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[发明专利]一种介质导电膜、制备方法及电致变色后视镜-CN201110163935.8有效
发明人：康振华 -专利权人：比亚迪股份有限公司
申请日： 2011-06-17 - 公布日： 2012-12-19 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：本发明提供一种介质导电膜，所述介质导电膜包括透明导电层、若干个第一介质层和若干个第二介质层，所述第一介质层和第二介质层交替层叠排列形成介质膜层，该介质膜层上形成有透明导电层，所述第一介质层和第二介质层的材料为无机物，且第一介质层的折射率大于2.1，第二介质层的折射率小于1.6。本发明还提供一种介质导电膜的制备方法和电致变色后视镜。本发明中，所述第一介质层和第二介质层交替层叠排列形成介质膜层，所述介质膜层即为多层结构组成，对光的吸收较少，形成较高的反射率；同时，所述第一介质层和第二介质层的材料为无机物，因而制作成电致变色装置时能够防止与电致变色溶液接触时发生腐蚀反应
一种介质导电制备方法变色后视镜

[实用新型]一种刚挠结合板结构-CN202121206238.1有效
发明人：高团芬;谢国强 -专利权人：江西宇睿电子科技有限公司
申请日： 2021-06-01 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种刚挠结合板结构，其特征在于，刚挠结合板的挠性板层包含依次叠层的第一介质层、铜层、第二介质层；刚挠结合板的刚性板层包含依次叠层的第三介质层、挠性板层、第四介质层；第一介质层的厚度大于第二介质层的厚度；第四介质层的厚度大于第三介质层的厚度；第一介质层、第二介质层、第三介质层、第四介质层均为聚酰亚胺介质层；本实用新型利用介质层、第二介质层，以及第三介质层、第四介质层的厚度差异，并且利用聚酰亚胺在热压合过程中的“内缩”特性，形成不同层的不同内应力分布，从而使挠性板形成自弯折特性，而刚性板通过反向厚度的补偿，避免了翘曲的问题，整体结构可靠性良好。
一种结合板结

[发明专利]一种异质集成型阻变存储器及其制备方法-CN202310576159.7在审
发明人：高海霞;朱世龙;段毅伟;白奕凡 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-05-19 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H10B63/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种异质集成型阻变存储器及其制备方法，包括：衬底层、粘附层、底电极层、介质层、第一阻变介质层、第二阻变介质层、第一顶电极层、第二顶电极层、第一保护层、第二保护层，其中，衬底层、粘附层、底电极层依次层叠；介质层和第一阻变介质层均位于底电极层上且露出部分底电极层，且介质层的侧面和第一阻变介质层的侧面相接触，第一阻变介质层的厚度小于介质层的厚度；第一顶电极层和第一保护层层叠于第一阻变介质层上；第二阻变介质层位于介质层上且露出部分介质层；第二顶电极层和第二保护层层叠于第二阻变介质层上。
一种集成型阻变存储器及其制备方法

[发明专利]一种喇叭天线及其制备方法-CN201810418730.1在审
发明人：李秀萍;齐紫航;朱华;肖军 -专利权人：北京邮电大学
申请日： 2018-05-04 - 公布日： 2018-10-19 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种喇叭天线，包括依次层叠设置的馈电介质层、主体介质层和覆盖介质层，相邻介质层间的接触面设有金属箔；馈电介质层上设置有馈电结构；主体介质层包括：具有空腔的介质部，以及具有开槽结构的介质负载，介质负载设置在介质部的端部，空腔的内壁镀有金属箔。上述喇叭天线的制备方法，包括：对介质部进行切割处理，使介质部形成空腔；对空腔的内壁进行金属化处理，使内壁镀有金属箔；在介质部的端部进行延长处理，形成主体介质层的介质负载；对介质负载进行切割处理，使介质负载具有开槽结构；在将具有馈电结构的馈电介质层、主体介质层以及覆盖介质层自下而上依次层叠之前，于相邻介质层的接触面进行金属化处理。
介质负载介质层空腔馈电介质喇叭天线金属箔内壁覆盖介质层金属化处理开槽结构馈电结构相邻介质依次层叠制备切割层间

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN201510541058.1有效
发明人：周飞 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2015-08-28 - 公布日： 2019-08-27 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，衬底表面具有鳍部；在衬底表面、以及鳍部的侧壁和顶部表面形成掺杂层，掺杂层内具有掺杂离子；在掺杂层的部分表面形成前驱介质膜，前驱介质膜覆盖位于衬底表面的掺杂层表面、以及位于鳍部侧壁的掺杂层表面；在前驱介质膜表面和鳍部的顶部形成覆盖介质层，覆盖介质层的密度大于前驱介质膜；去除覆盖介质层和部分前驱介质膜，形成前驱介质层，前驱介质层的表面低于鳍部的顶部表面，且前驱介质层暴露出部分掺杂层；去除高于前驱介质层表面的掺杂层；进行退火工艺，使前驱介质层固化形成介质层，并使掺杂层内的掺杂离子扩散入鳍部内。
半导体结构形成方法

[实用新型]一种带台阶槽及埋入式线路的基板-CN202222028481.X有效
发明人：谷新 -专利权人：中山芯承半导体有限公司
申请日： 2022-08-02 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种带台阶槽及埋入式线路的基板，包括第一绝缘介质层，第一绝缘介质层的上表面设有第一线路层，第一绝缘介质层上表面压合有第二绝缘介质层，第二绝缘介质层上表面设有埋入第二绝缘介质层的第二线路层，第一绝缘介质层下表面压合有第三绝缘介质层，第三绝缘介质层下表面设有第三线路层，基板上设有贯穿第一绝缘介质层和第三绝缘介质层用于导通第一线路层与第三线路层的第一填铜盲孔，基板上还设有贯穿第一绝缘介质层、第二绝缘介质层、第三绝缘介质层用于导通第二线路层与第三线路层的第二填铜盲孔，基板还包贯穿第一绝缘介质层和第二绝缘介质层开口朝上用于供外部元器件封装在其中的台阶槽。
一种台阶埋入线路

[发明专利]一种FCOB存储器件的制造方法及其电容器-CN202010871391.X有效
发明人：华文宇;陶谦;刘藩东;夏季 -专利权人：无锡拍字节科技有限公司
申请日： 2020-08-26 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： H01L27/11507 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成第一介质层，在第一介质层形成导电柱，在第一介质层上形成第二介质层，在第二介质层形成导电互连和金属位线，在第二介质层上形成第三介质层，在第三介质层形成电容器接触盘，在第三介质层上形成第四介质层，在第四介质层形成铁电电容器，在第四介质层上形成第五介质层，在第五介质层形成于电容器上电极连接的金属板线。
一种 fcob 存储器件制造方法及其电容器

[发明专利]一种沟槽分离栅器件的制造方法-CN202110343647.4有效
发明人：乔明;钟涛;方冬;王正康;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-03-30 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种沟槽分离栅器件的制造方法，包括如下步骤：(1)刻蚀半导体衬底形成沟槽；(2)于所述沟槽内形成分离栅介质层；分离栅介质层由至少一层介质层构成；(3)于所述沟槽内淀积多晶硅形成分离栅；(4)在所述分离栅上形成隔离介质层；隔离介质层处于分离栅和控制栅之间，隔离介质层由至少一层介质层构成；分离栅介质层和隔离介质层不能同时为一层介质层；(5)在所述隔离介质层上形成倒U形控制栅；本发明采用一种或多种材料形成分离栅介质层和/或隔离介质层，分离栅介质层和隔离介质层只需要一种采用多层结构，即可形成分离栅器件的倒U形控制栅，能够减小控制栅与分离栅的交叠，进一步减小器件的寄生栅源电容。
一种沟槽分离器件制造方法

[发明专利]晶体管的形成方法-CN201410027709.0有效
发明人：赵杰 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-01-21 - 公布日： 2018-08-10 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种晶体管的形成方法，包括：提供衬底，衬底表面具有伪栅极结构，伪栅极结构包括：位于衬底表面的伪栅介质层、以及位于伪栅介质层表面的伪栅极层；在衬底和伪栅极结构表面形成介质膜，介质膜的表面高于或齐平于伪栅极层的顶部表面；在形成介质膜之后，进行退火工艺，使介质膜致密；在退火工艺之后，平坦化介质膜，直至暴露出伪栅极结构顶部表面为止，形成介质层；在平坦化介质膜之后，采用离子注入工艺在介质层表面形成致密层；在离子注入工艺之后，去除伪栅极层和伪栅介质层，在介质层内形成开口；在开口内形成栅介质层、以及位于栅介质层表面的栅极层，栅极层的表面与介质层齐平。
介质膜伪栅极结构伪栅介质层伪栅极层介质层晶体管离子注入工艺衬底表面顶部表面退火工艺栅介质层平坦化栅极层衬底齐平开口形貌致密介质层表面表面形成性能改善致密层去除暴露

[实用新型]可钢化双银镀膜玻璃-CN202123024541.2有效
发明人：刘源;刘自乾;潘杰 -专利权人：湖南旗滨节能玻璃有限公司
申请日： 2021-12-02 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： C03C17/36 文献下载
摘要：本实用新型提供一种可钢化双银镀膜玻璃，包括基板和镀膜层，镀膜层包括依次形成于基板一侧的第一复合层、第二复合层和电介质层；第一复合层包括依次层叠设置的第一电介质层、第二电介质层、第一银基功能层、第一阻挡保护层和第一电介质结合层，第一电介质组合层与基板连接；第二复合层包括依次层叠设置的第三电介质层、第四电介质层、第二银基功能层、第二阻挡保护层和第二电介质结合层，第三电介质层与第一电介质结合层连接；电介质层与第二电介质结合层连接；第一电介质层的厚度为25nm至35nm，第三电介质层的厚度为50nm至65nm。
可钢化双银镀膜玻璃

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201611264859.9在审
发明人：周飞 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2016-12-30 - 公布日： 2018-07-10 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构及其形成方法，其中，方法包括：提供基底，所述基底上具有第一介质层，第一介质层中具有开口，开口暴露出部分基底表面，在开口底部和侧壁表面形成初始栅介质层，开口侧壁表面的初始栅介质层顶部与第一介质层表面齐平；对所述开口侧壁表面的初始栅介质层进行刻蚀，使开口侧壁表面的初始栅介质层顶部低于所述第一介质层表面；在栅介质层上形成栅极，栅极完全覆盖所述栅介质层；在栅极上和所述第一介质层上形成第二介质层。使栅极完全覆盖所述栅介质层，则在形成所述第二介质层的过程中，反应物不容易与栅介质层接触，从而能够减少反应物中的氧原子向栅介质层中扩散，进而改善半导体结构性能。
栅介质层介质层半导体结构开口侧壁介质层表面开口反应物基底侧壁表面基底表面氧原子刻蚀齐平扩散暴露

[发明专利]电介质元件、压电元件、喷墨头和喷墨记录装置-CN200510052152.7有效
发明人：伊福俊博;松田坚义;青木活水;武田宪一;和佐清孝 -专利权人：佳能株式会社;和佐清孝
申请日： 2005-02-25 - 公布日： 2005-08-31 - 主分类号： B41J2/045 文献下载
摘要：本发明提供一种电介质元件、压电元件、喷墨头和喷墨记录装置，该电介质元件在上部电极层和下部电极层之间设置有电介质层，电介质层具有组成相互不同的第一电介质层和第二电介质层，在第一电介质层和第二电介质层的边界附近，第一电介质层的至少一种成分的组成在第一电介质层的厚度方向上发生变化。
电介质元件压电喷墨记录装置

[实用新型]一种图厄-摩尔斯序列多层电介质与石墨烯的复合结构-CN202121019974.6有效
发明人：张亚平 -专利权人：湖北科技学院
申请日： 2021-05-12 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： G02F3/02 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种图厄‑摩尔斯序列多层电介质与石墨烯的复合结构，属于全光通信系统技术领域。包括两个对称分布的复合组件，复合组件包括一个石墨烯层、若干第一电介质层和若干第二电介质层，复合组件中的石墨烯层、第一电介质层和第二电介质层三者的排布规律为：由外侧向内依次为第一电介质层、第二电介质层、石墨烯层、第二电介质层、第一电介质层、第二电介质层、第一电介质层、第一电介质层和第二电介质层。
一种摩尔序列多层电介质石墨复合结构

[发明专利]栅极结构及其制造方法-CN200710042148.1无效
发明人：张海洋;刘乒;张世谋;马擎天 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-06-18 - 公布日： 2008-12-24 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种栅极结构制造方法，包括：在半导体基底上形成第一介质层；沉积栅层，此栅层覆盖所述第一介质层；沉积第二介质层，此第二介质层覆盖所述栅层；刻蚀所述第二介质层及栅层；沉积第三介质层，此第三介质层覆盖所述第二介质层及栅层；刻蚀所述第三介质层。通过在栅极表面增加第二介质层，继而对所述栅极与第二介质层构成的整体结构形成刻蚀所述第三介质层后获得的侧墙，进而构成栅极结构，可避免在形成硅锗源漏时反应物与栅极表面的接触。
栅极结构及其制造方法

[发明专利]LTCC延迟线组件-CN201310415797.7有效
发明人：胡江;李骦;寇慧云;姚瑶;唐辉;徐瑞敏 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2013-09-12 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： H01P9/00 文献下载
摘要：本发明公开的LTCC延迟线组件包括从上到下排列的五层介质层，每层介质层之间由金属层隔开，第一介质层包括从上到下排列的微带层、第一微带介质层、空腔金属地层和第二微带介质层，第二、三、四层介质层中埋置有带状线，其中，第二介质层包括从上到下排列的第一带状线介质上层、第一带状线层、第一带状线介质下层；第三介质层包括从上到下排列的第二带状线介质上层、第二带状线层、第二带状线介质下层；第四介质层包括从上到下排列的第三带状线介质上层、第三带状线层、第三带状线介质下层；第五介质层包括从上到下排列的第四带状线介质上层、第四带状线层、第四带状线介质下层。
ltcc 延迟线组件