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[发明专利]接触SOI衬底-CN201610836535.1有效
发明人： C·豪夫;I·洛伦茨;M·滋尔;U·亨泽尔;N·加恩 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2016-09-21 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明涉及接触SOI衬底，其提供一种集成电路。该集成电路包括：半导体块体衬底；埋置氧化物层，形成于该半导体块体衬底上；多个单元，各单元具有晶体管装置，形成于该埋置氧化物层上方；多条栅极电极线，穿过该多个单元并为该单元的该晶体管装置提供栅极电极；以及多个连接单元(tap cell)，经配置以电性接触该半导体块体衬底并被布置于与具有该晶体管装置的该多个单元下方或上方的位置不同的位置。
接触 soi 衬底

[发明专利]衬底接触蚀刻工艺-CN201680045942.9有效
发明人： D·W·哈曼;T·E·里里伯瑞治;A·阿里 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 2016-08-08 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01L21/308 文献下载
摘要：两步工艺法的预蚀刻淀积步骤在半导体器件(100)的现有顶表面上以及在接近衬底(102)的顶表面(106)的介电衬垫(120)上形成保护性聚合物(136)。
衬底接触蚀刻工艺

[发明专利]非接触式衬底操作设备-CN201810864892.8在审
发明人：弓利军 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2018-08-01 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种非接触式衬底操作设备，设备包括：抓取臂（222）和抓取盘装置；在抓取盘装置的底部设置有呈中心对称布置的多个吸片单元（102，103）；吸片单元（102，103）设置有腔体以及与腔体相通的切向孔（102‑1，103‑1）；抓取臂内部设置有通气管，抓取盘装置内部设置有通气腔道，通气管通过通气腔道与切向孔（102‑1，103‑1）连通，利用吸片单元生成的旋转涡流产生的压力差吸附衬底。
抓取盘装置衬底吸片非接触式内部设置切向孔通气管通气腔抓取臂腔体中心对称布置单元生成晶片表面设备产能旋转涡流压力差晶片偏斜取放吸附压伤自旋连通相通污染

[发明专利]复合衬底及其制备方法-CN202110858367.7在审
发明人：徐琳;金超;赵毛毛 -专利权人：苏州纳维科技有限公司
申请日： 2021-07-28 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种复合衬底及其制备方法，包括：III‑V族衬底，所述III‑V族衬底具有III族极性面和V族极性面；欧姆接触层，所述欧姆接触层位于所述III‑V族衬底的V族极性面上。制备方法包括：提供一III‑V族衬底，所述III‑V族衬底具有III族极性面和V族极性面；在所述III‑V族衬底的V族极性面上形成欧姆接触层。本发明提供的另一种制备方法包括：提供一支撑衬底；在所述支撑衬底的表面形成欧姆接触层；在所述欧姆接触层表面形成III‑V族衬底，所述III‑V族衬底具有III族极性面和V族极性面，且所述V族极性面与所述欧姆接触层直接接触；去除所述支撑衬底。本发明通过设置欧姆接触层，提高了复合衬底的载流子浓度，降低了接触电阻，提高了欧姆接触的热稳定性以及器件的性能。
复合衬底及其制备方法

[发明专利]衬底粘附和破损的减轻-CN202080050458.1在审
发明人：亚伦·贝尔克;约翰·弗洛伊德·奥斯特罗夫斯基;桑托斯·库马尔;翁恩康;罗伯特·拉什;伊恩·沃勒;劳伦斯·金格雷;布雷特·M·赫兹格 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2020-05-13 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： C25D17/06 文献下载
摘要：在一示例中，所公开的装置的一实施方案描述了一种用于支撑衬底的衬底接触环，该衬底接触环包含外围结构，其设定尺寸并且被配置成支撑在所述衬底接触环内的所述衬底。所述外围结构包含基本平坦的环形部和与所述基本平坦的环形部机械耦合的接触指的间隔阵列。所述接触指的间隔阵列中的每一者是弹性可动的以接合所述衬底接触环内所支撑的所述衬底的边缘。所述接触指中的每一者的近端与所述衬底接触环的所述平坦的环形部机械耦合，并且所述接触指中的每一者的远端能朝所述衬底接触环径向内侧和外侧弹性移动，以在所述衬底交替地被支撑或从所述衬底接触环移除时，交替地接合和释放所述衬底的边缘
衬底粘附破损减轻

[发明专利]微悬臂梁接触粘附的临界接触长度和粘附力的测量结构-CN201210516099.1有效
发明人：唐洁影;蒋明霞 -专利权人：东南大学
申请日： 2012-12-05 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： G01B7/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种微悬臂梁接触粘附的临界接触长度和粘附力的测量结构，包括衬底、n个十字梁，下拉电极、呈阶梯形的第一衬底接触电极、n个衬底接触电极和拉动电极；每个十字梁均由横梁和扭转支撑梁组成；扭转支撑梁通过锚区连接在衬底上；下拉电极、第一衬底接触电极、n个衬底接触电极和拉动电极连接在衬底顶面，且拉动电极位于n个十字梁一测的下方，下拉电极和第一衬底接触电极位于n个十字梁另一侧的下方，n个十字梁下方对应的第一衬底接触电极的长度呈阶梯变化，每个十字梁的下方对应设置一个衬底接触电极，且各衬底接触电极靠近第一衬底接触电极。该测量结构能够获取微悬臂梁接触粘附的临界接触长度和粘附力，且测量结果准确。
悬臂梁接触粘附临界长度测量结构

[发明专利]将光电部件组件被动对准在衬底上的方法-CN201080043010.3有效
发明人： V·A·巴加瓦图拉;S·C·查帕拉拉;J·西米尔雷齐 -专利权人：康宁股份有限公司
申请日： 2010-09-17 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：一种用于将光电部件组件(OECA)对准在衬底上的方法包括将衬底对准在组装表面上并将OECA对准在衬底上，使得第一OECA对准面从第一衬底对准面突出。使衬底和OECA朝向第一组装对准机构的接触面行进，使得第一OECA对准面与第一组装对准机构的接触面接触之后第一衬底对准面与该接触面接触。当第一OECA对准面与接触面接触时OECA相对于第一衬底对准面移位，且衬底继续朝向接触面移动，由此将衬底上的OECA相对于第一衬底对准面对准。
光电部件组件被动对准衬底方法

[发明专利]半导体结构和半导体结构的制备方法-CN202210186835.5在审
发明人：李军辉;穆克军 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体结构和半导体结构的制备方法，属于半导体技术领域，该半导体结构包括衬底，衬底上设置有栅极结构和接触结构，接触结构位于栅极结构两侧；接触结构包括第一接触段和第二接触段，第一接触段与衬底接触且与衬底电性连接，第二接触段连接在第一接触段远离衬底的一端；第一接触段中与衬底接触部分的横截面积大于第二接触段的横截面积。该半导体结构能够有效减小接触结构与衬底的接触电阻，提升半导体结构的性能。
半导体结构制备方法

[发明专利]用于衬底保持装置中的弹性部件以及衬底抛光装置和方法-CN200910003370.X有效
发明人：户川哲二;吉田博;锅谷治;福岛诚;深谷孝一 -专利权人：株式会社荏原制作所
申请日： 2004-02-04 - 公布日： 2009-07-08 - 主分类号： B24B29/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于衬底保持装置中的弹性部件，其包括与衬底接触的接触部分以及与所述接触部分和所述衬底保持装置的可垂直移动部件相连的周壁，所述周壁能够在所述接触部分与所述衬底保持接触的同时垂直伸展和收缩。本发明还涉及具有所述弹性部件的衬底抛光装置和衬底抛光方法，所述衬底抛光方法包括：通过具有压力腔室的顶环保持衬底；使所述衬底与抛光表面滑动接触，同时将流体供给到所述压力腔室中，以将压力施加到所述衬底上；停止所述流体供给；通过真空抽吸将所述衬底吸附到所述顶环上；将所述顶环与所述衬底一起移动到传送位置；以及通过将流体喷射到所述衬底上使所述衬底脱离所述顶环。
用于衬底保持装置中的弹性部件以及抛光方法

[发明专利]载体衬底和集成电路-CN200810145856.2有效
发明人：哈里·赫德勒;托尔斯滕·迈尔 -专利权人：奇梦达股份公司
申请日： 2008-08-07 - 公布日： 2009-02-18 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明涉及载体衬底和集成电路。载体衬底包括：通接触件，将载体衬底的顶面上的第一接触区连接至载体衬底的底面上的第二接触区；以及衬底材料，设置在通接触件的周围。
载体衬底集成电路

[发明专利]用浅沟隔离工艺在绝缘体上硅晶片上集成衬底接触的方法-CN99126769.9有效
发明人：阿图尔·阿吉玫拉;埃芬迪·莱巴顿;沃纳·若施;多米尼克·J·施埃皮斯;格哈瓦姆·G·莎亥迪 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 1999-12-16 - 公布日： 2004-07-07 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种在包括绝缘体上硅区域的衬底中制作衬底接触的方法。浅隔离沟槽被制作在绝缘体上硅衬底中。填充此浅隔离沟槽。在衬底上淀积光刻胶。在衬底中制作穿过被填充的浅隔离沟槽、绝缘体上硅、和绝缘体上硅区域下方的硅衬底的接触沟槽。填充此接触沟槽，其中填充接触沟槽的材料形成对硅衬底的接触。
用浅沟隔离工艺绝缘体晶片集成衬底接触方法

[发明专利]一种半导体结构及其制备方法-CN202210037826.X在审
发明人：汤继峰 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-01-13 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本公开实施例公开了一种半导体结构及其制备方法，其中，所述半导体结构包括：衬底，所述衬底上形成有栅极结构，所述栅极结构两侧的衬底内分别形成源区和漏区；接触件，位于所述衬底上；所述接触件包括位于所述衬底上的第一接触件和位于所述第一接触件远离所述衬底一侧的第二接触件；其中，所述第一接触件的底面的面积大于所述第二接触件的顶面的面积。
一种半导体结构及其制备方法

[发明专利]制造带有背侧接触的半导体电池的光伏模块的方法和光伏模块-CN201080066145.1无效
发明人： U.沙夫;A.库格勒;P.策雷尔;M.齐佩尔;P.施蒂勒;M.科扬库 -专利权人：罗伯特·博世有限公司
申请日： 2010-10-26 - 公布日： 2012-12-19 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明涉及一种制造带有背侧接触的半导体电池（1）的光伏模块的方法，所述半导体电池（1）具有分别设置在接触侧（2）的接触区（3），该方法包括方法步骤：提供薄膜状的不导电衬底（4），其在第一衬底侧上带有至少一侧的并且至少逐部分地导电的衬底镀膜（5），把所述半导体电池的接触侧置于第二衬底侧上，实施穿过所述衬底和所述衬底镀膜的局部穿孔，以在所述半导体电池（1）的接触区（3）上产生所述衬底中的豁口（10），敷设接触媒介（11），用以填充所述豁口（10）并且用于形成在所述第一衬底侧上的衬底镀膜与所述第二衬底侧上的半导体电池之间的接触。
制造带有接触半导体电池模块方法

[发明专利]用于减少硅通孔电容变异性的具有改良衬底接触的硅通孔-CN201711321298.6有效
发明人： J·M·萨夫兰;J·N·恩杜马洛;刘觉;S·罗森布拉特;C·科桑达拉曼 -专利权人：格芯(美国)集成电路科技有限公司
申请日： 2017-12-12 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本发明揭示用于减少硅通孔电容变异性的具有改良衬底接触的硅通孔，其涉及半导体结构，并且特别涉及具有改良型衬底接触的贯穿硅通孔(TSV)结构及制造方法。该结构包括：第一掺杂类型的衬底；位在该衬底上的一层不同掺杂类型；贯穿该衬底所形成、并包含绝缘体侧壁及导电填充材料的贯穿衬底通孔；相邻该贯穿衬底通孔的第二掺杂类型；与该层不同掺杂类型电接触的第一接触；以及与该贯穿衬底通孔的该导电填充材料电接触的第二接触
用于减少硅通孔电容变异性具有改良衬底接触

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202011094813.3在审
发明人：刘志拯 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-10-14 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：该半导体器件包括衬底、栅极结构及自对准接触结构，其中：衬底包括源极和漏极；栅极结构形成于衬底上，且位于源极和漏极之间；自对准接触结构形成于衬底上，并在垂直于衬底的方向上包括依次连接的第一接触结构、第二接触结构及第三接触结构，第一接触结构与源极或漏极接触，第二接触结构在平行于衬底的方向上的横截面积大于第一接触结构及第三接触结构在平行于衬底的方向上的横截面积。本公开的半导体器件及其形成方法可减小接触电阻，降低工艺难度。
半导体器件及其形成方法

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