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[发明专利]一种人机协同的涡扇发动机核心机装配系统与装配方法-CN202211058316.7在审
发明人：郭昆;李晨鹭;周恺;解漪妍;张有瑞;韩鲁阳 -专利权人：北京动力机械研究所
申请日： 2022-08-30 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： B23P19/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种人机协同的涡扇发动机核心机装配系统与装配方法，属于涡扇发动机核心机技术领域，该系统包括回转装置、机械臂测量装置以及数字化集成控制装置，回转装置的底部固定，顶部能够水平回转；机械臂测量装置底部固定，其机械臂的执行端设置有测量仪器，能够测量待组装的关键零部件、组装完成的关键组件以及核心机的关键尺寸，并将测量数据传输至数字化集成控制装置；数字化集成控制装置能够根据接收的测量数据自动判断待组装的关键零部件的关键尺寸、组装完成的关键组件的关键尺寸以及核心机的关键尺寸是否满足要求，且数字化集成控制装置能够控制回转装置与机械臂测量装置运动。
一种人机协同发动机核心装配系统方法

[发明专利]用于测量身体部位的关键尺寸的方法、设备和介质-CN202110956493.6在审
发明人：喻剑舟;汤兆洋;刘健;王栋梁 -专利权人：北京欧应信息技术有限公司
申请日： 2021-08-19 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： G06T7/60 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及用于测量身体部位的关键尺寸的方法、设备和介质。根据该方法，获取关于身体部位的医学影像图片；基于与身体部位相关联的经训练的关键点检测模型，在医学影像图片上确定与身体部位的待测关键尺寸相关联的多个关键点，待测关键尺寸至少包括待测关键角度和待测关键线段长度中的至少一种；对于每一待测关键尺寸，基于多个关键点中与待测关键尺寸相关联的关键点，在医学影像图片上确定与待测关键尺寸相关联的边线；以及基于边线计算待测关键尺寸的值。由此，能够准确并快捷地测量出身体部位的关键尺寸，而无需使用者具备相关的专业知识。
用于测量身体部位关键尺寸方法设备介质

[发明专利]一种带匹配功能的后大灯关键装配尺寸检具和检测方法-CN202210356386.4有效
发明人：马勇斌;吴帆;喻大伟 -专利权人：东风汽车集团股份有限公司
申请日： 2022-03-30 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： G01B5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种带匹配功能的后大灯关键装配尺寸检具和检测方法，其通过优化后大灯关键装配尺寸检具正面的构面方法，使之具有匹配检测功能，能够直接地测量上述的三组相关联的具有匹配关系的几何尺寸，其中，第一组尺寸即后大灯周边的侧围总成的焊接尺寸精度能够使用后大灯关键装配尺寸检具独立测量，与原有技术一致；第二组尺寸即后大灯环境件零件之间分界线的段差能够使用后大灯关键装配尺寸检具的匹配功能直接测量；第三组尺寸即后背门的开度及安装姿态可以通过后大灯关键装配尺寸检具、后背门开度检具同时使用，通过后大灯关键装配尺寸检具的匹配功能直接实现。
一种匹配功能大灯关键装配尺寸检测方法

[发明专利]光学邻近修正模型的校正方法-CN201910527584.0有效
发明人：杜杳隽 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2019-06-18 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：一种光学邻近修正模型的校正方法，包括：提供具有待测量图形的原始版图；确定待测量图形的待测量位置；通过原始版图获得形成于物理晶圆上的物理晶圆图形；获取待测量位置对应在物理晶圆图形上的关键尺寸为第一尺寸；执行检测工艺，包括：采用OPC模型对原始版图进行模拟，获得模拟图形；根据待测量位置在模拟图形上选定第一待测量区域，并采集第一待测量区域中的多个关键尺寸的量测数据；根据多个关键尺寸的量测数据和第一尺寸类型，获取待测量位置对应在模拟图形上的关键尺寸为第二尺寸；根据第二尺寸和第一尺寸，判断误差函数值的收敛性是否满足光学邻近修正的要求；当未满足要求时，校正OPC模型，并返回执行检测工艺的步骤。
光学邻近修正模型校正方法

[发明专利]基于图片的服装尺寸测量方法及装置-CN201811056058.2在审
发明人：马修·罗伯特·斯科特;黄鼎隆;刘政杰;胡晓军 -专利权人：深圳码隆科技有限公司
申请日： 2018-09-10 - 公布日： 2019-01-08 - 主分类号： G06T7/60 文献下载
摘要：本发明提供了基于图片的服装尺寸测量方法及装置，涉及服装设计领域，缓解了现有技术中依靠人工存在的效率低下的问题，能够提高测量效率。其中，该方法包括接收用户上传的图片信息，图片信息为预设拍照环境、由摄像头在预设拍照角度下获得的包括预设参照物和待测量服装的图片；获取预设参照物的像素尺寸以及实际尺寸，基于像素尺寸和实际尺寸生成比率系数；识别待测量服装的服装类别；根据服装类别查找与服装类别匹配的关键点识别模型；调用关键点识别模型识别关键点特征信息；基于关键点特征信息计算得到待测量服装的第一尺寸信息；其中第一尺寸信息是像素尺寸；基于第一尺寸信息和比率系数计算得到第二尺寸信息；其中第二尺寸信息为实际尺寸。
尺寸信息关键点预设测量服装服装类别像素参照物比率系数尺寸测量特征信息图片信息摄像头测量效率服装设计接收用户模型识别拍照环境服装上传调用匹配图片拍照查找缓解

[发明专利]半导体装置的形成方法-CN201710242981.4在审
发明人：卓鸿文;吕文祯;蔡维东;许峰嘉 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-04-14 - 公布日： 2018-05-25 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：主要布局图案其沿着第一方向的尺寸W1大于晶圆测量工具的关键尺寸的测量上限。此方法亦包括以掩模公司工具新增多个辅助布局图案至图案层中。辅助布局图案包括一对关键尺寸的辅助布局图案，且关键尺寸的辅助布局图案沿着第一方向位于主要布局图案的两侧上。关键尺寸的辅助布局图案其沿着第一方向的尺寸W2实质上相同，且与主要布局图案相距的尺寸D1实质上相同。尺寸W2与D1均大于光微影制程的印刷分辨率，且小于或等于晶圆测量工具的关键尺寸的测量上限。
布局图案图案层半导体装置测量上限晶圆测量集成电路布局微影制程分辨率掩模相距印刷申请

[发明专利]光刻失焦的检测方法-CN201510561068.1有效
发明人：袁立春;王清蕴;杨晓松 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2015-09-06 - 公布日： 2019-04-19 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：所述光刻失焦的检测方法包括：提供测量晶圆，所述测量晶圆包括一有效区以及围绕在所述有效区外侧的无效区；调整光刻机台的曝光数值孔径，使得曝光数值孔径大于基准值；在所述有效区的外边缘处形成多个关键尺寸对比条；测量所述多个关键尺寸对比条的关键尺寸并进行分析，以判断是否失焦。与现有技术相比，通过调整曝光数值孔径提高了对焦的敏感度，然后通过测量关键尺寸对比条的关键尺寸，就能够有效的判断出是否失焦。
光刻检测方法

[发明专利]电梯底坑关键尺寸测量装置及测量方法-CN202310975478.5在审
发明人：王磊;陈杰 -专利权人：上海市特种设备监督检验技术研究院
申请日： 2023-08-03 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： B66B11/02 文献下载
摘要：本发明提供了电梯底坑关键尺寸测量装置及测量方法，涉及电梯检验检测技术领域，电梯检验人员进入底坑根据轿厢护脚板位置、反绳轮防护罩位置、轿底压板位置对检测支座完成调节放置定位，此时电梯检验人员可离开底坑，然后召唤电梯轿厢下行至下端站平层位置，轿底压板、轿厢护脚板和反绳轮防护罩与该测量装置形成抵接后通过装置的测量和记录结构显示各尺寸值，最后计算并判断电梯底坑关键尺寸是否符合特种设备安全技术规范的要求。本装置对底坑各关键尺寸测量时，降低了传统电梯检验人员需呆在底坑内等待电梯下行至下端站平层后，在底坑内变换位置进行多个尺寸测量等操作的危险性，提高了底坑进行关键尺寸测量操作的安全性；测量过程更加快捷方便。
电梯关键尺寸测量装置测量方法

[实用新型]一种用于过渡段类零件关键装配尺寸的测量装置-CN201020546511.0有效
发明人：尹君;刘春伟;杨树余 -专利权人：沈阳黎明航空发动机(集团)有限责任公司
申请日： 2010-09-29 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： G01B5/24 文献下载
摘要：一种用于过渡段类零件关键装配尺寸的测量装置，其特征在于：所述的用于过渡段类零件关键装配尺寸的测量装置包括底板，方口支撑座，圆口支撑座；其中：方口支撑座和圆口支撑座分别安装在底板的上部两侧，方口支撑座水平布置本实用新型的优点：本实用新型所述的用于过渡段类零件关键装配尺寸的测量装置，适用于测量一端为圆形，一端为类方形的燃烧室过渡段零件的关键尺寸。测量效率高，零件周转用时短，节省人力。
一种用于过渡零件关键装配尺寸测量装置

[发明专利]测试标记及利用该测试标记的光刻机离焦量测量方法-CN201911175714.5有效
发明人：朱晓亮;刘泽华 -专利权人：上海微电子装备（集团）股份有限公司
申请日： 2019-11-26 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种测试标记及利用该测试标记的光刻机离焦量测量方法，所述第一区域的透光区和/或所述第二区域的透光区设置有沿所述预定方向的相移线条，由所述第一区域曝光的图案测得第一关键尺寸，由所述第二区域曝光的图案测得第二关键尺寸，所述相移线条使所述第一关键尺寸和所述第二关键尺寸具有差值。拟合计算出所述第一关键尺寸和所述第二关键尺寸的差值与离焦量的函数关系。能及时判断光刻机曝光的离焦程度，快速判断是否需要重新校准最佳焦面，及时阻止离焦导致的良率降低。在测量CDU时可以接着测量测试标记，无需转移或者重新曝光。简化测量流程，提高测量精度。节约时间，减少成本，能真实反应离焦量对于CDU结果的影响程度。
测试标记利用光刻机离焦量测量方法

[发明专利]光学关键尺寸数据库的建立方法、光学测量结构及其方法-CN202310196512.9在审
发明人：郝建新;张拥华;李荷莉 -专利权人：广州粤芯半导体技术有限公司
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： G01B11/02 文献下载
摘要：本申请涉及一种光学关键尺寸数据库的建立方法、光学测量结构及其方法和系统。所述光学关键尺寸数据库建立方法包括：提供基准测量结构；基准测量结构上具有基准测量单元，包括：由形貌参数不同的至少两个基准子图形依序排列构成的基准组合图形。对基准测量单元进行光学关键尺寸测量，获取基准测量单元的混合光谱信息。获取基准测量单元中每个基准子图形对应的独立光谱信息和形貌参数，并根据独立光谱信息和形貌参数之间的对应关系确定第一相关函数。根据第一相关函数和第二相关函数，建立光学关键尺寸数据库。在光学测量中应用该数据库能够提高测量效率。
光学关键尺寸数据库建立方法测量结构及其

[发明专利]一种半导体器件及关键尺寸的测量方法-CN201410549366.4有效
发明人：宋秀海 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2014-10-16 - 公布日： 2018-07-06 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明涉及集成电路制造领域，特别涉及一种半导体器件及关键尺寸的测量方法。通过本发明实施例提供的半导体器件及关键尺寸的测量方法，首先在半导体器件中形成有关键尺寸测试结构，然后对形成的测试结构在相应的位置上施加电流，测量产生的电压，然后根据公式通过简单的计算即可得出关键尺寸大小，从而使得离线测量变得很容易实现。同时，对半导体工艺中的线宽侧壁不是很陡直的多晶硅宽度，也能给出一个较合理的尺寸。另外，也不需要对半导体器件进行小型化处理，能够保持硅片的完整性。
半导体器件测量测试结构集成电路制造半导体工艺离线测量施加电流多晶硅硅片侧壁线宽

[发明专利]一种便以监测铸件关键尺寸的检具及使用方法-CN202010453047.9在审
发明人：苗润青;田学森;苏少静;纳建虹 -专利权人：共享装备股份有限公司
申请日： 2020-05-27 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： G01B5/06 文献下载
摘要：本发明涉及铸件尺寸测量、监控，提供了一种便以监测铸件关键尺寸的检具，包括：固定基准组件、调节基准组件、移动测量组件及连接组件。固定基准组件由基准杆主体和固定杆构成；调节基准组件由调节杆主体和调节杆构成；移动测量组件由测量杆主体和测量杆构成；固定基准组件上的基准杆主体与所述调节基准组件上的调节杆主体固定连接；移动测量组件与固定基准组件和调节基准组件通过连接组件相连接固定基准组件设定固定点，调节基准组件保证被测物与检具的平行度，测量点进行关键尺寸测量。本发明方便携带，使用方便、范围广；对测量场地、环境、设备无要求；可对铸件的变形度以及关键尺寸进行随时监控。
一种监测铸件关键尺寸使用方法

[发明专利]关键尺寸的测量方法、设备及关键尺寸的分级定位方法-CN202210981509.3在审
发明人：田东卫;温任华 -专利权人：魅杰光电科技（上海）有限公司
申请日： 2022-08-15 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： G01B11/00 文献下载
摘要：本发明主要涉及到关键尺寸的测量方法、设备及关键尺寸的分级定位方法。将载有晶圆的运动平台移动到关键尺寸的待测量点；在第一倍镜视野下将视觉匹配到一个第一对准模板；运动平台依据第一对准模板从而移动至第一相对位置，并确定一个待测的关键尺寸在第一对准程度下的精确位置。第一倍镜切换到第二倍镜，在第二倍镜视野下将视觉匹配到一个第二对准模板；运动平台依据第二对准模板从而移动至第二相对位置，并确定待测的关键尺寸在第二对准程度下的精确位置，然后对关键尺寸进行量测。
关键尺寸测量方法设备分级定位方法

[发明专利]一种提高光刻工艺关键尺寸均一性的光刻方法-CN202210536953.4在审
发明人：王建;李术林;刘通;魏文浩;刘福知;谢雄才 -专利权人：信利(仁寿)高端显示科技有限公司
申请日： 2022-05-17 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高光刻工艺关键尺寸均一性的光刻方法，由于本发明先测量了起始部和均匀部的光刻胶厚度，然后根据测量的厚度来计算单位面积曝光量，也就是根据不同区域的厚度值进行差异化曝光，根据设定曝光量进行曝光后，起始部的关键尺寸和均匀部的关键尺寸的偏差可忽略不计，关键尺寸偏差小可以保证产品品质，提高关键尺寸的均一性，从而使得良品率提高，大幅降低了玻璃基板的制作成本，提高了产品的竞争力，以此满足生产企业日益增长的品质要求
一种提高光刻工艺关键尺寸均一方法