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[发明专利]一种纳米栅结构及其制备方法和应用-CN202011269807.7在审
发明人：贾海强;唐先胜;陈弘 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2020-11-13 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种纳米栅结构，所述纳米栅结构包括晶圆(1)及在晶圆上水平相间排列的第一介质隔离层(3C)与第二介质隔离层(4C)和第三介质隔离层(5C)以及第四介质隔离层(6)形成第一复合介质隔离层、纳米栅(10)、第一介质隔离层(3C)以及第二介质隔离层(4B)形成的第二复合介质隔离层、纳米栅(10)、第五介质隔离层(7B)、纳米栅(10)、第五介质隔离层(7A)与第六介质隔离层(8C)以及第七介质隔离层(9)形成的第三复合隔离层，还提供了其制备方法和应用。
一种纳米结构及其制备方法应用

[发明专利]提高化学机械平坦化工艺均匀性的方法-CN201210112494.3有效
发明人：杨涛;赵超;李俊峰;侯瑞兵;卢一泓;崔虎山 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-04-16 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：本发明提供了一种提高化学机械平坦化工艺均匀性的方法，包括以下步骤：在衬底上形成特征；在特征之间形成第一介质隔离层；平坦化第一介质隔离层，直至暴露特征，使得特征之间的第一介质隔离层具有凹陷深度；在特征以及介质隔离层上形成第二介质隔离层，降低特征之间与特征顶部第二介质隔离层的高度差；平坦化第二介质隔离层，直至暴露特征。依照本发明的提高化学机械平坦化工艺均匀性的方法，在研磨特征顶部的介质隔离层之后再次形成介质隔离层，使得特征之间与特征顶部介质层高度差有效降低，并补偿了特征的凹陷，有效提高了晶圆芯片内部的均匀性。
提高化学机械平坦化工均匀方法

[实用新型]空气介质隔离层、副水箱及车辆-CN201820963569.1有效
发明人：刘金波;苏朝霞;王旭东;卢明哲 -专利权人：北汽福田汽车股份有限公司
申请日： 2018-06-21 - 公布日： 2019-03-22 - 主分类号： F01P11/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种空气介质隔离层、副水箱及车辆，该空气介质隔离层包括若干个平行设置的隔热管，隔热管内部限定出空气介质隔离腔，隔热管的两端与外界空气连通。这样，在将该将空气介质隔离层覆盖在待隔热体(例如副水箱)上后，当热量从副水箱传递至空气介质隔离层时，由于空气的导热性能差，从而能够起到隔热效果，减少传递至空气介质隔离层的外表面(人手可触及的表面)的热量另外，空气受热在空气介质隔离腔中流动，能够带走部分热量，产生热散失，从而能够进一步减少最终传递至空气介质隔离层的外表面的热量，使得空气介质隔离层的外表面的温度始终维持在一个较低的值，防止出现因副水箱的外表面的温度过高而烫伤操作人员的情况
空气介质隔离层副水箱隔热管隔离腔传递外界空气连通本实用新型导热性能隔热效果平行设置温度过高受热隔热体可触及热散失烫伤人手覆盖流动

[发明专利]半导体器件及其制备方法、系统-CN202210614790.7在审
发明人：张红;刘沙沙;毛晓明;高晶;霍宗亮 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-05-31 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L27/11556 文献下载
摘要：制备半导体器件的方法包括：形成第一叠层结构，所述第一叠层结构包括核心区和切割区；在所述第一叠层结构上形成介质隔离层，并在所述介质隔离层的与所述核心区对应的部分中形成扩孔凹槽；形成贯穿所述第一叠层结构的第一沟道孔，其中，所述第一沟道孔在所述介质隔离层上的投影与所述扩孔凹槽在所述介质隔离层上的投影至少部分对准；以及在所述介质隔离层上形成第二叠层结构，并形成贯穿所述第二叠层结构的第二沟道孔，其中，所述第二沟道孔在所述介质隔离层上的投影位于所述扩孔凹槽和所述第一沟道孔在所述介质隔离层上共同构成的投影范围内
半导体器件及其制备方法系统

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202110863309.3在审
发明人：王楠 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2021-07-29 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，其中结构包括：衬底；位于衬底上栅极结构；位于衬底内的源极开口和漏极开口；位于漏极开口内的电介质隔离层，电介质隔离层位于漏极开口的底部，且电介质隔离层的顶部表面低于衬底的顶部表面；位于源极开口内的源极掺杂层；位于漏极开口内的漏极掺杂层，漏极掺杂层位于电介质隔离层上。通过位于漏极开口内的电介质隔离层，能够利用电介质隔离层降低漏极掺杂层与衬底之间发生漏电的问题；由于源极开口内没有形成电介质隔离层，会使得形成的源极掺杂层的结构更加饱满，进而通过源极掺杂层为沟道区提供更高的外延应力
半导体结构及其形成方法

[发明专利]双极晶体管的制作方法-CN201711397397.2有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：南京溧水高新创业投资管理有限公司
申请日： 2017-12-21 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：所述制作方法在进行介质隔离层的接触孔刻蚀时，包括以下步骤：在所述介质隔离层上形成光刻胶，所述光刻胶包括对应所述N阱的窗口；利用所述窗口对所述介质隔离层及所述氧化层进行预刻蚀，从而形成贯穿所述介质隔离层并延伸至所述氧化层中的第一接触孔，所述第一接触孔与所述N阱之间具有所述氧化层，去除所述光刻胶；对所述氧化层、所述介质隔离层、所述氧化硅层进行刻蚀，从而去除所述第一接触孔下方的氧化层使得所述第一接触孔贯穿所述氧化层以及形成贯穿所述介质隔离层及所述氧化硅层且对应所述基极多晶硅的第二接触孔、形成贯穿所述介质隔离层且对应所述发射极多晶硅的第三接触孔。
双极晶体管制作方法

[发明专利]一种隔离型沟槽MOS器件及其制备方法-CN202211159112.2有效
发明人：张枫;刘杰 -专利权人：深圳芯能半导体技术有限公司
申请日： 2022-09-22 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请属于功率器件技术领域，提供了一种隔离型沟槽MOS器件及其制备方法，通过在N型衬底的正面的N型外延层、P型注入层以及N型注入层，并形成第一图形结构的第一介质隔离层、第二介质隔离层和第二凸形结构的第三介质隔离层，第三介质隔离层位于第一介质隔离层和第二介质隔离层之间，栅极多晶硅层设于第三介质隔离层内，第一凸形结构的凸起部位于N型外延层、P型注入层以及N型注入层中，第一凸形结构的基部设于N型注入层上，从而使得隔离型沟槽MOS器件的终端区内的横向电场完全隔离，从而在较小的尺寸内达到电场的平衡，优化器件的耐压，在缩小器件的尺寸的情况下保证了器件的性能。
一种隔离沟槽 mos 器件及其制备方法

[发明专利]一种适用于超深亚微米领域的场效应晶体管及其制备方法-CN03131044.3有效
发明人：黎明;黄如;杨胜齐;张兴;王阳元 -专利权人：北京大学
申请日： 2003-05-16 - 公布日： 2003-10-22 - 主分类号： H01L29/772 文献下载
摘要：场效应晶体管，包括源漏、栅介质、栅电极、沟道和衬底，在源漏和衬底之间有垂直于沟道方向的第一介质隔离层，该第一介质隔离层顶端与沟道表面之间为源漏和沟道的连接部；在源漏底部和衬底之间有平行于沟道方向的第二介质隔离层，该第二介质层与第一介质隔离层连接成一个“L”形。场效应晶体管的制备，先采用选择性外延技术制备第一介质隔离层，再利用氢氦联合注入形成隐埋空洞层的技术来制备第二介质隔离层。本发明的场效应晶体管采用源漏被介质隔离层包裹的结构，可以地控制短沟道效应。
一种适用于超深亚微米领域场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]用于可靠介质密封的凝胶填充的端口压力传感器-CN201710947198.8有效
发明人： V.S.库萨纳尔;P.塔尼加查拉姆;T.埃克哈德特;L.F.里克斯;J.库克;P.R.卡什亚普;V.穆鲁格桑 -专利权人：霍尼韦尔国际公司
申请日： 2017-10-12 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： G01L1/00 文献下载
摘要：本发明涉及用于可靠介质密封的凝胶填充的端口压力传感器，并且总体上涉及用于检测压力的方法和系统。：在一侧上具有压力输入端口的传感器单元，该传感器单元包括印刷电路板；被固定到印刷电路板的一侧的压力传感器；被固定到印刷电路板的这一侧的支撑件，该支撑件周向地包围所述压力传感器并且限定压力输入端口；及，介质隔离层，该介质隔离层包括被施加在与压力传感器相邻的位置的第一介质隔离层、和位于第一介质隔离层和压力输入端口之间且包含不同于第一介质隔离层的材料的第二介质隔离层，其中该介质隔离层构造成将由感测介质所产生的压力传递至压力传感器
用于可靠介质密封凝胶填充端口压力传感器

[发明专利]晶体管及其制备方法、半导体存储器件及其制备方法-CN201710658282.8有效
发明人：请求不公布姓名 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2017-08-04 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：半导体存储器件及其制备方法，其中，晶体管的制备方法至少包括：提供一衬底，衬底上制备有栅极结构；于衬底上形成第一侧壁绝缘层以及表面极性改质层，第一侧壁绝缘层覆盖栅极结构，表面极性改质层覆盖第一侧壁绝缘层；于衬底上形成绝缘介质隔离层，绝缘介质隔离层覆盖表面极性改质层；以及，于衬底上形成位于绝缘介质隔离层两侧的栓导电层。本发明通过表面极性改质层和绝缘介质隔离层的直接接触，从而增强对绝缘介质隔离层前驱物的表面吸附力，有效减少绝缘介质隔离层中空洞的产生，因而能够有效避免栓导电层之间桥接短路。
晶体管及其制备方法半导体存储器件

[实用新型]晶体管及半导体存储器件-CN201720965192.9有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：睿力集成电路有限公司
申请日： 2017-08-04 - 公布日： 2018-02-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型提供一种晶体管及半导体存储器件，其中，晶体管至少包括衬底，所述衬底上制备有栅极结构；第一侧壁绝缘层与表面极性改质层，依次形成于所述衬底上，所述第一侧壁绝缘层覆盖所述栅极结构，所述表面极性改质层覆盖所述第一侧壁绝缘层；绝缘介质隔离层，形成于所述衬底上，所述绝缘介质隔离层覆盖所述表面极性改质层并包覆所述栅极结构；以及，栓导电层，形成于所述衬底上且位于所述绝缘介质隔离层两侧。本实用新型通过表面极性改质层和绝缘介质隔离层的直接接触，从而增强对绝缘介质隔离层前驱物的表面吸附力，有效减少绝缘介质隔离层中空洞的产生，因而能够有效避免栓导电层之间桥接短路。
晶体管半导体存储器件

[发明专利]一种硅基间接加热型相变射频开关-CN202310329655.2在审
发明人：帅陈杨;郑月军;付云起;陈强;马燕利;马欣瑜;丁亮 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01P1/10 文献下载
摘要：本申请属于射频开关技术领域，涉及一种硅基间接加热型相变射频开关，包括：介质基板以及设在所述介质基板上的介质绝缘层；所述介质基板和所述介质绝缘层之间设有介质隔离层，所述介质隔离层的导热系数大于所述介质绝缘层且小于所述介质基板；所述介质绝缘层上设有依次相叠的：微型加热器、介质阻挡层、相变层、电极层以及钝化层；所述介质隔离层的宽度大于所述微型加热器的宽度；所述介质隔离层的厚度大于或等于2微米；所述介质隔离层的材质为氮化铝、氮化硅以及碳化硅中的至少一种
一种间接加热相变射频开关

[发明专利]一种具有混合导电模式的LIGBT-CN202210479779.4有效
发明人：陈万军;夏云;程峥;孙瑞泽;刘超;郑崇芝;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-05-05 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明器件内存在第一绝缘介质隔离层和第二绝缘介质隔离层；第二绝缘介质隔离层从器件表面穿过N型缓冲层延伸到N型外延层内，并将阳极结构的P阳极区和N阳极区隔离；第一绝缘介质隔离层完全位于N型外延层内，其一侧与栅极结构的绝缘介质接触，另一侧与第二绝缘介质隔离层接触。本发明器件利用缘介质隔离层来分离阳极P+以及阳极N+结构，使这两个结构在器件导通时分别导通，分别为双极型导通模式和单极型导通模式，从而消除了由单极型导通模式向双极型导通模式切换导致的电压折回现象。
一种具有混合导电模式 ligbt

[实用新型]半导体器件-CN201820484919.6有效
发明人：周步康 -专利权人：睿力集成电路有限公司
申请日： 2018-04-04 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本实用新型实施例公开了一种半导体器件，包括：衬底；多条导电线，形成在所述衬底上，相邻的所述导电线之间形成多个间隔；及介质隔离壁，由第一介质隔离层所刻蚀构成并形成在所述导电线的侧面，其中，至少一个所述间隔内具有两个或两个以上的深孔槽；分隔部，由相同于所述介质隔离壁的刻蚀选择比材料以及牺牲隔离层交替沉积构成，设置于所述间隔内，两个所述深孔槽之间通过由所述分隔部隔开以形成竖直的深孔槽；及封口介质隔离层，在所述导电线、所述介质隔离壁以及所述分隔部的支撑之下，所述封口介质隔离层密封所述深孔槽的开口端以在所述深孔槽中形成介质空洞。
深孔槽导电线介质隔离分隔部隔离层半导体器件封口介质衬底本实用新型介质隔离层刻蚀选择比交替沉积开口端隔开刻蚀竖直密封空洞侧面支撑

[发明专利]微机电压力传感器-CN200710076041.9无效
发明人：乔东海;姚湲;姜开利;刘亮 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
申请日： 2007-07-13 - 公布日： 2009-01-14 - 主分类号： G01L1/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种微机电压力传感器，其包括一个基底、一个介质隔离层、至少两个电极及一个振动膜。该基底具有一个声腔。该介质隔离层形成在该基底上，该介质隔离层具有与该声腔相通的通孔。该至少两个电极分别形成在介质隔离层上。该振动膜覆盖介质隔离层的通孔。其中，该振动膜包括至少一个碳纳米管结构，该碳纳米管结构的两端分别与该两个电极电连接。
微机压力传感器

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