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[发明专利]一种太赫兹波段偏振特性参数测试装置-CN201811607018.2在审
发明人：杨延召;李国超;吴斌 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十一研究所
申请日： 2018-12-27 - 公布日： 2019-03-19 - 主分类号： G01N21/21 文献下载
摘要：其解决了现有的太赫兹时域光谱系统的测量对象仅限于各向同性材料，在对具有偏振特性的材料进行分析时，常规太赫兹时域光谱仪系统就无能为力的不足。该太赫兹波段偏振特性参数测试装置，包括三电极太赫兹光电导发射天线、样品和三电极太赫兹光电导探测天线，三电极太赫兹光电导发射天线、样品和三电极太赫兹光电导探测天线依次设置且中心点位于同一直线上，所述三电极太赫兹光电导发射天线产生0°、45°和90°三个方向的线偏振太赫兹波，所述三电极太赫兹光电导探测天线形成45°方向电极、竖直方向电极和水平方向电极。
光电导三电极偏振特性参数测试装置太赫兹波段发射天线探测天线太赫兹时域光谱系统方向电极太赫兹时域光谱仪各向同性材料测量对象测量领域太赫兹波同一直线依次设置线偏振中心点电极竖直分析

[发明专利]基于组分渐变缓冲层的透射式GaN紫外光电阴极-CN201010209435.9无效
发明人：杜晓晴;常本康;钱芸生;赵文伯 -专利权人：重庆大学
申请日： 2010-06-25 - 公布日： 2010-10-20 - 主分类号： H01L31/101 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于组分渐变缓冲层的透射式GaN紫外光电阴极，该阴极自下而上由双抛光的c面蓝宝石衬底、AlxGa1-xN组分渐变缓冲层、p型GaN发射层以及Cs或Cs/O激活层组成；AlxGa1-xN组分渐变缓冲层由本发明采用一种Al组分含量从1到0逐渐降低的AlxGa1-xN来设计和制备透射式GaN紫外光电阴极的缓冲层，利用这种组分渐变模式降低缓冲材料与发射材料之间的生长界面应力，提高透射式GaN紫外光电阴极的界面特性，降低光电子的界面复合速率，最终提高GaN紫外光电阴极的光电发射量子效率。
基于组分渐变缓冲透射 gan 紫外光电阴极

[发明专利]微结构玻璃基片及其制备方法-CN202110486159.9有效
发明人：贾金升;余刚;曹振博;刘辉;吕学良;郑京明;李自金;李开宇;孙勇;洪升 -专利权人：中国建筑材料科学研究总院有限公司
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明是关于微结构玻璃基片及其制备方法，该微结构玻璃基片包括玻璃基底层和光电发射材料层，所述的玻璃基底层具有呈网格状分布的光栅凹槽结构，所述的光栅凹槽结构由若干第一方向的凹槽和若干第二方向的凹槽相互交叉形成，所述的凹槽的开口朝向所述的光子出射面，所述的凹槽内填充有氧化物膜层；所述的凹槽的尺寸与光电发射材料层的厚度满足如下关系：W×(Δ+W)＝1000×D，其中，W为凹槽的宽度，Δ为相邻两个凹槽的间距，D为光电发射材料层的厚度本发明通过对玻璃基片的出射面进行微结构加工，形成特殊材料结构光栅，增加光子传播路径，提高光谱灵敏度。
微结构玻璃及其制备方法

[发明专利]一种反射式PETE太阳能光电转换方法及其转换装置-CN201810943033.8有效
发明人：戴文韬;沈晓明;吴婕;郑冰欣;赖彦洁 -专利权人：广西大学
申请日： 2018-08-17 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种反射式PETE太阳能光电转换方法及其转换装置，将阴极材料和阳极材料置于真空环境中，太阳光经聚光装置后形成汇聚太阳光直接照射在阴极材料正面，阴极材料吸收汇聚太阳光产生大量的热电子，并将热电子发射到真空中再由阳极材料收集后导出形成光电流；基于上述的反射式PETE太阳能光电转换方法，针对性设计的一种反射式PETE太阳能光电转换装置，该装置结构简单，制作成本低；采用InN纳米线阴极能够吸收汇聚太阳光产生大量的热电子，并将热电子发射到真空中再由阳极收集后导出形成光电流，避免了透射式阴极复杂的粘接工艺，同时能在阴极表面制备绒面化的纳米结构，增加阴极对太阳光的吸收，有效提高光电转换效率。
一种反射 pete 太阳能光电转换方法及其装置

[发明专利]仪器化衬底设备-CN202180015993.8在审
发明人： R·D·塔斯;E·詹森 -专利权人：科磊股份有限公司
申请日： 2021-02-22 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： G01J1/42 文献下载
摘要：所述仪器化衬底设备包含衬底及所述衬底上的光电传感器。所述光电传感器包含光发射材料、光电子收集器及测量电路。所述测量电路电耦合到所述光发射材料及所述光电子收集器。所述测量电路经配置以通过电流计测量由所述光电子收集器产生的电流。使用此电流以通过所述仪器化衬底设备上的控制器或通过将所述电流传达到工厂自动化系统来确定波长分辨EUV测量信息。
仪器衬底设备

[发明专利]光电发射多束电子束曝光机-CN202210805412.7在审
发明人：李西军 -专利权人：西湖大学
申请日： 2022-07-08 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本公开实施例提出一种光电发射多束电子束曝光机，包括控制装置、激光光源、电光调制器、电子发射多束阵列、电子束调制系统、电子扫描系统以及电驱动工件台。利用光纤提拉技术可以实现1微米级的激发光单模渐变光纤探针，采用镀膜技术可以把光电效应材料，如金属、半导体等涂敷在探针针尖上，光电效应可以实现单根探针发射电子束在数十nA左右，采用总探针数大于100000的阵列，发射的总束流大于10mA，满足芯片量产对光电发射多束电子束曝光机总曝光总束流的要求。
光电发射电子束曝光

[发明专利]一种双发射荧光纳米材料及其应用-CN201611204544.5有效
发明人：刘应亮;何江玲;雷炳富;肖勇;庄健乐;张浩然 -专利权人：华南农业大学
申请日： 2016-12-23 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： C09K11/06 文献下载
摘要：本发明公开了基于单发射硅烷化碳点构建得到双发射荧光纳米材料以及所述双发射荧光纳米材料的相关应用。本发明通过简易快捷的研磨操作，无需复杂的后处理，即可一步快速获得双发射材料，原料简单易得，价格低廉，反应条件温和，且打破了构建双发射需要以两种发射材料或者一种材料具有两种发射中心的常规。制备得到的双发射材料稳定性好，不潮解，具有优良的双发射性能。所述双发射荧光纳米材料可以应用于气体传感，光电器件的组装实现照明及农用等领域。
一种发射荧光纳米材料及其应用

[实用新型]广谱响应合金电子共振发射光电池-CN200420093903.0无效
发明人：李映华 -专利权人：李映华;周红霞
申请日： 2004-10-09 - 公布日： 2006-07-19 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：一种广谱响应合金电子共振发射光电池，由基片P－N结，广谱响应合金电子发射层、晶体介电层、引出电极构成。引出电极可以是金属网栅电极或透明导电材料制成；基片是单晶硅，或结晶硅、或薄膜、或导电材料；合金电子发射层由有色金属，或稀有金属、或两者合金制成；晶体介电层材料为溅射的单晶或多晶硅薄膜；本实用新型可以广谱利用太阳光能，光电转换效率高，成本低。
广谱响应合金电子共振发射光电池

[发明专利]吸收增强型硅基红外光电探测器及其制作方法-CN202110633059.4在审
发明人：汪巍;涂芝娟;曾友宏;蔡艳;余明斌 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司
申请日： 2021-06-07 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：本发明提供一种吸收增强型硅基红外光电探测器及其制作方法，探测器包括：衬底以及沿垂直于衬底的方向依次层叠于衬底表面的集电极区、吸收区、基极区和发射极区；吸收区和基极区采用GePb材料，以在短红外波段到中红外波段实现高效吸收；发射极区采用SiGe材料。光子经过GePb材料的吸收区的吸收生成光生载流子，在电场作用下漂移至GePb材料的基极区，由于在SiGe材料的发射极区和GePb材料的基极区的界面价带和导带处形成有效的带阶，光生载流子在GePb材料的基极区积累，使SiGe材料的发射极区和GePb材料的基极区界面带阶的下降，载流子从发射极区注入到基极区，形成光电流的放大，从而实现高灵敏度探测。
吸收增强型硅基红外光电探测器及其制作方法

[发明专利]集成式活性光纤温度测量设备-CN202110593952.9在审
发明人：翁德雷·梅茨尔;诺厄·约翰·乔·约翰逊;詹姆斯·威廉·威尔特希尔·加罗;迈克尔·威廉·戈尔茨坦 -专利权人：艾科赛乐维特技术公司
申请日： 2021-05-28 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： G01K11/32 文献下载
摘要：该集成式温度测量设备包括集成在单个设备中的光纤探头和光电电路，然后该单个设备被单独地校准。该光纤探头具有光纤束，在该探头的尖端处带有活性材料。光电电路连接到光纤探头。该光电电路包括：被配置为向活性材料提供激发光的光源；用于检测发射光的检测器；被配置为根据单个波长范围下的发射强度的变化或两个或更多个波长范围的强度比的变化、寿命衰减或发射光的发射波长峰值的偏移来确定温度的处理单元
集成活性光纤温度测量设备

[实用新型]一种光电传感器装置-CN201921042651.1有效
发明人：安伟刚;李貌民;蒋娜 -专利权人：上海托菲机电科技有限公司
申请日： 2019-07-05 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： G01D5/34 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种光电传感器装置，涉及光电探测的技术领域。该装置包括壳体、透镜、发射接收器、线路板，采用黑色透红外PC材料作为透镜的外壳，透镜外壳采用平凸设计，且发射接收器与透镜的距离在透镜的1倍聚焦附近，增加了光电传感器的发射角度。同时，发射端采用高功率发射电路，接收端采用高灵敏三极管并采用高倍放大电路，增强了光的穿透性。再利用软件编码算法进行优化，可有效滤除产品在极恶劣环境的干扰。
一种光电传感器装置

[发明专利]基于GeSn‑GeSi材料的异质型光电晶体管及其制作方法-CN201610117819.5有效
发明人：韩根全;王轶博;张春福;汪银花;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2016-03-02 - 公布日： 2017-10-24 - 主分类号： H01L31/028 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于GeSn‑GeSi材料的异质型光电晶体管及其制作方法，晶体管的集电极和发射极区均采用GeSi材料；光吸收区、基极区均采用GeSn材料。发射极区、基极区、光吸收区、集电极区依次竖直分布，钝化层包围在发射极区、基极区、光吸收区、集电极区的外围。本发明晶体管的制作方法采用低温固源分子束外延生长工艺生长GeSn材料，标准CMOS制作工艺。本发明通过使用有高光吸收系数的GeSn材料在光吸收区，分别和GeSi发射极区、集电极区构成异质结，实现晶体管在探测红外光信号时光灵敏度和光电流的提升，具有高的光吸收效率。
基于 gesn gesi 材料异质型光电晶体管及其制作方法

[发明专利]一种具有超晶格纳米线结构GaN光电阴极的制备方法-CN202110575267.3在审
发明人：王晓晖;张翔;王振营;班启沛;张世博 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-05-25 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01J1/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有超晶格纳米线结构GaN光电阴极的制备方法。该制备方法包括：对衬底的选用、生长在衬底上的缓冲层的厚度设计与生长、超晶格纳米线结构GaN电子发射层的设计与生长、以及位于电子发射层上激活层的制备。对于超晶格结构，本发明采用AlGaN/GaN超晶格，AlGaN与GaN材料以几十个纳米的薄层交替生长并保持严格周期性形成多层膜结构，即形成了AlGaN/GaN超晶格。该具有超晶格纳米线结构的GaN光电阴极能够克服传统薄膜光电阴极在光子吸收和电子运输方面的不足，大大增加电子发射层对光子的吸收率，减少缓冲层对入射光能量的吸收，从而大大提高光电子的发射性能以及光电阴极的响应波段，最终提高GaN光电阴极的光电发射量子效率。
一种具有晶格纳米结构 gan 光电阴极制备方法

[实用新型]一种光电阴极-CN201721675131.5有效
发明人：郝广辉;邵文生;张珂;于志强;高玉娟 -专利权人：中国电子科技集团公司第十二研究所
申请日： 2017-12-06 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： H01J1/34 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种光电阴极，包括衬底、形成在衬底上的p型AlN缓冲层、形成在p型AlN缓冲层上的p型Al_xGa_1‑xN发射层和形成在p型Al_xGa_1‑xN发射层上的窄禁带半导体表面层；其中，所述窄禁带半导体表面层的材料为室温下禁带宽度≤2.3eV的半导体材料，所述p型Al_xGa_1‑xN发射层中x的范围为0≤x＜1。本实用新型的光电阴极在p型Al_xGa_1‑xN发射层上生长窄禁带半导体表面层，窄禁带半导体表面层原子与p型Al_xGa_1‑_xN发射层原子以共价键形式结合，有利于改善Al_xGa_1‑xN材料表面能带结构，降低光电阴极表面功函数，提高电子隧穿光电阴极表面的几率。
发射层窄禁带半导体光电阴极表面层光电阴极表面本实用新型衬底半导体材料表面层原子材料表面能共价键形式电子隧穿带结构功函数禁带生长

[发明专利]基于衬底剥离的透射式AlGaN紫外光电阴极制备方法-CN201811009797.6有效
发明人：罗伟科;李忠辉;陈鑫龙 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2018-08-31 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： H01J9/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于衬底剥离的透射式AlGaN紫外光电阴极制备方法，包括如下步骤：1）准备材料；2）依次进行高温烘烤、成核层生长、高质量GaN剥离层生长；3）生长p型Mg掺杂的高铝组分AlGaN光电发射层；4）在AlGaN表面键合石英窗口材料；5）利用激光分解技术将GaN层彻底分解，剥离衬底；6）AlGaN表面进行Cs或者Cs/O层激活。优点：1）采用GaN代替AlN作为紫外光电阴极缓冲层，降低了缓冲层生长难度，提高了p型AlGaN发射层的晶体质量，有利于制备更高灵敏度的光电阴极；2）采用缓冲层激光分解技术，充分分解GaN层，实现衬底剥离，可以避免衬底和缓冲层对紫外入射光线的吸收，保证了光电发射层对紫外光线的高效探测；3）激光剥离的衬底可以重复使用，经济节约。
基于衬底剥离透射 algan 紫外光电阴极制备方法