[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202310083053.3 | 申请日： | 2023-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN116344505A | 公开（公告）日： | 2023-06-27 |
| 发明（设计）人： | 杨忠杰;彭永州 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L23/64;H01L27/06;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请的实施例提供了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括电容器，该电容器具有第一导体板、第二导体板和插入在其间的介电层的部分。半导体器件包括与第一导体板电接触的多个第一接触结构。半导体器件包括与第二导体板电接触的多个第二接触结构。多个第一接触结构和多个第二接触结构以棋盘图案横向布置，从而使得多个第一接触结构中的每个由多个第二接触结构中的相应四个第二接触结构围绕。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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