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[发明专利]掩模版和半导体器件的形成方法-CN201410604099.6有效
发明人：沈满华;祖延雷 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2014-10-30 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： G03F1/38 文献下载
摘要：一种掩模版和半导体器件的形成方法。其中，所述掩模版包括：基板；位于所述基板上的遮光层；主图形，位于所述遮光层内；还包括：辅助图形，位于所述遮光层内；所述辅助图形位于所述主图形内部或者所述主图形外围，所述辅助图形用于增大掩模版的透光率。所述掩模版通过设置辅助图形，增大了掩模版的透光率，掩模版接收曝光光线照射的面积减小，因此吸收的光线减少，掩模版自加热效应降低，减小掩模版自身的变形，从而防止利用掩模版形成的器件图形发生偏差，提高采用此掩模版形成的半导体器件的图形准确性。
模版半导体器件形成方法

[发明专利]一种鳍式场效应管的制备方法-CN201310492818.5有效
发明人：沈满华;祖延雷 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-10-18 - 公布日： 2018-05-04 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种鳍式场效应管的制备方法，所述制备方法至少包括步骤首先，在已制备的鳍结构上旋涂有机材料层或无定形碳，使有机材料层或无定形碳覆盖鳍结构表面和侧壁；然后，通入第一气体和第二气体的混合气体，并将混合气体等离子化，在混合气体形成的等离子的作用下刻蚀有机材料层或无定形碳，使得鳍结构顶部暴露并圆化；最后，去除剩余的有机材料层或无定形碳。本发明提供的鳍式场效应管的制备方法可以有效地将鳍结构顶部圆化，圆化的鳍结构顶部一方面能够降低鳍结构顶部的高场聚集效应，减小源漏间的漏电流，另一方面，在圆化的鳍结构表面淀积形成的栅极结构的厚度比较均匀，不会出现断裂，器件的整体性能得以提升。
一种场效应制备方法

[发明专利]自对准双重图形的形成方法-CN201210477219.1有效
发明人：沈满华;祖延雷 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-11-21 - 公布日： 2017-06-09 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：一种自对准双重图形的形成方法，包括提供待刻蚀材料层；在所述待刻蚀材料层上形成牺牲光刻胶层；在所述牺牲光刻胶层的顶部和侧壁表面形成聚合物层；在所述聚合物层表面形成第一掩膜材料层；对所述第一掩膜材料层进行回刻蚀，位于所述牺牲光刻胶层两侧的第一掩膜材料层形成第一掩膜图形。由于在牺牲光刻胶层的顶部和侧壁表面形成聚合物层，所述聚合物层的硬度远远大于牺牲光刻胶层的硬度，使得牺牲光刻胶层的形状不会因为第一掩膜材料层产生的应力发生形变，且利用沉积工艺和刻蚀工艺形成的聚合物层的转角为直角，使得最终的刻蚀图形的侧壁形貌较佳。
对准双重图形形成方法

[发明专利]一种掩膜版固定系统-CN201610901000.8在审
发明人： 祖延雷;于世瑞;陈权 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2016-10-17 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种掩膜版固定系统，具有固定组件和运动组件，运动组件安装于固定组件上，并且可以沿着固定组件的导向方向进行移动；运动组件还具有两两相对设置的机械手，相对的两个机械手用于固定掩膜版相对的边缘。本发明可以控制掩模版部分区的形变，提高晶圆上层间套刻精度，最终提高产品良率。与现有的方法相比，不需要为每个产品建立数据库进行仿真，通用性强，成本低。
一种掩膜版固定系统

[发明专利]曝光装置及其曝光方法-CN201310069610.2有效
发明人：伍强;祖延雷;胡华勇;顾一鸣 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-03-05 - 公布日： 2014-09-10 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种曝光装置及其曝光方法，所述曝光装置，包括：基台；晶圆载物台组，所述晶圆载物台组包括若干晶圆载物台，若干晶圆载物台依次在基台上的第一位置和第二位置之间循环移动；对准检测单元，进行晶圆的对准；掩膜板载物台，用于装载圆筒形掩膜板，并使所述圆筒形掩膜板绕中心轴旋转；光学投影单元，将透过圆筒形掩膜板的光投射到晶圆载物台上晶圆的曝光区；当晶圆载物台从第一位置移动到第二位置，然后沿扫描方向的单方向扫描时，圆筒形掩膜板绕中心轴旋转，透过圆筒形掩膜板的光投射到晶圆载物台上的晶圆上，对晶圆上的沿扫描方向排列的某一列曝光区进行曝光。进行曝光时，晶圆载物台不需要改变扫描方向，从而节省了曝光时间，提高了曝光效率。
曝光装置及其方法

[发明专利]具有不同长度的晶体管栅极阵列及其制作方法-CN201310011492.X有效
发明人：舒强;祖延雷 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-01-11 - 公布日： 2014-07-16 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种具有不同长度的晶体管栅极阵列及其制作方法，本发明提出采用两套掩膜板进行曝光过程，第一套掩膜板曝光形成的栅极阵列中，各栅极两端在沿垂直长度方向平齐且每个栅极至少覆盖目标阵列中的相应栅极，换言之，第一套掩膜板曝光形成的各栅极长度都相等，降低由于栅极长度不等导致的曝光、刻蚀后的栅极宽度的偏差；然后，采用第二套掩膜板从长度上将该长度均等的栅极制作成目标长度及形状的栅极，由于栅极的长度尺寸一般大于其宽度尺寸，因而，基本不存在曝光、刻蚀后的栅极长度的偏差。如此，由于采用第二套掩膜板图形化时，栅极的宽度已经被第一套掩模板定义下来，因而本方案实现了栅极宽度及长度的精确控制，且不涉及复杂计算，易实现。
具有不同长度晶体管栅极阵列及其制作方法

[发明专利]标准晶片及其制造方法-CN201210419099.X有效
发明人：蔡博修;祖延雷 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-10-29 - 公布日： 2014-05-14 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明公开了标准晶片及其制造方法。本公开的实施例提供一种标准晶片，其包括：衬底；形成于衬底上的第一半导体材料层；形成于第一半导体材料层之上的栅条，其中，间隔层介于第一半导体材料层和所述栅条之间；以及分别形成在所述栅条的相对两侧的第一侧壁间隔件和第二侧壁间隔件，其中，所述栅条和第一半导体材料层由相同的半导体材料形成，介于第一半导体材料层和所述栅条之间的所述间隔层与第一侧壁间隔件和第二侧壁间隔件由相同的氧化物形成。本公开实施例还提供相应的标准晶片制造方法。通过本公开的实施例，可以提供具有不容易带电、不容易受污染，成像对比度高、价格较低、制作工艺简单中的至少一个或多个优点的标准晶片以及相应的制造方法。
标准晶片及其制造方法

[发明专利]自对准双重图形的形成方法-CN201210333005.7有效
发明人： 祖延雷;胡华勇;林益世 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-09-10 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种自对准双重图形的形成方法，包括：提供待刻蚀材料层；在所述待刻蚀材料层上形成牺牲光刻胶层；将所述牺牲光刻胶层进行固化；在所述牺牲光刻胶层的侧壁表面形成第一掩膜图形；去除所述牺牲光刻胶层。由于所述牺牲光刻胶层进行固化后，牺牲光刻胶层的硬度提高，形成第一掩膜图形过程中的第一掩膜材料层产生的应力不会使得牺牲光刻胶层发生形变，使得牺牲光刻胶层的侧壁依然垂直于待刻蚀材料层表面，使得后续形成于所述牺牲光刻胶层侧壁表面的第一掩膜图形的侧壁垂直于待刻蚀材料层表面，最终对待刻蚀材料层进行刻蚀形成的刻蚀图形的侧壁形貌较佳。
对准双重图形形成方法

[发明专利]一种R₂CaB₁₀O₁₉单晶的定向籽晶生长方法-CN200910092081.1无效
发明人：张建秀;傅佩珍;吴以成;吴洋;祖延雷 -专利权人：中国科学院理化技术研究所
申请日： 2009-09-14 - 公布日： 2011-04-20 - 主分类号： C30B9/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种R2CaB10O19的籽晶定向生长方法，特点在于所引入的籽晶为长条状籽晶，该长条状籽晶的切割方向在+b轴与(a+b)轴之间，且与(a+b)轴成3～6°夹角；本发明的定向生长方法限制了a、b方向的生长速度，克服了R2CaB10O19晶体生长过程中因籽晶两端质量失衡而脱坠，(001)面难以长厚以及(111)面族不易尖灭等不足，本发明的R2CaB10O19晶体的籽晶定向生长方法，提高了R2CaB10O19晶体生长过程中的稳定性，易于获得利用率高，较大尺寸、高光学质量的晶体，可以满足器件加工要求。
一种 sub cab 10 19 定向籽晶生长方法

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