专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]图案的制作方法和图案布局-CN202011312283.5有效
  • 张钦福;冯立伟;童宇诚 - 福建省晋华集成电路有限公司
  • 2020-11-20 - 2022-04-19 - H01L23/498
  • 本申请提供了一种图案的制作方法和图案布局,该方法包括:在基底上形成预图案,预图案包括多个沿第一方向间隔排列的预结构,预结构包括环形结构、第一焊盘结构和第二焊盘结构,环形结构包括首尾依次连接的第一竖直部、第一水平部、第二竖直部和第二水平部,其中,第一水平部和第一焊盘结构接触,第二水平部和第二焊盘结构接触;对预图案进行刻蚀,去掉环形结构的第一部分和第二部分,使得预结构形成间隔结构,间隔结构包括互不相连的第一导线和第二导线
  • 图案制作方法布局
  • [发明专利]增强布局图案的方法-CN202110129509.6在审
  • 游信胜 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2021-01-29 - 2021-08-20 - G03F1/36
  • 增强布局图案的方法包含决定包含与开口有关的碟形图案的目标布局图案。方法包含在碟形图案上定义具有多个顶点的多边形,顶点相符于碟形图案的边界,且多边形作为开口的初始布局图案。方法包含执行目标布局图案的迭代修正。迭代修正包含投影开口的初始布局图案至基板上,决定目标布局图案与经投影布局图案之间的误差,并通过移动多边形的顶点以调整布局图案,以产生布局图案的下一迭代。方法包含持续进行调整、投影、决定直到合乎规范,且产生开口的布局图案的最终迭代。
  • 增强布局图案方法
  • [发明专利]产生布局图案的方法-CN201510118314.6有效
  • 王函隽;张登耀;林金隆;汤志贤;范耀仁 - 联华电子股份有限公司
  • 2015-03-18 - 2021-03-16 - G06F30/392
  • 本发明公开一种产生布局图案的方法,其包括下列步骤。提供起始布局,起始布局图案包括多条第一条状图案于第一群组区中,各第一条状图案沿第一方向延伸,且第一条状图案于第二方向上具有相同的节距。产生多条锚点带状图案,各锚点带状图案沿第一方向延伸,且锚点带状图案于第二方向上具有相同的节距。至少一条锚点带状图案于第二方向上的两边缘分别与两条相邻的第一条状图案的边缘对齐。至少一条锚点带状图案与两条相邻的第一条状图案之间的第一间隔重叠。在与锚点带状图案重叠的第一间隔处产生第一轴心图案,并将第一轴心图案输出至光掩模。
  • 产生布局图案方法
  • [发明专利]图案布局设计方法、图案形成方法和半导体器件制造方法-CN202011072242.3在审
  • 韩奎斌;金尚昱 - 三星电子株式会社
  • 2020-10-09 - 2021-04-20 - G03F1/36
  • 本发明涉及一种设计图案布局的方法、使用其形成图案的方法、和制造半导体器件的方法。在一旋转方向上旋转原始图案布局以形成旋转图案布局。将旋转图案布局的顶点和分割点与参考点中离其最近的参考点匹配,并连接匹配的参考点,以形成第一修改图案布局。放大第一修改图案布局的区域,以形成第二修改图案布局。形成具有与旋转图案布局相同的方向的参考图案布局。基于参考图案和第二修改图案布局重叠的区域,形成目标图案布局。对目标图案布局执行光学邻近校正,以形成第三修改图案布局,将第三修改图案布局在相反的旋转方向上旋转以形成最终图案布局
  • 图案布局设计方法形成半导体器件制造
  • [发明专利]形成掩模的方法-CN201610081806.7有效
  • 林义雄;郭大鹏;邱奕勋 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2016-02-05 - 2019-07-19 - H01L21/768
  • 本发明提供了一种形成用于制造集成电路的一组掩模的方法,包括:确定原始布局设计中的第一通孔布局图案和电源轨布局图案的存在。第一通孔布局图案和电源轨布局图案彼此重叠。第一通孔布局图案是原始布局设计的第一单元布局的一部分。原始布局设计的第一单元布局和第二单元布局共用电源轨布局图案。该方法还包括更改原始布局设计以成为更改的布局设计并且基于更改的布局设计形成该组掩模。如果原始布局设计中存在第一通孔布局图案和电源轨,则更改原始布局设计包括:利用扩大的通孔布局图案来替换第一通孔布局图案。本发明还提供了利用该方法形成的集成电路。
  • 形成方法
  • [发明专利]生成集成电路布局图的方法-CN202010818421.0在审
  • 彭士玮;赖志明;曾健庭 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2020-08-14 - 2021-03-05 - G06F30/392
  • 一种生成集成电路布局图的方法包括在单元区域中布局第一导电特征布局图案。第一导电特征布局图案在第一方向上延伸,且单元区域具有在第二方向上延伸的相对第一及第二单元边界。在单元区域中,布局第二导电特征布局图案在第一方向上延伸。交替地布局第一及第二导电特征布局图案。在单元区域的第一单元边界上及第一导电特征布局图案的端部上,布局第一切割特征布局图案。第一切割特征布局图案中的一个在第一方向上偏移了第一切割特征布局图案中的另一个。生成包含第一、第二导电特征布局图案及第一切割特征布局图案的集成电路布局图。
  • 生成集成电路布局方法
  • [发明专利]集成电路及其制造方法-CN201811001159.X有效
  • 彭士玮;陈志良;杨超源;庄惠中;曾健庭;陈顺利;林威呈 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2018-08-29 - 2020-10-30 - H01L27/02
  • 一种形成集成电路的方法包括:通过处理器基于设计规则组生成集成电路的布局设计并且基于该布局设计制造集成电路。该集成电路具有第一栅极。生成布局设计包括生成栅极布局图案组,生成切割部件布局图案并生成第一通孔布局图案。切割部件布局图案在第一方向上延伸、位于第一布局层级上并且与至少第一栅极布局图案重叠。栅极布局图案组在第二方向上延伸并位于第一布局层级上。第一通孔布局图案位于第一栅极布局图案上方、并且在第二方向上通过第一距离与切割部件布局图案分离。第一距离满足第一设计规则。本发明还提供了集成电路。
  • 集成电路及其制造方法

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