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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种声波器件、滤波装置及声波器件的制备方法-CN202110747555.2在审
发明人：彭波华;胡念楚;贾斌 -专利权人：开元通信技术（厦门）有限公司;麦姆斯通信技术（上海）有限公司;麦姆斯通信技术（深圳）有限公司
申请日： 2021-07-01 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种声波器件，包括相对设置的衬底和压电层；位于压电层朝向衬底一侧表面的介质层；介质层为低声阻抗层，介质层的厚度不小于介质层内传播声波的半波长；介质层具有正温度系数；位于压电层背向衬底一侧表面的叉指电极在压电层朝向衬底一侧设置厚度不小于介质层内传播声波半波长的介质层，并且使得该介质层具有正温度系数，使得该介质层可以有效提升声波器件的频率温度系数。同时由于该介质层与压电层相比为低声阻抗材料，可以有效抑制纵向方向的声波能量泄漏。本发明还提供了一种滤波装置以及一种声波器件的制备方法，同样具有上述有益效果。
一种声波器件滤波装置制备方法

[实用新型]一种声波器件以及一种滤波装置-CN202121509029.4有效
发明人：彭波华;胡念楚;贾斌 -专利权人：开元通信技术（厦门）有限公司;麦姆斯通信技术（上海）有限公司;麦姆斯通信技术（深圳）有限公司
申请日： 2021-07-01 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种声波器件，包括相对设置的衬底和压电层；位于压电层朝向衬底一侧表面的介质层；介质层为低声阻抗层，介质层的厚度不小于介质层内传播声波的半波长；介质层具有正温度系数；位于压电层背向衬底一侧表面的叉指电极在压电层朝向衬底一侧设置厚度不小于介质层内传播声波半波长的介质层，并且使得该介质层具有正温度系数，使得该介质层可以有效提升声波器件的频率温度系数。同时由于该介质层与压电层相比为低声阻抗材料，可以有效抑制纵向方向的声波能量泄漏。本实用新型还提供了一种滤波装置，同样具有上述有益效果。
一种声波器件以及滤波装置

[发明专利]诱导透射滤光器-CN201810494057.X有效
发明人： G.J.奥肯富斯 -专利权人：唯亚威通讯技术有限公司
申请日： 2018-05-22 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：光学滤光器可以包括第一组层。第一组层可以包括一组电介质材料中的第一电介质材料和一组电介质材料中的第二电介质材料的交替层。光学滤光器可以包括第二组层。第二组层可以包括一组电介质材料中的第三电介质材料和一组电介质材料中的第四电介质材料的交替层。光学滤光器可以包括第三组层。第三组层可以包括一组电介质材料中的第五电介质材料、一组电介质材料中的第六电介质材料和金属材料的交替层。第三组层可以设置在第一组层和第二组层之间。
诱导透射滤光

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200510089314.4无效
发明人：权成云;黄在晟 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-08-03 - 公布日： 2006-03-22 - 主分类号： H01L29/788 文献下载
摘要：在激活区上形成隧道介质层图形。在隧道介质层图形上形成第一栅极图形，以部分露出隧道介质层图形。在第一栅极图形、隧道介质层图形以及场区上形成介质层图形。该介质层图形包括：第一介质层图形，以第一方向延伸；以及第二介质层图形，以基本垂直于第一方向的第二方向延伸。在第一栅极图形和隧道介质层图形上形成第一介质层图形。在第一栅极图形和场区上形成第二介质层图形。在第二介质层图形上形成第二栅极图形。
半导体器件及其制造方法

[实用新型]一种毫米波透镜-CN202022277085.1有效
发明人：郑洪振;芦永超;孙耀志 -专利权人：广东福顺天际通信有限公司
申请日： 2020-10-16 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： H01Q15/08 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种毫米波透镜，包括若干个依次包裹的介质层；其中最内侧的介质层为实心体，称为内核体介质层；所述内核体介质层的介电常数最高，往外逐个介质层的介电常数依次递减，位于最外侧的介质层的介电常数最低；所述若干介质层分别是用空心柱状管形的颗粒体填充而成的；所述用于填充介质层的颗粒体，其粒径的大小与其填充的介质层的介电常数成反比，而其管壁厚度与其填充的介质层的介电常数成正比。本实用新型所提供的一种毫米波透镜，具有制作成本低、介质层填充均匀、同一介质层内的介电常数一致性高等优势。
一种毫米波透镜

[发明专利]弹性表面波装置-CN201180059055.4有效
发明人：玉崎大辅 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2011-12-13 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： H03H9/145 文献下载
摘要：弹性表面波装置（1）具备：压电基板（21）、形成于压电基板（21）上的IDT电极（22）、第1电介质层（23）、和第2电介质层24。第1电介质层（23）形成于压电基板（21）上。第1电介质层（23）由氧化硅构成。第2电介质层（24）形成于第1电介质层（23）上。第2电介质层（24）具有高于第1电介质层（23）的声速。弹性表面波装置（1）还具备第3电介质层（25）。第3电介质层（25）形成于第1电介质层（23）和压电基板（21）之间。第3电介质层（25）覆盖压电基板（21）的表面（21a）和IDT电极（22）的上表面（22a）以及侧面（22b、22c）。
弹性表面波装置

[发明专利]一种场效应晶体管-CN201010231809.7有效
发明人：范爱民 -专利权人：范爱民
申请日： 2010-07-20 - 公布日： 2010-12-22 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供一种场效应晶体管，该晶体管表面设有第一介质层和第二介质层，所述第二介质层设置于所述第一介质层上，所述第一介质层和所述第二介质层的材料的介电常数不同，所述第二介质层的材料为低介电常数的材料。本发明一种场效应晶体管在第一介质层上设置低介电常数的第二介质层，第一层介质层为了钝化材料表面态和缺陷，第二层介质层为了降低强场下的空气电离效应，低介电常数的第二介质层可以大大降低器件的寄生电容，提高器件的截止频率第一介质层和第二介质层也可以辅助形成场板结构，场板结构有利于进一步减低电场，减低电流崩塌效应。
一种场效应晶体管

[实用新型]一种场效应晶体管-CN201020264733.3有效
发明人：范爱民 -专利权人：西安能讯微电子有限公司
申请日： 2010-07-20 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本实用新型提供一种场效应晶体管，该晶体管表面设有第一介质层和第二介质层，所述第二介质层设置于所述第一介质层上，所述第一介质层和所述第二介质层的材料的介电常数不同，所述第二介质层的材料为低介电常数的材料。本实用新型一种场效应晶体管在第一介质层上设置低介电常数的第二介质层，第一层介质层为了钝化材料表面态和缺陷，第二层介质层为了降低强场下的空气电离效应，低介电常数的第二介质层可以大大降低器件的寄生电容，提高器件的截止频率第一介质层和第二介质层也可以辅助形成场板结构，场板结构有利于进一步减低电场，减低电流崩塌效应。
一种场效应晶体管

[发明专利]层间介质层、具有该介质层的半导体器件及制造方法-CN201010215116.9有效
发明人：钟汇才;梁擎擎 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2010-06-22 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了用于半导体器件的层间介质层及其制造方法以及具有该层间介质层的半导体器件，所述方法在介质层内形成不互相连通的孔洞，所述孔洞内可填充具有更低介电常数的多孔低k介质材料，或者仅封住孔洞的上部以在介质层内形成孔这种结构的层间介质层，具有更低的介电常数，减小了器件的RC延迟，也更便于工艺集成，而且由于介质层内的孔洞并未相互连接，不会造成介质材料介电常数的改变以及导线间的短路，使器件具有更好的稳定性和可靠性，从而提高了器件的性能
介质具有半导体器件制造方法

[发明专利]半导体装置-CN202211048423.1在审
发明人：全寅铎;林汉镇;丁炯硕;崔在亨 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-08-30 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H10N97/00 文献下载
摘要：半导体装置包括下电极、下电极上的下电介质层、下电介质层上的上电极、形成在下电介质层与上电极之间的上电介质层、以及形成在下电介质层与上电介质层之间的插入电极膜，其中，上电介质层包括氧化钛。
半导体装置

[发明专利]电子器件、高电子迁移率晶体管及其制备方法-CN202211145743.9在审
发明人：许明伟;樊晓兵 -专利权人：深圳市汇芯通信技术有限公司
申请日： 2022-09-20 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：该制备方法包括：在一衬底上形成异质结结构；在栅极区域形成第一介质层、牺牲层、第二介质层以及保护层，第一介质层、牺牲层以及第二介质层层叠设置，保护层覆盖所述牺牲层侧壁；形成贯穿第二介质层以及牺牲层的凹槽；形成第三介质层，第三介质层保形地覆盖凹槽；在第三介质层上形成栅极；去除牺牲层，第三介质层位于凹槽侧壁的部分、保护层、以及第一介质层围成凹陷部；形成填充凹陷部的第四介质层，第四介质层位于凹陷部内的部分设有空气隙
电子器件电子迁移率晶体管及其制备方法

[发明专利]半导体集成器件及其制作方法-CN201210226537.0有效
发明人：王文博;卜伟海 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-07-02 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明的实施例公开了一种半导体集成器件及其制作方法，该方法包括：提供半导体衬底，在衬底表面上形成第一栅介质层；在第一栅介质层表面上形成替代栅电极层和源/漏极、与替代栅电极层顶部齐平的层间介质层；以层间介质层为掩膜，去除替代栅电极层，形成第一沟槽和第二沟槽；覆盖第一沟槽底部的第一栅介质层，去除第二沟槽底部的第一栅介质层材料；在第二沟槽底部形成第二栅介质层，第二栅介质层的厚度小于第一栅介质层的厚度；形成金属栅极。本发明在衬底表面得到了厚度较大的第一栅介质层和厚度较小的第二栅介质层，满足了不同器件对栅介质层厚度的要求，从而可将IO器件的制作工艺与核心器件的HKMG工艺集成。
半导体集成器件及其制作方法

[发明专利]一种全光二极管超透射器件及其制作方法-CN200910235522.9无效
发明人：胡小永;张加祥;辛诚;龚旗煌 -专利权人：北京大学
申请日： 2009-09-29 - 公布日： 2010-04-07 - 主分类号： G02F1/35 文献下载
摘要：本发明的超透射器件包括介质层I、介质层II和位于所述介质层I与所述介质层II之间的金属层；所述金属层中刻有周期性狭缝，所述介质层I、介质层II为非线性光学材料；本发明超透射器件的制作方法为：首先根据全光二极管的工作波长确定金属层狭缝周期，以及介质层I和介质层II的厚度；然后利用数值计算方法计算来获得所有参数的准确结果；最后依次在基底材料上制备介质层II、金属层、介质层I，其中金属层中刻有周期性狭缝，介质层I、介质层II为非线性光学材料
一种二极管透射器件及其制作方法

[发明专利]半导体器件-CN202310390280.0在审
发明人：朴正敏;林汉镇;丁炯硕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-04-12 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：单元电容器，所述单元电容器设置在衬底上并且包括第一电极、电介质层结构和第二电极。所述电介质层结构包括：第一电介质层，所述第一电介质层设置在所述第一电极上并且包括铁电材料；第二电介质层，所述第二电介质层设置在所述第一电介质层上并且包括反铁电材料；以及电介质颗粒，所述电介质颗粒分散在所述第一电介质层或所述第二电介质层中的至少一者中并且包括顺电材料
半导体器件

[发明专利]NAND闪存的形成方法-CN201510919128.2有效
发明人：郑二虎;纪世良;张翼英 -专利权人：中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2015-12-10 - 公布日： 2020-03-10 - 主分类号： H01L27/11517 文献下载
摘要：一种NAND闪存的形成方法，包括：提供半导体衬底，半导体衬底包括核心区和外围区；在核心区上形成多个相互分立的栅极叠层结构，相邻栅极叠层结构之间为凹槽；在凹槽中填充第一介质层；在第一介质层和栅极叠层结构表面形成可流动介质层；对可流动介质层固化处理，以形成固态介质层；在固态介质层表面上形成停止层；在停止层上和外围区形成第二介质层；进行平坦化处理，直至停止在停止层；回刻蚀剩余停止层、固态介质层和第一介质层，以暴露至少部分栅极叠层结构；在被暴露的栅极叠层结构、第一介质层和固态介质层上沉积金属硅化物。
nand 闪存形成方法

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