“介质层”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果3445527个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]层间介质层的制作方法-CN200810041366.8无效
发明人：邓永平 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2008-08-04 - 公布日： 2010-02-10 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及一种层间介质层的制作方法，层间介质层制作在晶圆器件层表面上，结合化学机械抛光制作。本发明层间介质层的制作方法包括以下步骤：a.在器件层表面形成第一介质层；b.在第一介质层上形成与第一介质层材料相异的第二介质层；c.主抛光第二介质层，至第二介质层与第一介质层界面；d.过抛光第一介质层，形成厚度与预设接触孔深度相同的层间介质层。本发明通过制作两层相异材料的介质层，利用相异材料的界面实现主抛光去除第二介质层，可有效克服传统层间介质层的制作时利用较长抛光时间控制单一材料的介质层抛光量易导致的各晶圆上层间介质层厚度不等的弊端。
介质制作方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202010363181.X在审
发明人：胡连峰 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2020-04-30 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L49/02 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底；在基底上形成第一电极层；在第一电极层上形成电容介质层、以及位于电容介质层上的第二电极层，电容介质层包括由下而上依次堆叠的底部高k介质层、防漏电介质层和顶部高k介质层，底部高k介质层和顶部高k介质层具有预设总沉积厚度，底部高k介质层的沉积厚度占预设总沉积厚度的比例大于顶部高k介质层的沉积厚度占预设总沉积厚度的比例。本发明调整底部高k介质层和顶部高k介质层各自占预设总沉积厚度的比例，使得底部高k介质层和顶部高k介质层的有效厚度均较小，从而改善底部高k介质层和顶部高k介质层的结晶问题，进而提高电容结构的可靠性。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201910027655.0在审
发明人：张海洋;韩秋华;王梓 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2019-01-11 - 公布日： 2020-07-21 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，包括衬底、位于衬底上的介质层、位于介质层上的介质掩膜材料层以及位于介质掩膜材料层上的图形定义层；在图形定义层上形成多个分立的图形掩膜层；以图形掩膜层为掩膜刻蚀图形定义层，形成金属阻断层；图形化介质掩膜材料层，形成介质掩膜层；形成介质掩膜层后，以金属阻断层和介质掩膜层为掩膜刻蚀介质层，在介质层中形成多个介质凹槽以及位于介质凹槽之间的介质隔层，介质隔层顶面与介质掩膜层底面齐平，且在刻蚀介质层的过程中，刻蚀工艺对介质层的刻蚀速率大于对金属阻挡层的刻蚀速率。后续填充在介质凹槽中的导电材料不易相接触，实现了器件的隔离，优化了半导体结构的电学性能。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]一种可清洗多层结构过滤介质及其制作方法-CN202010083149.6在审
发明人：杨永刚;朱辉;韦家旺;王荣凯 -专利权人：上海创治环境科技有限公司
申请日： 2020-02-08 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： B01D39/16 文献下载
摘要：本发明涉及的是一种可清洗多层结构过滤介质及其制作方法，特别是一种具有可清洗功能的多层结构过滤介质及其制作方法。一种可清洗多层结构过滤介质是一种三层结构过滤介质或四层结构过滤介质；所述三层结构过滤介质由B层、Ｃ层、D层结构过滤介质，或B层、D层、C层结构过滤介质构成；所述四层结构过滤介质由Ａ层、B层、Ｃ层、D层，或Ａ层、B层、D层、C层结构过滤介质构成；其中，所述Ａ层为过滤介质保护层，起到对B层过滤介质的保护作用，并且具有较高的透气性，这样就不影响整个多层结构过滤介质的性能；所述B层为过滤介质层一，具有对0.1‑1.0um颗粒物具具有过滤效率；所述Ｃ层为过滤介质层二，具有对0.1‑1.0um颗粒物具有过滤效率；所述D层为过滤介质支撑层。
一种清洗多层结构过滤介质及其制作方法

[实用新型]一种可清洗多层结构过滤介质-CN202020155738.6有效
发明人：杨永刚;朱辉;韦家旺;王荣凯 -专利权人：上海创治环境科技有限公司
申请日： 2020-02-08 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： B01D39/16 文献下载
摘要：本实用新型涉及的是一种可清洗多层结构过滤介质，特别是一种具有可清洗功能的多层结构过滤介质。一种可清洗多层结构过滤介质是一种三层结构过滤介质或四层结构过滤介质；所述三层结构过滤介质由B层、Ｃ层、D层结构过滤介质，或B层、D层、C层结构过滤介质构成；所述四层结构过滤介质由Ａ层、B层、Ｃ层、D层，或Ａ层、B层、D层、C层结构过滤介质构成；其中，所述Ａ层为过滤介质保护层，起到对B层过滤介质的保护作用，并且具有较高的透气性，这样就不影响整个多层结构过滤介质的性能；所述B层为过滤介质层一，具有对0.1‑1.0um颗粒物具具有过滤效率；所述Ｃ层为过滤介质层二，具有对0.1‑1.0um颗粒物具有过滤效率；所述D层为过滤介质支撑层。
一种清洗多层结构过滤介质

[发明专利]台阶栅氧化层的制备方法和台阶栅氧化层-CN202010248415.6在审
发明人：来豪杰;陈瑜;陈华伦 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2020-04-01 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本申请公开了一种台阶栅氧化层的制备方法和台阶栅氧化层，方法包括：在衬底上形成氧化层；在氧化层上形成至少两层介质层，对于至少两层介质层中的任一相邻的两层介质层，上一层介质层的被刻蚀速率大于下一层介质层的被刻蚀速率；在至少两层介质层最上层的介质层上形成硬掩模层；对目标区域的硬掩模层进行去除；通过湿法刻蚀工艺对至少两层介质层进行去除；去除剩余的硬掩模层。本申请通过在衬底上形成氧化层后，在氧化层上方依次形成至少两层介质层，通过湿法刻蚀工艺对至少两层介质层进行去除，从而形成台阶栅氧化层，由于至少两层介质层中任一相邻的两层介质层中上一层介质层的被刻蚀速率大于下一层介质层的被刻蚀速率
台阶氧化制备方法

[发明专利]阻挡介质层的刻蚀方法-CN201610250432.7有效
发明人：昂开渠;曾林华;任昱;吕煜坤;朱骏;张旭升 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2016-04-21 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供一种阻挡介质层的刻蚀方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上依次形成有金属层、阻挡介质层、氧化介质层和光刻胶层，所述光刻胶层内形成有光刻胶开口；对所述光刻胶开口的形貌进行调整，形成具有倾斜角度的光刻胶开口；沿所述具有倾斜角度的光刻胶开口对下方的氧化介质层进行刻蚀工艺，在氧化介质层内形成氧化介质层开口；去除氧化介质层上方残留的光刻胶层；以所述氧化介质层为掩膜，沿所述氧化介质层开口对阻挡介质层进行刻蚀工艺，在阻挡介质层内形成阻挡介质层开口，露出下方的金属层，所述阻挡介质层开口具有倾斜角度。本发明的阻挡介质层的刻蚀方法，使得阻挡介质层的倾斜角度的调整范围增大。
阻挡介质刻蚀方法

[发明专利]互连结构及其形成方法-CN201510047360.1有效
发明人：周鸣 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2015-01-29 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：所述形成方法包括：在所述绝缘层上依次形成第一介质层、第二介质层和第三介质层，所述第一介质层、第二介质层和第三介质层构成粘附层；在所述粘附层上形成低K介质层，所述第一介质层用于增加所述绝缘层与粘附层之间的粘附力，所述第二介质层用于增加所述第一介质层与第三介质层的粘附力；在所述粘附层上形成低K介质层，所述第三介质层用于增加所述低K介质层与粘附层之间的粘附力。与现有技术中低K介质层与绝缘层直接接触相比，本发明互连结构的形成方法提高了低K介质层与绝缘层之间的粘附力，提高了互连结构的性能。
互连结构及其形成方法

[发明专利]栅极结构及其制造方法-CN200610148245.4有效
发明人：张海洋;刘乒;张世谋;马擎天 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-12-28 - 公布日： 2008-07-02 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种栅极结构制造方法，包括：在半导体基底上形成第一介质层；沉积栅层，所述栅层覆盖所述第一介质层；刻蚀所述栅层；沉积第二介质层，所述第二介质层覆盖所述栅层；沉积第三介质层，所述第三介质层覆盖所述第二介质层；刻蚀所述第三介质层；湿法刻蚀所述第二介质层；去除所述第三介质层。利用干法、湿法混合的方法形成侧墙，且通过选用不同的介质材料分别作为第一介质层及第二介质层，可通过选择对所述第一介质层及第二介质层具有高刻蚀选择比的刻蚀溶液而实现用以形成侧墙的介质层的分步去除，可不造成源漏形成前对栅氧化层的损伤
栅极结构及其制造方法

[实用新型]镜面反射镀膜玻璃-CN201920098647.0有效
发明人：董清世;王洪波;高延峰;金泉;闫长虹;于海波 -专利权人：信义玻璃（营口）有限公司
申请日： 2019-01-21 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： C03C17/36 文献下载
摘要：本实用新型属于玻璃技术领域，尤其涉及一种镜面反射镀膜玻璃，包括玻璃基片和反射膜，反射膜包括第一电介质层、第二电介质层、第一金属吸收层、颜色调节层、第二金属吸收层、第三电介质层和第四电介质层，第一电介质层设于玻璃基片上，第二电介质层设于第一电介质层上，第一金属吸收层设于第二电介质层上，颜色调节层设于第一金属吸收层上，第二金属吸收层设于颜色调节层上，第三电介质层设于第二金属吸收层上，第四电介质层设于第三电介质层上，通过调节第一电介质层、第二电介质层、第一金属吸收层、颜色调节层、第二金属吸收层、第三电介质层和第四电介质层之间的厚度，从而可以获得颜色深浅不同的镜面反射镀膜玻璃，以满足客户不同的需求。
电介质层金属吸收层颜色调节层镀膜玻璃镜面反射玻璃基片反射膜玻璃技术领域本实用新型颜色深浅客户

[发明专利]一种阵列基板、显示装置以及阵列基板的制备方法-CN201910165143.0在审
发明人：刘弘;方业周;王凤国;武新国;郭志轩;李凯;田亮;王海东;马波;杨越;张东;冯宇 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
申请日： 2019-03-05 - 公布日： 2019-05-28 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种阵列基板、显示装置和阵列基板的制备方法，包括衬底，层叠设置在所述衬底上的PI层、保护层、薄膜晶体管层和介质层；其中，所述PI层贴附在所述衬底上；所述介质层包括层叠设置的无机介质层和有机介质层所述保护层用于防止基板在进行其他工艺时受水汽及杂质的影响；同时用于在激光分离Glass时，隔绝热量、吸收激光能量，避免激光对晶体管中的P型硅造成电学特性的影响。所述介质层包括无机介质层和有机介质层，相对传统的介质层仅包括无机介质层且无机介质层比较厚，本发明实施例将无机介质层的厚度减小，并增加了一层有机介质层，提升了介质层的延展性和平坦性，能够防止介质层的断裂。
介质层无机介质层阵列基板有机介质层衬底层叠设置显示装置保护层制备激光薄膜晶体管层吸收激光能量延展性电学特性厚度减小水汽传统的晶体管基板贴附断裂

[发明专利]一种可调双通道光子滤波器-CN202110996072.6在审
发明人：赵东 -专利权人：湖北科技学院
申请日： 2021-08-27 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： G02B1/00 文献下载
摘要：包括五个第一电介质层和三个第二电介质层，第一电介质层和第二电介质层由入射方向至出射方向排列顺序为：第一电介质层、第二电介质层、第一电介质层、第一电介质层、第一电介质层、第二电介质层、第一电介质层、第二电介质层；第一电介质层和第二电介质层为两种折射率不同的均匀电介质；第一电介质层和第二电介质层的厚度分别为各自折射率对应的1/4光学波长；相邻第一电介质层的分界处或第一电介质层与第二电介质层的分界处分别嵌入有一石墨烯单层
一种可调双通道光子滤波器

[实用新型]一种可调双通道光子滤波器-CN202122054134.X有效
发明人：赵东 -专利权人：湖北科技学院
申请日： 2021-08-27 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： G02B1/00 文献下载
摘要：包括五个第一电介质层和三个第二电介质层，第一电介质层和第二电介质层由入射方向至出射方向排列顺序为：第一电介质层、第二电介质层、第一电介质层、第一电介质层、第一电介质层、第二电介质层、第一电介质层、第二电介质层；第一电介质层和第二电介质层为两种折射率不同的均匀电介质；第一电介质层和第二电介质层的厚度分别为各自折射率对应的1/4光学波长；相邻第一电介质层的分界处或第一电介质层与第二电介质层的分界处分别嵌入有一石墨烯单层
一种可调双通道光子滤波器

[发明专利]层间介质层的填充方法-CN201810106255.4在审
发明人：郭振强 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2018-02-02 - 公布日： 2018-08-10 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种层间介质层的填充方法，包括步骤：步骤一、形成栅极结构；步骤二、在多晶硅栅的侧面形成侧墙；步骤三、淀积形成接触孔刻蚀阻挡层和第一二氧化硅层；步骤四、形成一保护层并进行回刻，回刻后保护层覆盖在间隔区域的底部区域；步骤五、以保护层为掩膜对第一二氧化硅层进行刻蚀减薄以降低间隔区域的深宽比；步骤六、形成层间介质层。本发明能提高层间介质层填充栅极结构之间的间隙的能力，较少甚至消除层间介质层的填充空洞，能防止空洞导致接触孔之间的连通，提高器件的性能。
填充保护层介质层层间介质层二氧化硅层间隔区域栅极结构接触孔回刻空洞刻蚀阻挡层底部区域多晶硅栅刻蚀减薄深宽比消除层侧墙淀积掩膜种层连通侧面覆盖

[发明专利]层间介质层的刻蚀方法-CN201910399028.X在审
发明人：戴鸿冉 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2019-05-14 - 公布日： 2019-07-30 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本发明公开了一种层间介质层的刻蚀方法，包括：在半导体衬底上依次形成有浮栅介质层、浮栅多晶硅层和层间介质层；在层间介质层上形成图案化的光刻胶层，以光刻胶层为掩模，对层间介质层进行第一次刻蚀，在层间介质层内形成具有第一深度的第一沟槽，所述第一沟槽沿其深度方向的截面从远离浮栅多晶硅层处到所述浮栅多晶硅层处收缩；以图案化的光刻胶层为掩模，对层间介质层进行第二次刻蚀，使第一沟槽形成具有第二深度的第二沟槽，第二沟槽沿其深度方向的截面从远离浮栅多晶硅层处到靠近浮栅多晶硅层处收缩；此时，第二沟槽内部沉积有聚合物，第二沟槽底部残留有部分层间介质层；去除聚合物。本发明能够在层间介质层中形成具有预定形貌的沟槽。
层间介质层浮栅多晶硅层刻蚀光刻胶层介质层聚合物图案化对层掩模收缩形貌浮栅介质层沟槽形成衬底种层沉积去除半导体残留