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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]高电子迁移率晶体管-CN201811098772.8有效
发明人：邱显钦;童建凯;林恒光;杨治琟;王祥骏 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2014-08-21 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开一种高电子迁移率晶体管，包含：一基板；一外延叠层位于基板上，包含第一区域及环绕第一区域的第二区域；一阵列电极结构位于第一区域；以及多个第一电桥电连接至多个第二电极。阵列电极结构包含：多个第一电极位于外延叠层上，及多个第二电极位于外延叠层上并相邻于多个第一电极。多个第一电桥其中之一位于两个第二电极之间并横跨多个第一电极其中之一。
电子迁移率晶体管

[发明专利]半导体元件及其制造方法-CN201711170201.6有效
发明人：陈智伟;林恒光 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2017-11-22 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明实施例揭示一种半导体元件，包括：基板、二极管、通道层、阻障层、第一介电层、源极、漏极以及栅极。二极管配置于基板上或基板中。通道层配置于二极管上。阻障层配置于通道层上。第一介电层配置于阻障层上。源极通过穿过第一介电层、阻障层以及通道层的第一导通孔电性连接至二极管的第一区域。漏极通过穿过第一介电层、阻障层以及通道层的第二导通孔电性连接至二极管的第二区域。栅极配置于源极与漏极之间的通道层上。
半导体元件及其制造方法

[发明专利]半导体基板及其制造方法-CN201711221340.7有效
发明人：薛芳昌;林恒光 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2017-11-29 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H01L29/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体基板及其制造方法。所述半导体基板包括基底、缓冲层、掩膜层以及第一GaN层。所述缓冲层配置于所述基底上，其中所述缓冲层的部分表面中具有掺杂区。所述掩膜层配置于所述缓冲层上，且位于所述掺杂区上方。所述第一GaN层配置于所述缓冲层上，且覆盖所述掩膜层。
半导体及其制造方法

[发明专利]异质结肖特基二极管元件-CN201810641791.4有效
发明人：蔡镕泽;林恒光 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2018-06-21 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明提供了一种异质结肖特基二极管元件，其包括缓冲层、至少一通道层、至少一阻障层以及肖特基金属层。缓冲层配置于基板上。至少一通道层配置于缓冲层上。至少一阻障层配置于至少一通道层上。此外，多个条状开口配置为穿过至少一阻障层与至少一通道层。肖特基金属层配置于至少一阻障层上、横跨条状开口并填入条状开口中。本发明的异质结肖特基二极管元件为三维结构，其可增加肖特基金属层与二维电子气的接触面积，以减少传输阻值，并降低起始电压。
异质结肖特基二极管元件

[发明专利]氮化物半导体元件-CN201811131907.6有效
发明人：朱桂逸;林恒光;蔡镕泽;林世博;陈智伟 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2018-09-27 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供了一种氮化物半导体元件，其包括基底、成核层、经掺杂的氮化物半导体层、经掺杂的第一缓冲层、通道层、阻障层、第一电极、第二电极与掺杂区。基底具有相对的第一表面及第二表面。成核层配置于基底的第一表面上。经掺杂的氮化物半导体层配置于成核层上。经掺杂的第一缓冲层配置于经掺杂的氮化物半导体层上。通道层配置于经掺杂的第一缓冲层上。阻障层配置于通道层上。第一电极配置于阻障层上。第二电极与经掺杂的氮化物半导体层电性连接。掺杂区至少配置于部分经掺杂的氮化物半导体层中，其中掺杂区自第一电极的下方延伸至与第二电极部分重叠。
氮化物半导体元件

[发明专利]晶体管-CN201711111947.X有效
发明人：蔡镕泽;林恒光 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2017-11-13 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明涉及晶体管，其包括缓冲层、通道层、阻障层、超晶格结构、栅极、源极与漏极。缓冲层配置于基底上。通道层配置于缓冲层上。阻障层配置于通道层上。超晶格结构配置于阻障层上。栅极配置于超晶格结构上。源极与漏极配置于阻障层上且分别位于超晶格结构的两侧，或配置于通道层上且分别位于阻障层的两侧。超晶格结构包括彼此堆栈的至少一第一金属氮化物层与至少一第二金属氮化物层，且超晶格结构的平均晶格常数大于GaN的晶格常数，其中第一金属氮化物层与第二金属氮化物层中的金属各自选自由Al、Ga与In所组成的族群中的至少一者，且第一金属氮化物层与第二金属氮化物层不相同。
晶体管

[发明专利]半导体元件及其制造方法-CN201810467925.5有效
发明人：陈智伟;林恒光 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2018-05-16 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体元件及其制造方法。所述半导体元件包括第一堆叠结构、第二堆叠结构、隔离层以及栅极。所述第一堆叠结构配置于基底上，其包括第一GaN通道层，配置于所述基底上，且具有氮结晶相；以及第一阻挡层，配置于所述第一GaN通道层上。所述第二堆叠结构配置于所述基底上，其包括第二GaN通道层，配置于所述基底上，且具有镓结晶相；以及第二阻挡层，配置于所述第二GaN通道层上。所述隔离层配置于所述第一堆叠结构与所述第二堆叠结构之间。所述栅极配置于所述第一堆叠结构、所述隔离层与所述第二堆叠结构上。本发明能够使得工艺步骤较为简单，且可降低制成困难度以及降低生产成本。
半导体元件及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201510620887.9有效
发明人：杨亚谕;林恒光 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2015-09-25 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置包含一基板，具有一第一区域及一第二区域、一核化结构位于第二区域、一第一结晶缓冲层设于核化结构上、一空隙位于第一区域与第一结晶缓冲层之间、一第二结晶缓冲层设于第一结晶缓冲层上、一中间层位于第一结晶缓冲层及第二结晶缓冲层之间、及一半导体叠层设于第二结晶缓冲层上。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体元件、半导体基底及其形成方法-CN201710201928.X有效
发明人：薛芳昌;林恒光 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2017-03-30 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： H01L29/20 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体元件、半导体基底及其形成方法。半导体基底包括第一含硅层、单晶态III‑V族化合物半导体层以及非晶态III‑V族化合物半导体层。第一含硅层具有第一区以及第二区。单晶态III‑V族化合物半导体层配置于第一区的第一含硅层上。非晶态III‑V族化合物半导体层配置于第二区的第一含硅层上。
半导体元件基底及其形成方法

[发明专利]半导体基底以及半导体元件-CN201710963752.1有效
发明人：陈智伟;林恒光 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2017-10-17 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明揭露一种半导体基底以及半导体元件。该半导体基底包括基层、配置于基层上的缓冲层、配置于缓冲层上的通道层、配置于通道层上的阻挡层以及埋入于通道层中的埋入式场板区。其中，通道层包括二维电子气，埋入式场板区位于该二维电子气下方。本发明可以有效的分散电极之间高电场的聚集效应，降低工艺的复杂度，以及大幅降低寄生电容对元件的影响。
半导体基底以及元件

[发明专利]增强型高电子迁移率晶体管元件-CN201811209908.8在审
发明人：蔡镕泽;林恒光 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2018-10-17 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供一种增强型高电子迁移率晶体管元件，其包括基板、通道层、第一阻挡层、栅极、源极与漏极。通道层配置于基板上。第一阻挡层配置于通道层上。至少一沟渠穿过第一阻挡层并延伸至通道层中。栅极配置于第一阻挡层上、填入至少一沟渠并与通道层接触。源极与漏极配置于栅极两侧的第一阻挡层以及通道层中。本发明可改善因刻蚀不稳造成的电性不均，并降低元件开启时的通道电阻。
通道层阻挡层增强型高电子迁移率晶体管沟渠基板漏极源极配置电性不均通道电阻元件开启栅极配置刻蚀填入穿过延伸

[发明专利]增强型高电子迁移率晶体管元件及其形成方法-CN201811258317.X在审
发明人：朱桂逸;林恒光 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2018-10-26 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供一种增强型高电子迁移率晶体管元件及其形成方法。该增强型高电子迁移率晶体管元件包括基板、通道层、阻挡层、P型半导体层、载子供应层、栅极、源极与漏极。通道层配置于基板上。阻挡层配置于通道层上。P型半导体层配置于阻挡层上。载子供应层配置于P型半导体层的侧壁上并侧向延伸以远离P型半导体层。栅极配置于P型半导体层上。源极与漏极配置于栅极两侧的载子供应层上。另提供一种增强型高电子迁移率晶体管元件的形成方法。本发明可有效增加输出电流，提升元件的效能。
增强型高电子迁移率晶体管供应层通道层阻挡层配置基板漏极源极侧向延伸输出电流提升元件栅极配置侧壁

[发明专利]高电子迁移率晶体管-CN201410414271.1有效
发明人：邱显钦;童建凯;林恒光;杨治琟;王祥骏 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2014-08-21 - 公布日： 2018-10-23 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开一种高电子迁移率晶体管，包含：一基板；一外延叠层位于基板上，包含第一区域及环绕第一区域的第二区域；一阵列电极结构位于第一区域；以及多个第一电桥电连接至多个第二电极。阵列电极结构包含：多个第一电极位于外延叠层上，及多个第二电极位于外延叠层上并相邻于多个第一电极。多个第一电桥其中之一位于两个第二电极之间并横跨多个第一电极其中之一。
电子迁移率晶体管

[发明专利]半导体功率元件-CN201410227870.2在审
发明人：杨亚谕;林恒光 -专利权人：晶元光电股份有限公司;广镓光电股份有限公司
申请日： 2014-05-27 - 公布日： 2016-01-27 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体功率元件，包含一基板、一第一半导体层、一第二半导体层、一第三半导体层、一源极电极、一背向电极以及一P型金属氧化层。第一半导体层具有一第一能隙，且位于基板上方；第二半导体层具有一第二能隙大于第一能隙，且位于第一半导体层上方；第三半导体层具有一第三能隙小于第二能隙，且位于第二半导体层上方；源极电极位于第三半导体层上方；背向电极电连接源极电极；P型金属氧化层位于背向电极以及第三半导体层之间。
半导体功率元件

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