[发明专利]一种集成SBR的SGT MOSFET在审
| 申请号： | 202010876407.6 | 申请日： | 2020-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN112185957A | 公开（公告）日： | 2021-01-05 |
| 发明（设计）人： | 谢福渊 | 申请（专利权）人： | 娜美半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/06 | 分类号： | H01L27/06;H01L29/06;H01L29/786;H01L29/861 |
| 代理公司： | 上海申汇专利代理有限公司 31001 | 代理人： | 徐俊 |
| 地址： | 中国台湾新北*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种包含有SGT MOSFET和SBR的集成电路。所述的SGT MOSFET和SBR水平置于单芯片的不同区域，为MOS沟道中的多数载流子创造了一个低电位势垒，以减少开关损耗。仅需一个额外的掩膜版，即可实现栅氧化层比SGT MOSFET更薄的短沟道SBR的集成。此外，在一些优选实施例中，屏蔽栅电极采用MSO结构以进一步降低导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成 sbr sgt mosfet | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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