|
|
钻瓜专利网为您找到相关结果 9754354个，建议您 升级VIP下载更多相关专利
- [发明专利]双向二极管及导通电压可调的双向二极管-CN202210678377.7在审
-
兰东辰
-
浙江大学
-
2022-06-13
-
2022-09-20
-
H01L27/08
- 本发明提出一种双向二极管及导通电压可调的双向二极管，涉及半导体器件，包括：第一二极管区域，包括正极端D1+和负极端D1‑，第一二极管区域的正极端D1+与负极端D1‑之间等效为一二极管D1；第二二极管区域:Sub>2‑之间等效为一二极管D2，其中第二二极管区域的正极端D2+与第一二极管区域的负极端D1‑位于双向二极管的第二侧，第二二极管区域的负极端D2‑与第一二极管区域的正极端D1+位于双向二极管的第一侧；绝缘区域，位于第一二极管区域与第二二极管区域之间，用于将第一二极管区域与第二二极管区域隔离开，可简单的实现双向导通二极管，并且降低了损耗。
- 双向二极管通电可调
- [发明专利]半导体装置-CN201310375874.0有效
-
末代知子;小仓常雄;中村和敏;押野雄一;二宫英彰;池田佳子
-
株式会社东芝
-
2013-08-26
-
2014-03-26
-
H01L27/06
- IGBT区域设在第1电极上，作为IGBT发挥功能。二极管区域设在第1电极上，作为二极管发挥功能。边界区域设在IGBT区域与二极管区域之间，邻接于IGBT区域和二极管区域。第1导电型的集电区层设于IGBT区域及边界区域，在IGBT区域作为IGBT的集电区发挥功能。第2导电型的阴极层与集电区层分开设置在二极管区域，作为二极管的阴极发挥功能。第2导电型的漂移层在IGBT区域、边界区域以及二极管区域中设在集电区层及阴极层的与第1电极相反的一侧。第1导电型的扩散层在边界区域设在漂移层的与第1电极相反的一侧。
- 半导体装置
- [发明专利]半导体装置及电力变换装置-CN202211412209.X在审
-
佐藤克己
-
三菱电机株式会社
-
2022-11-11
-
2023-05-19
-
H01L29/739
- 半导体装置为在共通的半导体基体形成有晶体管和二极管的半导体装置，具有第1电极、第2电极、电流感测用的第3电极以及电流感测用的第4电极，半导体基体具有：晶体管区域，其形成有晶体管；二极管区域，其形成有二极管；以及分离区域，其设置于晶体管区域及二极管区域之间，第1电极设置于晶体管区域的第1主面之上及二极管区域的第1主面之上，第2电极设置于晶体管区域的第2主面之上及二极管区域的第2主面之上，第3电极是在晶体管区域的第1主面之上与第1电极分离地设置的，第4电极是在半导体基体的二极管区域的第1主面之上与第1电极分离地设置的。
- 半导体装置电力变换
|
