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[发明专利]用于有机光电元件的发光材料、有机光电元件及显示元件-CN201380074818.1有效
发明人：李韩壹;柳银善;姜东敏;姜义洙;梁容卓;吴在镇;柳东圭;李相信;张洧娜;郑守泳;韩秀真;洪振硕 -专利权人：第一毛织株式会社
申请日： 2013-09-25 - 公布日： 2017-12-19 - 主分类号： C07D251/24 文献下载
摘要：本发明有关于一种用于有机光电元件的发光材料，其由化学式1表示；一种有机光电元件，其包括上述用于有机光电元件的发光材料；以及一种显示元件，其包括上述有机光电元件。上述发光材料用于有机光电元件的发射层时，其可实现高性能。
用于有机光电元件发光材料显示

[发明专利]一种介质材料二次电子发射产额测量装置及方法-CN202110702395.X有效
发明人：陈玉;石青芸;黄国瑞;杨燕;王双;成永红 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2021-06-24 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： G01N23/2251 文献下载
摘要：本发明属于物理电子学技术领域，公开了一种介质材料二次电子发射产额测量装置及方法。该方法用于测量入射能量范围内每个入射能量下的二次电子发射产额，形成产额谱，本发明采用氘灯和单色仪产生的固定波长的紫外光源照射介质材料表面产生光电子，用正极板收集光电子，从而实现对介质材料表面负电荷的中和，本发明采用电子枪发射低能电子束，从而实现对介质材料表面正电荷的中和，通过计算并控制光电效应和低能电子束发射所涉及的相关参数，有效防止了中和不足或者过量导致介质材料表面的电荷积累。
一种介质材料二次电子发射测量装置方法

[发明专利]检定装置-CN201680056389.9在审
发明人： C·汉德;O·霍夫曼;G·吕;M·拉蒙;P·W·本齐;C·J·凯 -专利权人：分子视觉有限公司;剑桥显示技术有限公司
申请日： 2016-08-19 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： G01N21/64 文献下载
摘要：该装置包括：包含多个测试区域(41A,41B)并且由透光材料形成的横向流动膜(46)，多个(44A,44B)平面有机发光二极管(OLED)发射器，该发射器包含有机电致发光材料的发射层，和多个(49A,49B)平面有机光电检测器(OPD)，该光电检测器包含有机光伏材料的吸收层。每个测试区域与一个发射器的发射层和一个光电检测器的吸收层对准。对准的发射器、光电检测器和测试区域形成一个组，使得发射器能够照射测试区域并且光电检测器能够检测来自测试区域的光。对于每个组，在测试区域潮湿并且没有标签颗粒的条件下以及当该组发射器是唯一被激励的发射器时，产生的激励光电检测器光电流表示为i1，并且当另一组的发射器被另外激励时，产生的激励光电检测器光电流被表示为i2。
发射器测试区域光电检测器标签颗粒检定装置发射层分析物吸收层对准有机电致发光材料有机发光二极管有机光电检测器有机光伏材料等式定义黑色箭头横向流动透光材料液体样品固定化光电流串扰潮湿照射检测

[发明专利]汽车防撞安全系统的光电发射接收头及发射接收装置-CN201110083793.4无效
发明人：江和平;任亚文;陈颖;尹望吾 -专利权人：湖南亮财汽车安全科技有限公司
申请日： 2011-04-02 - 公布日： 2011-10-05 - 主分类号： B60R21/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种汽车防撞安全系统的光电发射接收头及发射接收装置，为了解决现有的发射接收头容易受到干扰，引起系统错误信号的问题，所述光电发射接收头包括至少两个发射管和至少一个接收管，所述发射管和接收管并列固定在支架上，该支架的后端装有盖板，所述盖板上开有槽，所述发射管和接收管之间均设有屏蔽层。所述光电发射接收装置包括底座，所述底座上装有万向球，该万向球上方设有可容纳所述光电发射接收头的外壳，所述外壳上设有控制光电发射接收头工作的控制面板。通过本发明可实现红外发射接收功能，并限制发射的红外光斑大小与所希望的一致。使用电磁屏蔽材料及隔离设置，避免了光电干扰。
汽车安全系统光电发射接收装置

[实用新型]汽车防撞安全系统的光电发射接收头及发射接收装置-CN201120095895.3无效
发明人：江和平;任亚文;陈颖;尹望吾 -专利权人：湖南亮财汽车安全科技有限公司
申请日： 2011-04-02 - 公布日： 2011-10-12 - 主分类号： B60R21/01 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种汽车防撞安全系统的光电发射接收头及发射接收装置，为了解决现有的发射接收头容易受到干扰，引起系统错误信号的问题，所述光电发射接收头包括至少两个发射管和至少一个接收管，所述发射管和接收管并列固定在支架上，该支架的后端装有盖板，所述盖板上开有槽，所述发射管和接收管之间均设有屏蔽层。所述光电发射接收装置包括底座，所述底座上装有万向球，该万向球上方设有可容纳所述光电发射接收头的外壳，所述外壳上设有控制光电发射接收头工作的控制面板。通过本实用新型可实现红外发射接收功能，并限制发射的红外光斑大小与所希望的一致。使用电磁屏蔽材料及隔离设置，避免了光电干扰。
汽车安全系统光电发射接收装置

[发明专利]光电子器件及其制造方法-CN200510082114.6无效
发明人：沃尔特·里斯;海克·里尔;西格弗里德·F·卡格 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2005-06-29 - 公布日： 2006-01-25 - 主分类号： H01L51/00 文献下载
摘要：本发明涉及光电子器件及其制造方法。光电子器件包括用于发光的光电子部件(12，14，16)、光发射表面(22)及光发射表面(22)上的盖层(18)。盖层(18)包括具有第一折射系数的第一材料及具有第二折射系数的第二材料的混合物。
光电子器件及其制造方法

[发明专利]检测探头、电子设备及血液成分的检测方法-CN202110576760.7在审
发明人：丁兆彩;刘忠英 -专利权人：北京麦邦光电仪器有限公司
申请日： 2021-05-26 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： A61B5/145 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及检测探头、电子设备及血液成分的检测方法，该检测探头包括：第一光发射器；接收组件，所述接收组件设置在所述第一光发射器的一侧；所述接收组件，包括：第一光电探测器和第二光电探测器，所述第一光电探测器、所述第二光电探测器以及所述第一光发射器沿直线排列，所述第一光电探测器位于所述第一光发射器与所述第二光电探测器之间；其中，所述第一光发射器、所述第一光电探测器与所述第二光电探测器两两之间填充有不透光材料
检测探头电子设备血液成分方法

[发明专利]聚光太阳能光电转换装置或光热转换装置-CN201210054326.3无效
发明人：王广武 -专利权人：王广武
申请日： 2012-03-05 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： H01L31/052 文献下载
摘要：聚光太阳能光电转换装置或光热转换装置包括：太阳能聚光装置，量子点材料，谐振腔，光电转换电池或光热转换电池，太阳能聚光装置将太阳光会聚在二次反光镜内，二次反光镜将太阳能聚光投射到量子点材料上和谐振腔内，量子点材料吸收宽的太阳光谱和发射出窄的能够被光电转换电池吸收的光谱或能够被光热转换电池吸收的光谱，量子点材料发射出的光照射在光电转换电池上进行光电转换或照射在光热转换电池上进行光热转换。
聚光太阳能光电转换装置光热

[发明专利]一种光电阴极及其制备方法-CN201711272587.1在审
发明人：郝广辉;邵文生;张珂;于志强;高玉娟 -专利权人：中国电子科技集团公司第十二研究所
申请日： 2017-12-06 - 公布日： 2018-04-10 - 主分类号： H01J1/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种光电阴极，包括衬底、形成在衬底上的p型AlN缓冲层、形成在p型AlN缓冲层上的p型AlxGa1‑xN发射层和形成在p型AlxGa1‑xN发射层上的窄禁带半导体表面层；其中，所述窄禁带半导体表面层的材料为室温下禁带宽度≤2.3eV的半导体材料，所述p型AlxGa1‑xN发射层中x的范围为0≤x＜1。本发明的光电阴极在p型AlxGa1‑xN发射层上生长窄禁带半导体表面层，窄禁带半导体表面层原子与p型AlxGa1‑xN发射层原子以共价键形式结合，有利于改善AlxGa1‑xN材料表面能带结构，降低光电阴极表面功函数，提高电子隧穿光电阴极表面的几率。
一种光电阴极及其制备方法

[发明专利]基于III-V族材料发射极区的GeSn光电晶体管及其制造方法-CN201810924656.0有效
发明人：汪巍;方青;涂芝娟;曾友宏;蔡艳;王庆;王书晓;余明斌 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司
申请日： 2018-08-14 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种基于III‑V族材料发射极区的GeSn光电晶体管及其制造方法。所述基于III‑V族材料发射极区的GeSn光电晶体管，包括衬底以及沿垂直于所述衬底的方向依次层叠于所述衬底表面的集电极区、吸收层、基极区和发射极区；所述吸收层与所述基极区采用Ge1‑xSnx材料构成，其中，0x1；所述发射极区采用III‑V族材料构成；所述III‑V族材料与所述Ge1‑x材料。本发明使得光电晶体管有着大的光电流放大倍数和高的灵敏度，且更容易实现高的光学增益。
基于 iii 材料发射极 gesn 光电晶体管及其制造方法

[发明专利]一种可变光谱GaAlAs光电发射材料及其制备方法-CN202110110338.2在审
发明人：徐源 -专利权人：南阳理工学院
申请日： 2021-01-27 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： H01J1/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种可变光谱GaAlAs光电发射材料及其制备方法，它包括衬底，衬底的上表面生长有掺杂的AlN缓冲层，AlN缓冲层的上表面生长p型指数掺杂GaAlAs光电发射层，p型指数掺杂GaAlAs光电发射层的上表面吸附单层该结构采用梯度掺杂光电发射层，增大了发射层内光激发电子的逃逸深度，提高了发射层内电子发射到真空的几率，从而提高了GaAlAs可变光谱技术的总体量子效率，获得较高的紫外灵敏度。
一种可变光谱 gaalas 光电发射材料及其制备方法

[发明专利]电光显示器以及驱动电光显示器的方法-CN202080021421.6在审
发明人： S·K·萨伊尼斯;辛德平;R·J·小保利尼;S·J·特尔弗 -专利权人：伊英克公司
申请日： 2020-03-13 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： G02F1/167 文献下载
摘要：一种电光显示器，依次包括：透光导电材料层；双稳态电光介质层；光屏蔽材料层；多个像素电极；光电导材料层；以及一个或多个光发射器。在一个示例性实施例中，当光电导材料处于低阻抗状态时，光电导材料层适于桥接地址线和至少一个像素电极之间的间隙。在另一个非排他性实施例中，电光显示器还包括位于所述光电导材料层与所述一个或多个光发射器之间的第二电极层和适于在所述透光导电材料层与所述第二电极层之间施加电压的驱动器。
电光显示器以及驱动方法

[发明专利]指数掺杂GaN紫外光电阴极材料结构-CN201611222230.8在审
发明人：王晓辉 -专利权人：成都莹鑫海科技有限公司
申请日： 2016-12-27 - 公布日： 2018-07-03 - 主分类号： H01J1/34 文献下载
摘要：本发明提供一种指数掺杂GaN紫外光电阴极材料结构，其结构自下而上由衬底、非故意掺杂的AlN缓冲层、p型指数掺杂GaN光电发射层以及Cs或Cs/O激活层构成；其中，非故意掺杂的AlN缓冲层生长在衬底上；p型指数掺杂GaN光电发射层外延生长在前述AlN缓冲层上；Cs或Cs/O激活层吸附在p型指数掺杂GaN光电发射层的前表面上；该结构采用指数掺杂GaN光电发射层，一方面增大了发射层内光激发电子的逃逸深度，提高了发射层内电子发射到真空的几率，从而提高了GaN紫外光电阴极的总体量子效率，获得较高的紫外灵敏度。
光电发射层指数掺杂紫外光电阴极材料掺杂的发射层激活层衬底紫外光电阴极紫外灵敏度电子发射量子效率外延生长光激发前表面吸附生长

[发明专利]一种光子晶体材料及应用其的光电转换装置-CN201710427064.3有效
发明人：刘向阳;胡帆 -专利权人：厦门大学
申请日： 2017-06-08 - 公布日： 2019-05-28 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：本发明将发光物质与填充材料溶液共混，通过模板法制备出具有反蛋白石结构的增强发光型光子晶体材料，利用光子晶体结构对光发射的放大作用和光电转换装置对优选波长的发射光的较大光电转化效率，所得发光增强型光子晶体材料在遮挡光照同时具有明显的提高光电转换装置效率的作用由于本发明原料易取，实现方法简单，功能针对性强，在光电、能源领域等方面具备广泛的应用和极强的实际推广价值。
一种光子晶体材料应用光电转换装置

[实用新型]一种拉伸磷烯太赫兹光电导天线和信号发射装置-CN202221207787.5有效
发明人：吴振华;游青;陈晓行;史宗君;胡旻 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-05-19 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种拉伸磷烯太赫兹光电导天线和信号发射装置，涉及无线电设备领域，沿所述光电导天线的信号输入方向到信号输出方向依次为：第一材料层、第二材料层、磷烯层、氧化物层、衬底层和基底，所述信号发射装置包括所述光电导天线，还包括电源和飞秒激光脉冲发射器，其中，第一金属电极和第二金属电极均沉积在所述磷烯层朝向所述第二材料层的表面上，第一材料层与基底间的距离可调，电源与金属电极电性连接。通过调节第一材料层和基底间距离，来对磷烯材料做出拉伸应变，进而改变磷烯层厚度，同时利用所述信号发射装置，调节相关参数，得到影响太赫兹波辐射的因素，最终得到更大的辐射太赫兹波远场。
一种拉伸磷烯太赫兹电导天线信号发射装置