[发明专利]基于衬底剥离的透射式AlGaN紫外光电阴极制备方法有效
| 申请号： | 201811009797.6 | 申请日： | 2018-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN109256305B | 公开（公告）日： | 2021-03-23 |
| 发明（设计）人： | 罗伟科;李忠辉;陈鑫龙 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01J9/12 | 分类号： | H01J9/12;H01J1/34 |
| 代理公司： | 南京君陶专利商标代理有限公司 32215 | 代理人： | 沈根水 |
| 地址： | 210016 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于衬底剥离的透射式AlGaN紫外光电阴极制备方法，包括如下步骤：1）准备材料；2）依次进行高温烘烤、成核层生长、高质量GaN剥离层生长；3）生长p型Mg掺杂的高铝组分AlGaN光电发射层；4）在AlGaN表面键合石英窗口材料；5）利用激光分解技术将GaN层彻底分解，剥离衬底；6）AlGaN表面进行Cs或者Cs/O层激活。优点：1）采用GaN代替AlN作为紫外光电阴极缓冲层，降低了缓冲层生长难度，提高了p型AlGaN发射层的晶体质量，有利于制备更高灵敏度的光电阴极；2）采用缓冲层激光分解技术，充分分解GaN层，实现衬底剥离，可以避免衬底和缓冲层对紫外入射光线的吸收，保证了光电发射层对紫外光线的高效探测；3）激光剥离的衬底可以重复使用，经济节约。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 衬底 剥离 透射 algan 紫外 光电 阴极 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于衬底剥离的透射式AlGaN紫外光电阴极制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1）准备材料：取一生长氮化物的衬底；2）生长GaN剥离层：将衬底转移入MOCVD系统，对衬底依次进行高温烘烤、成核层生长、高质量GaN剥离层生长；3）生长p‑AlGaN发射层：在高质量GaN缓冲层上，生长p型Mg掺杂的高铝组分AlGaN光电发射层；4）石英窗口正面键合：将步骤3的外延材料转移出MOCVD系统，清洗表面，在AlGaN表面键合石英窗口材料；5）衬底剥离：将步骤4的材料转移入激光剥离设备中，利用激光分解技术将GaN层彻底分解，剥离衬底；6）Cs或Cs/O层激活：石英窗口为背面，AlGaN为正表面，利用化学清洗和高能电子束轰击去除阴极材料表面的吸附物，将AlGaN光电阴极材料转移入超高真空系统中，在AlGaN表面进行Cs或者Cs/O层激活。
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