[发明专利]增强型场效应晶体管及其制备方法在审
申请号: | 202310912208.X | 申请日: | 2023-07-24 |
公开(公告)号: | CN116960182A | 公开(公告)日: | 2023-10-27 |
发明(设计)人: | 钟耀宗;孙钱;曹蕴哲;陈昕;郭小路;高宏伟;周宇;杨辉 | 申请(专利权)人: | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
主分类号: | H01L29/78 | 分类号: | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06 |
代理公司: | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人: | 赵世发 |
地址: | 215123 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明公开了一种增强型场效应晶体管及其制备方法。增强型场效应晶体管包括外延结构、MIS/MOS栅极结构以及源极、漏极,所述外延结构包括至少一异质结,所述异质结内形成有载流子沟道,所述外延结构的栅极区域设置有栅极凹槽,所述栅极凹槽的槽底位于所述第一半导体层内,槽口位于所述第二半导体层,所述载流子沟道被所述栅极凹槽隔断;所述MIS/MOS栅极结构包括沿所述选定方向依次层叠设置的第三半导体层、栅介质层和栅极,当向所述栅极施加正向电压时,所述第三半导体层内反型产生电子,位于所述栅极凹槽两侧的所述载流子沟道经所述电子电连接。本发明具有更高的栅极正向击穿电压和阈值电压。 | ||
搜索关键词: | 增强 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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