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[发明专利]基于Ga₂O₃/SiC异质结构的光电NPN晶体管及其制备方法-CN201611123675.0有效
发明人：元磊;张弘鹏;贾仁需;张玉明 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2016-12-08 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： H01L31/11 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于Ga₂O₃/SiC异质结构的光电NPN晶体管及其制备方法。该方法包括：选取SiC衬底；在所述SiC衬底表面生长同质外延层形成集电区；在所述同质外延层表面生长异质外延层并刻蚀形成基区；在所述异质外延层表面生长β‑Ga₂O₃材料并刻蚀形成发射区；在所述集电区表面生长第一金属材料形成集电极；在所述发射区表面生长第二金属材料形成发射极以最终形成所述光电NPN晶体管。本发明的NPN晶体管使用两种不同的宽禁带材料构成异质结，其禁带宽度的不同及其材料特性使得本发明光电晶体管的光电增益大幅提高，提高光电晶体管将光信号转化为电信号的能力，从而进一步提高SiC基光电晶体管的器件性能以及器件可靠性
基于 ga2o3 sic 结构光电 npn 晶体管及其制备方法

[实用新型]检测探头及电子设备-CN202121151443.2有效
发明人：丁兆彩;刘忠英;王帅 -专利权人：北京麦邦光电仪器有限公司
申请日： 2021-05-26 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： A61B5/145 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及检测探头及电子设备，该检测探头包括：第一光发射器；接收组件，所述接收组件设置在所述第一光发射器的一侧；所述接收组件，包括：第一光电探测器和第二光电探测器，所述第一光电探测器、所述第二光电探测器以及所述第一光发射器沿直线排列，所述第一光电探测器位于所述第一光发射器与所述第二光电探测器之间；所述检测探头还包括：第一滤光器，所述第一光发射器发出的光线通过所述第一滤光器后到达皮肤，并经皮肤散射后射入所述第一光电探测器和所述第二光电探测器；其中，所述第一光发射器、所述第一光电探测器与所述第二光电探测器两两之间填充有不透光材料。
检测探头电子设备

[发明专利]一种高量子效率的纳米阵列光电阴极及其制备方法-CN202011514561.5在审
发明人：沈洋;方强龙;陈亮;李依婷;谢大宝;朱华 -专利权人：中国计量大学
申请日： 2020-12-21 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H01J1/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种高量子效率的纳米阵列光电阴极及其制备方法，光电阴极包括正极、负极、指数掺杂层、绝缘层。正极为纳米条带阵列；所述正极接入电源正极，所述负极接入电源负极。其中所述指数掺杂层包括阴极发射层、保护层和基底；所述阴极发射层为纳米圆柱；阴极发射层材料为指数掺杂的In0.53Ga0.47As，保护层材料为In0.63Ga0.37As，基底材料为n型GaAs(100)基底。本发明还公开了上述光电阴极的制备方法。在本发明中通过外加强电场的方式来降低阴极的表面功函数，可以有效减少光电阴极性能的衰减。在正极与阴极发射层之间加了绝缘层，避免出现短路或者打火的现象。采用纳米柱阵列的结构，可以大幅提升阴极的电子发射能力。采用指数掺杂的方式可以大幅提升阴极的量子效率。
一种量子效率纳米阵列光电阴极及其制备方法

[发明专利]光电子器件和用于制造光电子器件的方法-CN201810554447.1有效
发明人： R.米勒;R.施陶布;C.齐赖斯 -专利权人：奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
申请日： 2018-06-01 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： H01L33/52 文献下载
摘要：本发明涉及具有反射材料的光电子器件。光电子器件具有带表面的反射材料。至少一个光电子半导体芯片嵌入到所述反射材料中，使得光电子半导体芯片的至少一个被构造用于发射电磁辐射的上侧不被所述反射材料覆盖。反射材料的表面与光电子半导体芯片的上侧平行伸展地构造并且背向光电子半导体芯片的下侧。反射材料的表面具有对比区域，其中所述反射材料在对比区域中被表面去除并且涂黑。
光电子器件用于制造方法

[发明专利]多组分、梯度掺杂GaN紫外光电阴极材料结构及其制作方法-CN201010565133.5无效
发明人：常本康;李飙;徐源;杜玉杰;王晓晖;杜晓晴 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2010-11-30 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明提供一种反射式GaN紫外光电阴极材料结构及其制作方法，其结构自下而上由衬底、非故意掺杂的AlN缓冲层、p型GaxAl1-xN多组分混晶光电发射层以及Cs或Cs/O激活层构成；其中，非故意掺杂的AlN缓冲层生长在衬底上；p型GaxAl1-xN多组分混晶光电发射层外延生长在前述AlN缓冲层上；Cs或Cs/O激活层吸附在p型GaxAl1-xN多组分混晶光电发射层的前表面上，厚度在nm数量级。该结构采用多组分和梯度掺杂光电发射层，增大了发射层内光激发电子的逃逸深度，提高了发射层内电子发射到真空的几率，从而提高了GaN紫外光电阴极的总体量子效率，获得较高的紫外灵敏度。
组分梯度掺杂 gan 紫外光电阴极材料结构及其制作方法

[实用新型]一种液压冲孔机漏冲孔自动判别装置-CN201920136515.2有效
发明人：吴雄坚 -专利权人：佛山维一自动化科技有限公司
申请日： 2019-01-27 - 公布日： 2019-12-06 - 主分类号： B21C51/00 文献下载
摘要：本实用新型通过在顶板的一侧通过第一安装块安装有光电开关发射器，且在控制箱的一侧通过第二安装块安装有与光电开关发射器相互对应的光电开关接收器，根据冲孔材料的冲孔伺进速度设置光电开关的延时时间，冲孔材料每冲孔一次，则向前伺进一次，正好与光电开关的延时时间一致，光电开关将输入的电流在发射器上转化为光信号射出，若有冲孔，发射器发出的光信号穿过冲孔，接收器接收到光信号，若无冲孔，发射器发出的光信号反弹回来，接收器无法接收到光信号
冲孔发射器光电开关控制箱光电开关发射器本实用新型接收器安装块漏冲孔延时光电开关接收器自动判别装置控制箱顶部液压冲孔机时间一致速度设置信号穿过支撑垫块四角处提示灯支撑板射出反弹转化

[发明专利]抑制光电子发射的结构设计方法-CN201810075738.2在审
发明人：王艳;曾超;周开明 -专利权人：中国工程物理研究院电子工程研究所
申请日： 2018-01-26 - 公布日： 2018-07-06 - 主分类号： G21F1/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种抑制光电子发射的结构设计方法，在原有结构件的表面涂覆低原子序数材料层。本发明指在原有结构件的表面上镀膜一定厚度的低原子序数材料来抑制光电子发射的结构设计方法，该方法能够非常有效的抑制X射线辐照系统/系统内设备结构件时在其表面发射的光电子数量，从而大幅度降低X射线在系统/设备内部产生的
光电子发射低原子序数材料结构件表面发射表面涂覆辐照系统设备结构设备内部光电子镀膜

[发明专利]显示装置-CN202011628355.7在审
发明人：卜胜龙;白种仁;徐荣奭;俞善美;李宗炫;郭珍午 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：提供了一种显示装置，所述显示装置包括：薄膜晶体管层，设置在基底上并且包括薄膜晶体管；以及发射材料层，设置在薄膜晶体管层上。发射材料层包括发光元件、光接收元件和第一隔堤，每个发光元件包括第一发光电极、发射层和第二发光电极，每个光接收元件包括第一光接收电极、光接收半导体层和第二光接收电极，第一隔堤设置在第一发光电极上并限定每个发光元件的发射区域
显示装置

[实用新型]一种滚压卷料架检测材料装置-CN202020719088.3有效
发明人：张楚龙 -专利权人：广州敏惠汽车零部件有限公司
申请日： 2020-04-30 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： G01V8/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种滚压卷料架检测材料装置，包括卷料架、第一安装架和光电传感器，卷料架具有用于安装卷料的转轴；第一安装架可拆装的设置在卷料架上，所述第一安装架具有竖直部和倾斜部，所述竖直部和倾斜部之间成夹角；光电传感器可拆装的设置在倾斜部上，光电传感器具有发射端和接收端，所述发射端和接收端均指向转轴上的卷料，光电传感器通过信号线与滚压成型机连接。本实用新型通过光电传感器检测卷料架上是否有材料。当检测到有材料时，滚压成型机正常工作；若检测到无材料时，将信号传到滚压成型机并控制滚压成型机停机。光电传感器的发射端与接收端都在倾斜板上，简化安装，在机械结构上更简便，同时也简化了电气接线。
一种压卷检测材料装置

[实用新型]用于卷装铜箔的放卷输出机构-CN201020171449.1有效
发明人：高兴元 -专利权人：建滔(佛冈)积层板有限公司
申请日： 2010-04-20 - 公布日： 2011-01-19 - 主分类号： B21C47/18 文献下载
摘要：本实用新型公开一种用于卷装铜箔的放卷输出机构，包括依次连接的放卷辊、铜箔支撑架和铜箔输出带，铜箔支撑架上设有卷出辊组，按照铜箔放卷输出方向，卷出辊组前方设有光电发射器和光电接收器，光电发射器和光电接收器分别设于铜箔支撑架的上下两侧，铜箔的卷底处设有至少一个通孔，光电发射器通过通孔与光电接收器信号连接，光电发射器和光电接收器外接控制装置。本实用新型在卷装铜箔放卷至卷底时，能较好的保证放卷输出机构及时自动停机，减少材料浪费，有效防止撕烂卷筒及污染卷出辊组等现象的发生。
用于铜箔输出机构

[发明专利]光电组件、光电布置、用于生产光学元件的方法以及用于生产光电组件的方法-CN201480060976.6有效
发明人： T.施瓦茨;F.辛格;A.林科夫;S.伊莱克;W.门希 -专利权人：奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
申请日： 2014-11-04 - 公布日： 2019-05-31 - 主分类号： H01L33/58 文献下载
摘要：本发明涉及包括具有辐射发射表面的光电半导体芯片的光电组件。光学元件被布置在所述辐射发射表面上。所述光学元件具有光散射颗粒集成到其中的材料。所集成的光散射颗粒的浓度具有梯度，所述梯度形成关于所述辐射发射表面从90°偏离的角度。
光电组件布置用于生产光学元件方法以及

[发明专利]指数掺杂GaN紫外光电阴极材料结构及其制备方法-CN201110002216.8无效
发明人：常本康;李飙;徐源;王晓晖;高频;张俊举;杜晓晴 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2011-01-07 - 公布日： 2011-06-08 - 主分类号： H01J1/38 文献下载
摘要：本发明提供一种指数掺杂GaN紫外光电阴极材料结构及其制备方法，其结构自下而上由衬底、非故意掺杂的AlN缓冲层、p型指数掺杂GaN光电发射层以及Cs或Cs/O激活层构成；其中，非故意掺杂的AlN缓冲层生长在衬底上；p型指数掺杂GaN光电发射层外延生长在前述AlN缓冲层上；Cs或Cs/O激活层吸附在p型指数掺杂GaN光电发射层的前表面上。该结构采用指数掺杂GaN光电发射层，一方面增大了发射层内光激发电子的逃逸深度，提高了发射层内电子发射到真空的几率，从而提高了GaN紫外光电阴极的总体量子效率，获得较高的紫外灵敏度；另一方面由于指数函数在工程技术领域的广泛应用，采用指数掺杂结构GaN发射层更便于理论设计、理论仿真和数据优化。
指数掺杂 gan 紫外光电阴极材料结构及其制备方法

[实用新型]激光感应靶-CN200820172146.4有效
发明人：薛瑞笙;曹立军;杨洪珣 -专利权人：威海市胜邦机械有限公司
申请日： 2008-09-23 - 公布日： 2009-08-12 - 主分类号： F41J5/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种激光感应靶，属于光电感应技术领域。设有方形靶面，方形靶面一个边相邻的两个角上分别固定有一个可发射一字型激光束的激光发射管，方形靶面的其余三个边上均匀排布有光电检测二极管，光电检测二极管与复杂可编程逻辑器件连接，通过计算分析确定子弹阻断的检测光电二极管靶面四边安装有角形防护罩，在防护罩和靶体间设有EVA材料缓冲层，光电检测二极管及激光发射管位于EVA材料下方，防护罩内设有震动传感器。
激光感应

[实用新型]激光感应自动靶-CN200820172144.5有效
发明人：薛瑞笙;曹立军;杨洪珣 -专利权人：威海市胜邦机械有限公司
申请日： 2008-09-23 - 公布日： 2009-08-12 - 主分类号： F41J5/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种激光感应自动靶，属于光电感应技术领域。设有方形靶面，方形靶面相对的两个角上分别固定有一个可发射一字型激光束的激光发射管，方形靶面的四个边上均匀排布有光电检测二极管，光电检测二极管与复杂可编程逻辑器件连接，通过计算分析确定子弹阻断的检测光电二极管靶面四边安装有角形防护罩，在防护罩和靶体间设有EVA材料缓冲层，光电检测二极管及激光发射管位于EVA材料下方，防护罩内设有震动传感器。
激光感应自动

[发明专利]一种用于探索高效率光阴极材料的光发射阴极测试系统-CN201410048153.3无效
发明人：曹高龙;马超;田焕芳;张明;孙帅帅;李建奇 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2014-02-12 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： G01N23/22 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于探索高效率光阴极材料的光发射阴极测试系统，包括光发射电子枪、电子加速装置、高真空腔体、探测器、激光器和真空设备；所述光发射电子枪包含光发射阴极，用于被所述激光器产生的激光辐射后，所述光发射阴级被激发出光电子；所述电子加速装置用于对所述光电子进行加速；所述光发射电子枪和电子加速装置置于所述高真空腔体内；所述真空设备用于使所述高真空腔体保持高真空度；所述探测器用于接收并分析发射出的光电子的亮度、单色性、相干性等特性本发明能细致地评估光发射阴极的性能参数，从而为提高阴极的光发射性能，改善光阴极的使用寿命，寻找性能优异的光发射材料提供依据。
一种用于探索高效率阴极材料发射测试系统