比，并改善刻蚀底部的粗糙度。
一种刻蚀方法

[发明专利]用于场区隔离刻蚀的方法-CN200610116402.3有效
发明人：王明琪;沈今楷 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2006-09-22 - 公布日： 2008-03-26 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明公开一种用于场区隔离刻蚀的方法，由一氢氟酸刻蚀步骤与一干法多晶硅刻蚀步骤组成，其在氢氟酸刻蚀步骤之后、干法多晶硅刻蚀步骤之前增加一酸碱液洗净步骤。本发明由于在氢氟酸刻蚀步骤之后，干法多晶硅刻蚀步骤之前增加了一酸碱液洗净步骤，从而去除了在氢氟酸刻蚀步骤之后常由于多晶硅材料的憎水性而残留的硅化物水迹，提高了后续干法多晶硅刻蚀的质量。
用于场区隔离刻蚀方法

[发明专利]基片刻蚀方法-CN201310730963.2有效
发明人：张君 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2013-12-26 - 公布日： 2018-05-25 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供的基片刻蚀方法，其包括以下步骤：第一主刻蚀步骤，用于修饰掩膜形貌；第二主刻蚀步骤，用于使掩膜提前开始横向收缩，以利于形成直边三角形刻蚀形貌；第三主刻蚀步骤，用于提高刻蚀选择比，以提高刻蚀高度；过刻蚀步骤，用于调节基片形貌；其中，在掩膜开始横向收缩时停止所述第二主刻蚀步骤，同时开始进行所述第三主刻蚀步骤。本发明提供的基片刻蚀方法，其可以在获得具有理想形貌的基片的前提下，提高刻蚀高度。
主刻蚀形貌基片刻蚀掩膜横向收缩刻蚀刻蚀选择比直边三角形刻蚀形貌过刻蚀修饰

[发明专利]一种硅片刻蚀方法-CN201510648684.0在审
发明人：谢秋实 -专利权人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2015-10-09 - 公布日： 2017-04-19 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供了一种硅片刻蚀方法。该硅片刻蚀方法用于刻蚀位于腔室内的硅片，包括氧化步骤和刻蚀步骤，其中，氧化步骤，使硅片的表面自氧化形成自氧化层；刻蚀步骤，采用自氧化层与硅片的刻蚀选择比较大的刻蚀工艺刻蚀掉自氧化层；重复上述氧化步骤和刻蚀步骤，直至硅片达到预设刻蚀厚度。本发明提供的硅片刻蚀方法，可以实现硅片的原子层级别刻蚀，从而可以满足对电子器件加工精确度的需求，提高电子器件的品质。
一种硅片刻蚀方法

[发明专利]一种刻蚀工艺-CN201510610940.7有效
发明人：谢秋实 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2015-09-23 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供了一种刻蚀工艺。该刻蚀工艺包括刻蚀步骤和沉积步骤，刻蚀步骤和沉积步骤交替循环，刻蚀步骤和沉积步骤的工艺压强均随着深宽比的提高在一定范围内逐渐降低，当深宽比达到预设值时，则后续每次刻蚀步骤包括以下步骤：第一步骤，通入刻蚀气体，保持沉积功率继续加载第一预设时间，直至上一所述沉积步骤残留的沉积气体排出槽外；第二步骤，切换沉积功率为刻蚀功率，直至刻蚀步骤结束。本发明提供的刻蚀工艺，其可以实现更高的深宽比，如60:1甚至更高。
一种刻蚀工艺

[发明专利]晶圆刻蚀方法-CN202010305870.5在审
发明人：张海苗;林源为;崔咏琴;唐希文 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2020-04-17 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明公开一种晶圆刻蚀方法，包括：预刻蚀步骤，刻蚀覆盖有图形化的掩膜层的晶圆，在晶圆的表面形成预设深度的刻蚀槽；氧化刻蚀步骤，对刻蚀槽的底部和侧壁表面进行氧化形成氧化层，刻蚀氧化层，获得光滑的沉积表面；沉积步骤，在光滑的沉积表面沉积聚合物层；刻蚀步骤，对刻蚀槽的底部和侧壁进行刻蚀；重复沉积步骤和刻蚀步骤直至形成目标深度的刻蚀槽。沉积步骤在刻蚀槽的底部和侧壁形成具有平滑界面的氧化层，刻蚀氧化层，获得光滑的沉积表面，有利于后续沉积得到均匀而连续的聚合物层，改善刻蚀工艺的均匀性，刻蚀氧化层还可以扩大刻蚀槽的深宽比，有利于反应物和副产物进出刻蚀槽的深硅结构
刻蚀方法

[发明专利]干法刻蚀方法-CN201110186102.3有效
发明人：汪新学;王伟军 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2011-07-05 - 公布日： 2017-03-15 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供一种干法刻蚀方法，在完成第一主刻蚀步骤之后，继续进行第一附加刻蚀步骤，所述第一附加刻蚀步骤中采用第一惰性气体，惰性气体难以离化成等离子体，从而在第一附加刻蚀步骤中将基本不发生刻蚀；此外，由于第一附加刻蚀步骤采用第一附加刻蚀射频功率，从而，在第一主刻蚀步骤完成后，采用的第一主刻蚀射频功率也不需要衰减到零瓦，即减小了第一主刻蚀射频功率衰减所引起的不期望的刻蚀，最终，减小了不期望的刻蚀，提高了刻蚀精度。
刻蚀方法

[发明专利]接触孔刻蚀方法、集成电路制造方法以及集成电路-CN201110366186.9有效
发明人：石磊 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-11-17 - 公布日： 2012-02-29 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种接触孔刻蚀方法、集成电路制造方法以及集成电路。根据本发明的一种接触孔刻蚀方法包括：第一接触孔刻蚀阻挡层形成步骤，用于形成第一接触孔刻蚀阻挡层；第一接触孔刻蚀阻挡层刻蚀步骤，用于利用第一掩膜对第一接触孔刻蚀阻挡层进行刻蚀，以便在将要形成接触孔的位置上保留所述第一接触孔刻蚀阻挡层；第二接触孔刻蚀阻挡层形成步骤，用于在所述第一接触孔刻蚀阻挡层刻蚀步骤之后形成第二接触孔刻蚀阻挡层；内层电介质层形成步骤，用于在所述第二接触孔刻蚀阻挡层上形成内层电介质层；接触孔刻蚀步骤，用于利用第二掩膜对内层电介质层进行刻蚀以形成接触孔；接触孔填充步骤，用于利用导电材料填充接触孔刻蚀步骤刻蚀出来的接触孔。
接触刻蚀方法集成电路制造以及

[发明专利]刻蚀方法-CN201910842922.X有效
发明人：曹子贵 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2019-09-06 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供了一种刻蚀方法，包括：第一步骤：初始化；第二步骤：根据刻蚀工艺加载相对应的工艺程式，并确认所述刻蚀工艺的需求刻蚀速率；第三步骤：获取刻蚀机台的实时刻蚀速率；第四步骤：比较所述需求刻蚀速率与所述实时刻蚀速率的大小；第五步骤：若所述需求刻蚀速率大于所述实时刻蚀速率，调用第一暖机工艺程式并返回执行第三步骤；若所述需求刻蚀速率小于所述实时刻蚀速率，调用第二暖机工艺程式并返回执行第三步骤；若所述需求刻蚀速率等于所述实时刻蚀速率，调用所述刻蚀工艺程式。通过比较所述需求刻蚀速率与所述实时刻蚀速率的大小，刻蚀机台对应执行不同的工序，实现了刻蚀机台的实时刻蚀速率的主动干预和动态调整。
刻蚀方法

[发明专利]超厚光刻胶的刻蚀方法-CN201110309626.7有效
发明人：王雷;郭晓波;程晋广 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-10-13 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明公开了一种超厚光刻胶的刻蚀方法，包括以下步骤：步骤一、使用湿法刻蚀；步骤二、硅片刻蚀并进行清洗；反复循环步骤二直至完全刻蚀。本发明通过离开刻蚀氛围进行单独清洗，然后再进行刻蚀时表面为新鲜的干净表面，刻蚀速率可以恢复至最高，避免在饱和刻蚀区域进行刻蚀，在传统多次刻蚀基础上，在每次分布刻蚀前追加清洗步骤，通过反复多次循环，大大缩短了整体刻蚀时间
光刻刻蚀方法

[发明专利]硅深孔刻蚀方法-CN201410676110.X有效
发明人：钦华林 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2014-11-21 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供的硅深孔刻蚀方法，其包括以下步骤：沉积步骤，用于在硅孔侧壁沉积一层聚合物；刻蚀过渡步骤，用于排出硅孔内的沉积气体及反应生成物；刻蚀步骤，用于刻蚀硅孔底部的聚合物，同时增加刻蚀深度；沉积过渡步骤，用于排出硅孔内的刻蚀气体及反应生成物；循环进行上述四个步骤，直至达到所需的总刻蚀深度。本发明提供的硅深孔刻蚀方法，其可以避免因产生刻蚀步骤和沉积步骤的进气错位现象而造成的刻蚀剖面侧壁损伤，从而可以改善工艺结果。
硅深孔刻蚀方法

[发明专利]CMOS感光器件接触孔刻蚀方法及CMOS感光器件制造方法-CN201310566396.1无效
发明人：李程;吴敏;杨渝书;秦伟;黄海辉;高慧慧 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2013-11-13 - 公布日： 2014-02-05 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：提供了一种CMOS感光器件接触孔刻蚀方法及CMOS感光器件制造方法。CMOS感光器件接触孔刻蚀方法包括：步骤一，对包含氧化硅和氮化硅的层间介质层执行主刻蚀，以刻蚀层间介质层；步骤二，执行层间介质层过刻蚀，以进一步刻蚀层间介质层，氧化硅和氮化硅的刻蚀速率分别小于步骤一中的氧化硅和氮化硅的刻蚀速率，并且其中氧化硅刻蚀速率大于氧化硅刻蚀速率；步骤三，执行去胶；步骤四，执行刻蚀阻挡层刻蚀，以打开层间介质层刻蚀阶段的刻蚀阻挡层，使接触孔到达底部的镍硅化物层；步骤五，执行聚合物去除，用以清除刻蚀阻挡层刻蚀过程中等离子体与氮化硅形成的富碳氟的聚合物；步骤六，执行氧化硅去除步骤，以刻蚀像素区域硅栅和有源区域上方的氧化硅层。
cmos 感光器件接触刻蚀方法制造

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