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[发明专利]一种颜色转换层及其制备方法和应用-CN202110432255.5有效
发明人：刘召军;林永红;刘亚莹;蒋府龙;刘时彪 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2021-04-21 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明提供一种颜色转换层及其制备方法和应用。所述制备方法包括如下步骤：(1)在基底的任意一面，经喷墨打印后固化，得到黑色矩阵；(2)在步骤(1)得到的黑色矩阵的空隙，经喷墨打印后固化制备量子点发光矩阵，得到所述颜色转换层；所述黑色矩阵由黑色单元组成；所述量子点发光矩阵由量子点发光单元组成；所述量子点发光单元镶嵌于相邻2个黑色单元之间。本发明采用喷墨打印的方法制备得到的颜色转换层对蓝光具有较低的透过率，从而可以较高的颜色转换效率，且本发明提供的颜色转换层的制备方法简单，生产成本较低，适于颜色转换层的工业化生产。
一种颜色转换及其制备方法应用

[发明专利]纳米柱的制备方法和纳米柱LED器件的制备方法-CN202010354234.1有效
发明人：刘召军;蒋府龙;李四龙 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2020-04-29 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种纳米柱的制备方法和纳米柱LED器件的制备方法。该纳米柱的制备方法包括：在LED晶片的上表面蒸镀第一金属层和第二金属层，其中，LED晶片包括p型GaN层、量子阱有源层、n型GaN层和衬底，其中p型GaN层的上表面作为LED晶片的上表面，p型GaN层的下表面与量子阱有源层的上表面接触，量子阱有源层的下表面与n型GaN层的上表面接触，n型GaN层的下表面和衬底的上表面接触；对蒸镀有第一金属层和第二金属层的LED晶片进行热退火处理以形成多个掩膜，掩膜与p型GaN层形成欧姆接触；通过掩膜对LED晶片的p型GaN层、量子阱有源层和n型GaN层进行刻蚀形成多个LED纳米柱，LED纳米柱的两端用于与电极连接。达到提高纳米LED的P型欧姆接触性能的效果。
纳米制备方法 led 器件

[发明专利]纳米柱的制备方法和纳米柱LED器件的制备方法-CN202010354230.3有效
发明人：刘召军;蒋府龙;李四龙 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2020-04-29 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种纳米柱的制备方法和纳米柱LED器件的制备方法。该纳米柱的制备方法包括：在LED晶片的上表面蒸镀第一薄膜，其中，LED晶片包括p型GaN层、量子阱有源层、n型GaN层和衬底；对蒸镀有第一薄膜的LED晶片进行热退火处理，以使第一薄膜与p型GaN层形成欧姆接触；在第一薄膜的上表面沉积第二薄膜，第二薄膜的下表面与第一薄膜接触；在第二薄膜的上表面制备多个辅助纳米图形；通过辅助纳米图形对第二薄膜进行刻蚀以形成多个掩膜；通过掩膜对第一薄膜、p型GaN层、量子阱有源层和n型GaN层进行刻蚀形成多个LED纳米柱，LED纳米柱的两端用于与电极连接。达到提高纳米LED的P型欧姆接触性能的效果。
纳米制备方法 led 器件

[发明专利]一种纳米环的制备方法-CN202010317602.5有效
发明人：刘召军;蒋府龙;李四龙 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2020-04-21 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： B81B7/04 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种纳米环的制备方法。该方法包括：在氮化镓基外延衬底上沉积出氧化膜；在所述氧化膜的表面旋涂光刻胶；基于具有预设图案的掩膜版对所述光刻胶进行曝光显影以将所述光刻胶图案化，所述图案化的光刻胶包括呈阵列排布在所述氧化膜上的多个纳米级环状凸起；基于所述图案化的光刻胶对所述氧化膜进行刻蚀以将所述氧化膜图案化，所述图案化的氧化膜包括呈阵列排布在所述氮化镓基外延衬底的多个纳米级环状凸起。本发明实施例实现了简单、低成本的制备氮化镓基纳米环。
一种纳米制备方法

[发明专利]用于光刻工艺的定位方法及定位标识-CN202010895384.3有效
发明人：刘召军;蒋府龙;刘亚莹 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2020-08-31 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种用于光刻工艺的定位方法及定位标识，所述方法包括：获取第一光罩制程形成的第一定位标识，第一定位标识包括相互平行的第一侧边和第二侧边；获取第二光罩制程形成的第二定位标识，第二定位标识包括第三侧边和第四侧边，第三侧边和第一侧边平行，第四侧边和第二侧边相交的角度小于45度；根据第四侧边和第二侧边的相交角度和相交位置确定第三侧边和第一侧边之间的偏差。本发明通过比对第一定位标识和第二定位标识，利用两层定位标识的相交关系放大光刻图形在一个方向上的偏移量，解决了由于人眼极限和设备对准精度局限导致不能精准对半导体器件进行定位的技术问题，实现了智能提高光刻定位精度的技术效果。
用于光刻工艺定位方法标识

[外观设计]带支架的显示器-CN202130360864.5有效
发明人：刘召军;张胡梦圆;刘亚莹;蒋府龙 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2021-06-10 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： 14-02 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：带支架的显示器。2.本外观设计产品的用途：用于图像显示。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。
支架显示器

[发明专利]Micro-LED显示面板及其的制备方法和显示装置-CN202111038557.0在审
发明人：刘召军;蒋府龙;刘亚莹;林永红;张胡梦圆 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2021-09-06 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明公开了一种Micro‑LED显示面板及其的制备方法和显示装置，该方法包括以下步骤：提供一衬底，衬底包括相对设置的第一表面和第二表面，在衬底的第一表面上生长LED外延结构；其中，LED外延结构沿第二表面指向第一表面的方向上，依次层叠设置有第一半导体层、发光有源层和第二半导体层；刻蚀LED外延结构，形成多个LED柱；每个LED柱与衬底之间的夹角相同均为大于0度且小于90度；倒置LED柱和衬底，置于驱动基板上；向衬底施加沿第二表面垂直指向第一表面的方向的力，剥离衬底，使LED柱转移至驱动基板上；形成与第二半导体层对应的第一电极，以及与第一半导体层对应的第二电极，形成Micro‑LED显示面板，以实现Micro‑LED的巨量转移。
micro led 显示面板及其制备方法显示装置

[实用新型]一种降低像素光学串扰的Micro-LED显示器件-CN202121411334.X有效
发明人：刘召军;杨彪;刘亚莹;林永红;蒋府龙 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2021-06-23 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本申请公开了一种降低像素光学串扰的Micro‑LED显示器件，该器件包括阵列基板、发光结构和薄膜单元；发光结构包括多个Micro‑LED发光元件，Micro‑LED发光元件与阵列基板绑定连接；发光结构包括氮化镓基外延层，氮化镓基外延层包括基底和发光功能层；薄膜单元在基底所在平面上的垂直投影覆盖Micro‑LED发光元件在基底所在平面上的垂直投影；其中，薄膜单元包括多个薄膜；沿Micro‑LED发光元件的出光方向，第一薄膜位于薄膜单元中最靠近Micro‑LED发光元件的位置，第一薄膜的折射率大于所述基底的折射率；沿Micro‑LED发光元件的出光方向，薄膜的折射率由近及远递增。
一种降低像素光学 micro led 显示器件

[发明专利]一种Micro-LED芯片的巨量转移方法-CN202111051684.4在审
发明人：刘召军;容沃铖;罗冰清;李嘉怡;蒋府龙;刘亚莹 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2021-09-08 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种Micro‑LED芯片的巨量转移方法，包括：提供一蓝宝石衬底，在蓝宝石衬底上形成LED芯片阵列；在LED芯片阵列的第一表面黏附蓝膜并去除蓝宝石衬底；拉伸蓝膜以使LED芯片阵列中的芯片间距达到预设距离；通过超分辨率PDMS印章吸附LED芯片阵列的第二表面并去除蓝膜，其中，超分辨率PDMS印章吸附LED芯片阵列的区域包括由多个孔洞组成的孔洞阵列，孔洞的尺寸小于LED芯片阵列的芯片尺寸，孔洞阵列的孔洞密度大于LED芯片阵列的芯片密度；移动超分辨率PDMS印章至驱动基板后剥离超分辨率PDMS印章，以使LED芯片阵列转移至驱动基板。本发明实施例在印章吸附LED芯片时无需对准，即简化了操作，又加快了转移速度，进而提高转移效率和精确性。
一种 micro led 芯片巨量转移方法

[发明专利]一种高效制备Micro-LED芯片的方法和系统-CN202110702704.3在审
发明人：刘召军;杨彪;蒋府龙;刘亚莹 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2021-06-23 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种高效制备Micro‑LED芯片的方法和系统，该方法包括：提供氮化镓基外延片；采用飞秒激光束在氮化镓基外延片上制备台面阵列，台面阵列包括多个台面结构；在台面结构上部制备电流扩散层，电流扩散层与P型氮化镓层接触；在电流扩散层上部制备第一电极，在相邻两个台面结构之间制备第二电极，第一电极与电流扩散层接触，第二电极与N型氮化镓层接触。本发明实施例提供的高效制备Micro‑LED芯片的方法，采用飞秒激光加工技术代替传统micro‑LED的台面制备技术，能够极大减少传统制备工艺步骤，提高制备效率和降低工艺复杂度；同时能够获得具有较高台面侧壁陡直度的高分辨率Micro‑LED器件。
一种高效制备 micro led 芯片方法系统

[发明专利]一种黑色矩阵的制备方法-CN202110699716.5在审
发明人：刘召军;蒋府龙;林永红;刘亚莹 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2021-06-23 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种黑色矩阵的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：(1)在第一基底上依次沉积第二基底和光刻胶；(2)将光刻胶划分为曝光区和非曝光区，将曝光区的光刻胶进行曝光和显影；(3)再以非曝光区的光刻胶为掩蔽层，对曝光区的第二基底进行刻蚀，刻蚀完成后，去除非曝光区的残余光刻胶；(4)然后在第二基底表面涂覆黑色光刻胶；(5)对上述样品进行刻蚀，使样品表面暴露出非曝光区的第二基底；(6)再用溶剂溶解非曝光区的第二基底，得到所述黑色矩阵。本发明所述制备方法工艺简单，理论上可制备任意深宽比、微米级线宽的黑色矩阵。
一种黑色矩阵制备方法

[发明专利]一种黑色矩阵的制备方法-CN202110699887.8在审
发明人：刘召军;林永红;蒋府龙;刘亚莹 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2021-06-23 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： G09F9/33 文献下载
摘要：本发明涉及一种黑色矩阵的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：(1)在基底上依次涂覆黑色聚合物和光刻胶；(2)将光刻胶划分为曝光区和非曝光区，并将曝光区的光刻胶进行曝光和显影；(3)再将步骤(2)所得样品表面镀抗刻蚀的金属层；(4)然后将非曝光区的光刻胶和金属层剥离；(5)最后刻蚀非曝光区的黑色聚合物，得到所述黑色矩阵。本发明所述制备方法可大面积制备高深宽比的黑色矩阵，工艺简单，可行性高。
一种黑色矩阵制备方法

[发明专利]一种立体显示装置-CN202110699717.X在审
发明人：刘召军;陈富豪;刘亚莹;蒋府龙 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2021-06-23 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： G02B30/27 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种立体显示装置，包括：显示模块、人眼追踪模块和计算模块；人眼追踪模块用于采集人眼位置信息；计算模块分别与人眼追踪模块和显示模块通信连接，用于接收人眼位置信息，并根据人眼位置信息和显示模块的位置信息确定显示视域；计算模块还用于根据显示视域确定显示模块的出射信息；显示模块用于根据出射信息出射。本发明实施例通过保证大的观看视角，不受单一观看距离限制的前提下，合理设置显示视域的数量，保证立体影像的显示效果。
一种立体显示装置

[发明专利]一种Micro-LED显示器件及其制备方法-CN202110700096.2在审
发明人：刘召军;杨彪;刘亚莹;林永红;蒋府龙 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2021-06-23 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本申请公开了一种Micro‑LED显示器件及其制备方法，Micro‑LED显示器件包括阵列基板、发光结构和薄膜单元；发光结构包括多个Micro‑LED发光元件，Micro‑LED发光元件与阵列基板绑定连接；发光结构包括氮化镓基外延层，氮化镓基外延层包括基底和发光功能层；薄膜单元在基底所在平面上的垂直投影覆盖Micro‑LED发光元件在基底所在平面上的垂直投影；其中，薄膜单元包括多个薄膜；沿Micro‑LED发光元件的出光方向，第一薄膜位于薄膜单元中最靠近Micro‑LED发光元件的位置，第一薄膜的折射率大于所述基底的折射率；沿Micro‑LED发光元件的出光方向，薄膜的折射率由近及远递增。本申请提供的Micro‑LED显示器件，利用折射率渐变的薄膜对光束进行几何调控，能够有效降低Micro‑LED器件相邻、相近像素间的光学串扰，进而提高器件的显示对比度。
一种 micro led 显示器件及其制备方法

[发明专利]一种Micro-LED器件的制备方法及Micro-LED器件-CN202010542773.8在审
发明人：刘召军;蒋府龙;刘亚莹;李四龙;吴国才 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2020-06-15 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种Micro‑LED器件的制备方法及Micro‑LED器件，其中制备方法包括：形成外延层，外延层包括设置在衬底上的第一N型半导体层、第二N型半导体层、量子阱层、P型半导体层和电流扩展层；通过等离子体对外延层进行处理；形成同族界面层，同族界面层覆盖第二N型半导体层、量子阱层、P型半导体层和电流扩展层的侧表面，以及电流扩展层和第一N型半导体层上表面的非电极区域；形成电极，电极覆盖电流扩展层和第一N型半导体层上表面的电极区域。本发明实施例提供的技术方案降低了侧壁表面态的形成，降低了器件表面缺陷密度，从而提高了器件发光效率，保证了器件工作特性。
一种 micro led 器件制备方法

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