“光电发射材料”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果2700412个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种红外光电对管开路故障在线检测方法-CN201310033519.5有效
发明人：李毅;刘强;陈计信;向方云;魏庆华 -专利权人：重庆市智能水表有限责任公司
申请日： 2013-01-29 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： G01R31/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种红外光电对管开路故障在线检测方法，包括检测接收管是否开路的步骤和检测发射管是否开路的步骤；其利用接收管的寄生电容、发射管通电发光等半导体材料特性，通过单片机嵌入式软件编程控制，达到检测红外光电对管是否开路的目的在抄表前采用该方法对红外光电对管的接收管、发射管是否开路进行检测，从而为电子读数的纠错提供信息，最大程度保证机、电读数一致，避免出现计量纠纷。
一种红外光电开路故障在线检测方法

[发明专利]一种光电子能谱分析设备及使用该设备的方法-CN200680035806.8有效
发明人： B·W·许勒尔;D·A·雷德 -专利权人：瑞沃瑞公司
申请日： 2006-09-08 - 公布日： 2008-09-24 - 主分类号： G01J3/42 文献下载
摘要：该系统可以包括围绕室的室壁；被设置在所述室中的衬底支架，用于支撑衬底；电磁放射源，用于发射电磁放射线至衬底支架上的衬底上，所述电磁放射线使光电子从所述衬底上的材料被发射出来；分析器，用于捕获从衬底发射出来的光电子；以及磁场发生器，用于在所述室中创建磁场并将所述光电子从所述衬底引到所述分析器。
一种光电子谱分析设备使用方法

[发明专利]使用相变材料对瞬时热负荷进行热电冷却和/或适度控制-CN200580035771.3无效
发明人：乌坦·戈沙尔 -专利权人：纳诺库勒斯公司
申请日： 2005-10-21 - 公布日： 2008-03-26 - 主分类号： F25B21/02 文献下载
摘要：本文描述和说明的技术可允许产生剧烈的高度局部化但瞬时热通量的一类光电发射装置配置和/或用途具有较高光通量和/或较长的寿命。已发现，通过将一定量的适当相变材料定位成热学上紧密接近此类光电发射装置，可将大量所产生的热通量“吸收”进所述相变材料的相转变中。在某些配置中，结合所述相变材料而采用热电物。类似配置可用于光敏装置。所述热电物可与所述光电发射装置或光敏装置的操作大体上同步地瞬时操作，以在需要时和需要之处提供极高密度的局部冷却。
使用相变材料瞬时负荷进行热电冷却适度控制

[发明专利]基于低功函数复合纳米材料的光致热电子发射源及其制备方法-CN201710551522.4在审
发明人：戴庆;李驰;白冰;李振军;陈科 -专利权人：国家纳米科学中心
申请日： 2017-07-07 - 公布日： 2017-12-01 - 主分类号： H01J1/13 文献下载
摘要：本发明提供了一种能够提高光致热电子发射源的电子发射效率的基于低功函数热电子发射材料薄膜和光热材料相结合的复合纳米材料光致热电子发射源器件及其制备方法，所述光致热电子发射源包括阴极电极，在阴极电极上制备的光电转换材料层，和覆盖在光热转换材料表面的低功函数热电子发射材料薄膜；将低功函数热电子发射材料薄膜和光热转换材料相结合，既利用了低功函数热电子发射材料薄膜优良的热电子发射性能，又利用了碳纳米管、贵金属纳米颗粒等材料优良的光热转换效率，两种材料通过间接加热的方式实现了两者的优势互补，克服了现有光致热电子源的所需入射光功率高、亮度低等技术缺点。
基于函数复合纳米材料光致热电子发射及其制备方法

[实用新型]对射式光电开关-CN201921525381.X有效
发明人：孙鹏飞 -专利权人：亿光电子(中国)有限公司
申请日： 2019-09-12 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： H03K17/94 文献下载
摘要：本实用新型提出一种对射式光电开关，该对射式光电开关包括壳体、发射器和接收器。壳体，包括第一壳体和第二壳体，第一壳体与第二壳体相对设置。发射器，设于第一壳体中，用于发射红外光。接收器，设于第二壳体中，用于接收发射器发射的红外光。其中，第一壳体具有红外光出光面，第二壳体具有红外光收光面，红外光出光面和红外光收光面由选择性滤光材料制成，选择性滤光材料可阻挡可见光而使红外光通过，且红外光出光面和红外光收光面上没有开口。
对射光电开关

[发明专利]阵列式红外线光电管循环放大元件-CN201910311343.2在审
发明人：黎伟雄;黎丝蕾;汤华兴;汤舒珺 -专利权人：黎伟雄
申请日： 2019-04-18 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： G01J1/44 文献下载
摘要：阵列式红外线光电管循环放大元件，属于电子元件的技术领域，用于检测红外线等。应用红外线光电管管脚并联连接，构成阵列式循环放大元件，以NPN和PNP两种放大系数测量方式，检测到光电管材料微观电子运动的电学参数，是8只红外线光电管管脚并联组成阵列式放大元件，结构组成是每只光电管发射极（E）与集电极（C）并联，基极（B）与基极（B）并联相接，测量电表以NPN方式，C端接入阵列式放大元件并联相接的发射极（E）与集电极（C）端；E端与元件基极（B）相接，测量放大系数h值，阵列式红外线光电管，有效改善光电材料的能带宽度，放大系数h值有明显提高，灵敏度近似于异质结型晶体光电管。
阵列式放大元件红外线光电管并联相接放大系数集电极红外线放大系数测量光电管发射极光电管材料应用红外线并联连接并联组成测量电表电学参数电子运动光电材料结构组成异质结型元件基极发射极光电管灵敏度并联检测近似测量微观

[实用新型]阵列式红外线光电管循环放大元件-CN201920526145.3有效
发明人：黎伟雄;黎丝蕾;汤华兴;汤舒珺 -专利权人：黎伟雄
申请日： 2019-04-18 - 公布日： 2019-11-15 - 主分类号： G01J1/44 文献下载
摘要：阵列式红外线光电管循环放大元件，属于电子元件的技术领域，用于检测红外线等。应用红外线光电管管脚并联连接，构成阵列式循环放大元件，以NPN和PNP两种放大系数测量方式，检测到光电管材料微观电子运动的电学参数，是8只红外线光电管管脚并联组成阵列式放大元件，结构组成是每只光电管发射极（E）与集电极（C）并联，基极（B）与基极（B）并联相接，测量电表以NPN方式，C端接入阵列式放大元件并联相接的发射极（E）与集电极（C）端；E端与元件基极（B）相接，测量放大系数h值，阵列式红外线光电管，有效改善光电材料的能带宽度，放大系数h值有明显提高，灵敏度近似于异质结型晶体光电管。
阵列式放大元件红外线光电管并联相接放大系数集电极红外线放大系数测量光电管发射极光电管材料应用红外线并联连接并联组成测量电表电学参数电子运动光电材料结构组成异质结型元件基极灵敏度发射极光电管检测并联近似测量微观

[发明专利]发光光电装置-CN201611189825.8有效
发明人：伊万-克里斯托弗·罗宾;休伯特·博诺;约安·德斯埃尔斯 -专利权人：原子能和替代能源委员会
申请日： 2016-12-21 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： H01L33/24 文献下载
摘要：本发明涉及发光光电装置(1)，包括：‑具有发射表面(44)的、能够发射称作“激励光辐射”的光辐射的至少一个电致发光二极管(40)；和‑覆盖发射表面(44)的光致发光材料(31)，其包括适于将穿过发射表面该装置包括与电致发光二极管(40)相邻的至少一个光电二极管(50)，其具有被光致发光材料(31)覆盖的接收表面(54)，并适于检测穿过接收表面的激励辐射和/或来自光致发光材料(31)的光致发光辐射的至少一部分
发光光电装置

[发明专利]一种GaN基紫外探测材料与器件的制备方法-CN201611230345.1在审
发明人：王晓辉 -专利权人：成都莹鑫海科技有限公司
申请日： 2016-12-28 - 公布日： 2018-07-06 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明一种GaN基紫外探测材料与器件的制备方法，采用Al组分和掺杂浓度由体内向表面逐渐降低的变组分变掺杂方法，形成从内到外的可变能带结构；通过控制内部的Al组分含量、掺杂浓度与光电发射层厚度，将Ga1‑xAlxN禁带宽度从6.2 eV平滑过渡到3.9 eV，最终获得截止波长315 nm，在VUV～UVB波段具有高量子效率、完全“日盲”的高性能Ga1‑xAlxN光电发射材料及器件。
紫外探测材料掺杂制备光电发射材料高量子效率光电发射层截止波长能带结构平滑过渡逐渐降低可变禁带日盲体内

[实用新型]一种车架生产用的高精度高抗损模具导向装置-CN201720829055.2有效
发明人：马永升 -专利权人：曲靖重型机械制造有限公司
申请日： 2017-07-10 - 公布日： 2018-04-03 - 主分类号： B21D37/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种车架生产用的高精度高抗损模具导向装置，包括上模座、下模座、导套、导柱，在导套与导柱上设置有激光定位装置，激光定位装置包括激光发射装置、光电位置传感器和控制装置，导套的套壁中设置有激光发射装置安装孔，激光发射装置安装孔中安装有激光发射装置，所述激光发射装置通过导线与电源连接，下模座顶部的导柱上设置有圆台，圆台的顶端设置有光电位置传感器安装槽，光电位置传感器安装槽中安装有与激光发射装置相对应的光电位置传感器，所述光电位置传感器与控制装置连接，该装置能确保工作人员随时监控导柱和导套的间隙公差，在第一时间做出调整，防止生产出不合格的产品，导致原材料的浪费，增加生产成本。
一种车架生产高精度高抗损模具导向装置

[发明专利]一种光-电激励电子发射的原位表征方法及装置-CN201811572336.X有效
发明人：沈岩;邓少芝;陈焕君;许宁生;陈军;佘峻聪 -专利权人：中山大学
申请日： 2018-12-21 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： G01N21/65 文献下载
摘要：本发明公开了一种光‑电激励电子发射的原位表征方法。在高分辨电子显微镜的真空腔体内，采用微纳探针电极作为原位电场激励引入部件，采用光学聚焦结构作为原位光场激励引入部件。在电子发射过程中，采用高分辨电子显微镜、拉曼光谱仪、光电子发射/场发射显微镜和电子发射能谱仪原位分析材料的实时形貌、结构、物质组成和温度，以及电子发射的空间及能量分布。还公开了一种光‑电激励电子发射的原位表征装置，包括高分辨电子显微镜、原位探针电学测试结构、光场聚焦结构、拉曼光谱仪、光电子发射/场发射显微镜和电子发射能谱仪；本发明技术能够在光场激励，以及光‑电场共同激励下，原位测量纳米结构材料的电子发射过程和物理特性。
一种激励电子发射原位表征方法装置

[发明专利]一体化反射式方向阵列感应封装结构以及侦测模块-CN201911337467.4在审
发明人：胡自立;何细雄;王卫国 -专利权人：深圳成光兴光电技术股份有限公司
申请日： 2019-12-23 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： H01L23/29 文献下载
摘要：本发明的封装结构，其光电接收管晶片以及发射管晶片均固定在PCB支架的安装座上，光电接收管晶片以及发射管晶片通过导线与PCB支架上的引脚电连接。封装胶体将光电接收管晶片、发射管晶片以及部分PCB支架封装在一起，从而实现了发射管晶片以及光电接收管晶片的集成化封装。可见，本发明的集成化结构能避免外部PCB连接线路带来的干扰问题，抗干扰能力强。并且，相比于现有的连接电路，本发明的封装结构节省了空间，节省了材料，可以将侦测模块做得更小型化。
一体化反射方向阵列感应封装结构以及侦测模块

[发明专利]双波长化合物结构分析仪-CN201410230717.5在审
发明人：储冬红;彭飞;郭睦庚;严方园 -专利权人：成都中远千叶科技有限公司
申请日： 2014-05-28 - 公布日： 2014-09-03 - 主分类号： G01N21/31 文献下载
摘要：双波长化合物结构分析仪，其特征在于，主要包括：第一光源装置，第二光源装置，光束分离装置，进样装置，第一检测装置，第二检测装置，光束信号分析装置，检测结果显示装置，其中，第一光源装置含有离子光束发射电极，该电极材料为氧化镉钆，第二光源装置含有高能光束发射电极,该电极材料为氧化钐铒，光束分离装置含有十二棱透射光栅，该光栅表面覆盖有厚度为5.98um的八硫化钕酸锆复合透光膜，第一检测装置含有光电管，光电管阴极材料含有十二硫酸钡鐽氯化锇纳米复合薄膜，第二检测装置含有光电倍增管，其阴极材料表面含有偏溴酸钪氧化铬锆纳米复合薄膜。
波长化合物结构分析

[实用新型]一种光电采样遮光罩和光电采样装置-CN202121426540.8有效
发明人：刘青;汉业朗;张燕斌;邹航 -专利权人：浙江威星智能仪表股份有限公司
申请日： 2021-06-25 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： G01F1/56 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种光电采样遮光罩和光电采样装置，其中光电采样遮光罩包括遮光面及自遮光面边缘向一侧延伸出的环形围襟，遮光面上设有至少一个光通孔，并于背离所述环形围襟的一侧表面设有环绕光通孔设置的环形凸缘，所述环形凸缘由柔性材料制成；光电采样装置包括光电采样遮光罩，以及配置与电路板上的光电发射接收单元，且其在电路板上的位置与光电采样遮光罩上光通孔的位置相对应，当光电采样遮光罩与电路板组装时，环形凸缘环绕并遮蔽所述光电发射接收单元遮蔽外界光线，降低了环境光线对计量表光电采样的影响，整个光通路不受外部光线干扰。
一种光电采样遮光装置

[发明专利]基于GeSn材料的光电晶体管及其制作方法-CN201610117685.7有效
发明人：韩根全;王轶博;张春福;汪银花;张进成;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2016-03-02 - 公布日： 2017-10-24 - 主分类号： H01L31/028 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于GeSn材料的光电晶体管及其制作方法，解决现有III‑V族中红外光电探测器件难以硅基集成和IV族硅、锗探测器探测范围窄的问题。本发明晶体管的集电极区、光吸收区、基极区、发射极区均采用IV族GeSn合金。衬底、集电极区、光吸收区、基极区、发射极区依次竖直分布，保护层包裹在集电极区、光吸收区、基极区、发射极区外围。本发明通过采用具有带隙、高光吸收系数的GeSn材料，有着比Ge探测器更广的中红外探测范围，具有高的光灵敏度和光电流。
基于 gesn 材料光电晶体管及其制作方法