[发明专利]一种适用于超深亚微米领域的场效应晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 03131044.3 | 申请日： | 2003-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN1450653A | 公开（公告）日： | 2003-10-22 |
| 发明（设计）人： | 黎明;黄如;杨胜齐;张兴;王阳元 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所 | 代理人： | 余长江 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种适用于超深亚微米领域的场效应晶体管及其制备方法。场效应晶体管，包括源漏、栅介质、栅电极、沟道和衬底，在源漏和衬底之间有垂直于沟道方向的第一介质隔离层，该第一介质隔离层顶端与沟道表面之间为源漏和沟道的连接部；在源漏底部和衬底之间有平行于沟道方向的第二介质隔离层，该第二介质层与第一介质隔离层连接成一个“L”形。场效应晶体管的制备，先采用选择性外延技术制备第一介质隔离层，再利用氢氦联合注入形成隐埋空洞层的技术来制备第二介质隔离层。本发明的场效应晶体管采用源漏被介质隔离层包裹的结构，可以地控制短沟道效应。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 适用于 超深亚 微米 领域 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种适用于超深亚微米领域的场效应晶体管，包括源漏、栅介质、栅电极、沟道和衬底，其特征在于，在所述源漏和衬底之间有垂直于沟道方向的第一介质隔离层，该第一介质隔离层顶端与沟道之间为源漏和沟道的连接部；在所述源漏底部和衬底之间有平行于沟道方向的第二介质隔离层，该第二介质层与所述第一介质隔离层连接成一个“L”形。
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