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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]用于比较器的电路和用于减少比较器中的反冲噪声方法-CN201910911710.2有效
发明人：张清河;洪照俊;彭永州 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-09-25 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H03K5/24 文献下载
摘要：本公开用于减少和消除反冲噪声的电路和方法。在一个实例中，公开一种用于比较器的电路。电路包括：第一晶体管组、第二晶体管组以及第一开关。第一晶体管组包括具有耦合到第一节点的漏极的第一晶体管以及具有耦合到第一节点的源极的第二晶体管。第一晶体管及第二晶体管的栅极一起耦合到比较器的第一输入端。第二晶体管组包括具有耦合到第二节点的漏极的第三晶体管，以及具有耦合到第二节点的源极的第四晶体管。第三晶体管及第四晶体管的栅极一起耦合到比较器的第二输入端。第一开关连接到第一节点及第二节点且在第一节点与第二节点之间。
用于比较电路减少中的反冲噪声方法

[实用新型]集成电路-CN202321193553.4有效
发明人：杨忠傑;吕宗庭;彭永州 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-05-17 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：一种集成电路包括：金属导线阵列，其在金属层中，该金属层覆盖由基板支撑的绝缘层；第一金属段行列，其在该金属层中在金属导线阵列中的第一金属导线与第二金属导线之间有多个金属段；以及电路，其具有第一输入端及第二输入端。第一输入端连接至第一金属导线，第二输入端连接至第二金属导线，第一金属导线的第一长度等于第二金属导线的第二长度。
集成电路

[发明专利]半导体单元结构、集成电路及其制造方法-CN202310495211.6在审
发明人：陈家忠;周文昇;彭永州;袁忠盛;郑仪侃 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-05-05 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种半导体单元结构及其制造方法。半导体单元结构包括第一互补金属氧化物半导体(CMOS)和第二CMOS，第一导电元件和第二导电元件。第一CMOS和第二CMOS被放置在衬底上，参考电压通过第一导电元件和第二导电元件分别提供给第一CMOS和第二CMOS。第一导电元件的宽度乘以第一CMOS的沟道长度的乘积与第二导电元件的宽度乘以第二CMOS的沟道长度的乘积呈正相关。本发明的实施例还提供了一种集成电路。
半导体单元结构集成电路及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202310083053.3在审
发明人：杨忠杰;彭永州 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-02-07 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本申请的实施例提供了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括电容器，该电容器具有第一导体板、第二导体板和插入在其间的介电层的部分。半导体器件包括与第一导体板电接触的多个第一接触结构。半导体器件包括与第二导体板电接触的多个第二接触结构。多个第一接触结构和多个第二接触结构以棋盘图案横向布置，从而使得多个第一接触结构中的每个由多个第二接触结构中的相应四个第二接触结构围绕。
半导体器件及其制造方法

[实用新型]用于薄氧化物技术的半导体元件-CN202222685436.1有效
发明人：陈永顺;张志强;彭永州 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-10-12 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H03K19/0185 文献下载
摘要：本实用新型实施例涉及用于薄氧化物技术的半导体元件。本文提供了一种包含反相器电路、磁滞控制电路和高侧输入电平移位器的元件。反相器电路具有输出并包含至少两个串联连接的P型沟道金属氧化物半导体(PMOS)晶体管，在所述输出处串联到至少两个串联连接的N型沟道金属氧化物半导体(NMOS)晶体管。磁滞控制电路耦合输出以提供反馈信号给至少两个串联连接的PMOS晶体管和至少两个串联连接的NMOS晶体管。高侧输入电平移位器连接到至少两个PMOS晶体管的栅极，并经布置以将输入信号的低电平偏移到较高电平，并将较高电平提供给至少两个PMOS的栅极中的一或多个晶体管。
用于氧化物技术半导体元件

[发明专利]计算器件以及方法-CN202010484050.7有效
发明人：洪照俊;张清河;彭永州 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-06-01 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：在一些示例中，计算器件包括多个数模转换器(DAC)，多个数模转换器的输出连接到相应的运算放大器、并且输出连接到相应的晶体管的栅极，分别与相应的存储器元件形成串联组合。串联组合连接在参考电压点和导线之间。模数转换器在输入处连接到导线。DAC生成的模拟信号的导通时段长度对应于DAC输入处的相应的数。晶体管生成电流，电流指示相应DAC的输出信号的电平以及用于导通时段的相应存储器元件的存储器状态。组合的电流将具有寄生电容的导线充电或放电到电压，该电压指示由存储器状态加权的数的和。电压被转换成加权和的数字表示。本申请的实施例还涉及一种计算的方法。
计算器件以及方法

[实用新型]半导体器件-CN202221641759.4有效
发明人：陈家忠;周文昇;彭永州;刘雅芸 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-06-28 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种半导体器件包括第一半导体阱。该半导体器件包括设置在第一半导体阱上方并沿第一横向方向延伸的通道结构。该半导体器件包括沿第二横向方向延伸并跨越通道结构的栅极结构。该半导体器件包括设置在通道结构的第一侧上的第一外延结构。半导体器件包括设置在通道结构的第二侧上的第二外延结构，第一侧和第二侧在第一横向方向上彼此相对。第一外延结构通过第一半导体阱中的第二半导体阱与第一半导体阱电耦合，且第二外延结构通过介电层与第一半导体阱电隔离。
半导体器件

[发明专利]半导体装置及监测半导体装置的温度的方法-CN202210731046.5在审
发明人：刘思麟;连倍兴;陈翊文;张清河;洪照俊;彭永州 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-06-24 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：一种半导体装置及监测半导体装置的温度的方法，半导体装置包括：温度无关电流产生器，产生实质上与温度无关的参考电流及为参考电流实质上的复制品的镜像电流；脉冲信号产生器，对镜像电流进行采样以产生脉冲信号；及计数器，获取由脉冲信号产生器产生的脉冲信号的数量，当判定由此获得的脉冲信号的数量小于预定临限值时，允许脉冲信号产生器产生脉冲信号，且当判定由此获得的脉冲信号的数量等于预定临限值时，禁止脉冲信号产生器产生脉冲信号。
半导体装置监测温度方法

[发明专利]半导体装置以及可控电路启用方法-CN202210116806.1在审
发明人：康伯坚;周文昇;彭永州 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-02-07 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：一种半导体装置以及可控电路启用方法，半导体装置包含：迟滞块，用以产生处于对应禁用启用电压位准的输出电压；及核心电压闸控(CVG)装置，用以接收核心电压，迟滞块的输入端耦接至控制节点。核心电压闸控装置用以回应于核心电压处于或低于第一触发位准，更改控制节点处的控制电压以便使迟滞块的输出电压在禁用电压位准处产生。另外，核心电压闸控装置用以回应于核心电压处于或高于第二触发位准，更改控制节点处的控制电压以便使迟滞块的输出电压在启用电压位准处产生，第二触发位准高于第一触发位准。
半导体装置以及可控电路启用方法

[发明专利]模拟集成电路布局的产生系统与方法-CN202110827161.8在审
发明人：杨宇滔;周文昇;彭永州;庄永旭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-07-21 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： G06F30/36 文献下载
摘要：一种模拟集成电路布局的自动产生系统与方法，揭示用于产生模拟集成电路的一或多个非最终布局的多种技术。此些技术包括基于元件规格产生模拟集成电路的非最终布局；将非最终布局分区成多个子单元；合并经验证的子单元以形成模拟集成电路的已合并布局；及针对已合并布局执行品质控制检查。或者或另外，产生非最终布局可包括确定不同单元类型的相邻单元之间的可允许间距或将一或更多个填充(filler)单元插入至非最终布局中的填充区域中。
模拟集成电路布局产生系统方法

[发明专利]制造模拟集成电路的方法及系统、产生布局的方法-CN202110800550.1在审
发明人：张志强;周文昇;彭永州;庄永旭;杨宇滔;卡锡那·宾杜·马达维 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-07-15 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：一种制造模拟集成电路的方法及系统、产生布局的方法，揭示了用于自动地产生模拟集成电路的非最终布局的多个子单元的各种技术。接收模拟集成电路的多个元件规格及分割信息。基于多个元件规格及分割信息，来决定在模拟集成电路的非最终布局中沿着第一方向待产生的第一切口集合的多个第一切割位置及在非最终布局中沿着第二方向待产生的第二切口集合的多个第二切割位置。在切割位置处在非最终布局中产生第一切口集合以产生临时布局。在切割位置处在临时布局中产生第二切口集合以产生多个子单元。
制造模拟集成电路方法系统产生布局

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202210073362.8在审
发明人：吕宗庭;张志强;杨忠杰;彭永州 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-21 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本申请公开了半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括在衬底之上的有源区域，该有源区域沿第一横向方向延伸。该半导体器件包括多个第一导电结构，可操作地耦合到有源区域。第一导电结构沿第二横向方向延伸。该半导体器件包括设置在多个第一导电结构之上的多个第二导电结构。第二导电结构沿第一横向方向延伸。该半导体器件包括具有第一电极和第二电极的第一电容器。第一电极包括第一导电结构之一和有源区域，并且第二电极包括第二导电结构中的第一个。有源区域和第一导电结构中的每一个电耦合到被配置为载送电源电压的电源轨结构。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]集成电路及其制造方法-CN202210039343.3在审
发明人：张清河;陈翊文;洪照俊;彭永州 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-13 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H03K19/0944 文献下载
摘要：本申请的实施例涉及一种集成电路及其制造方法。该集成电路包括：第一电路，具有m个并联耦合的第一单元，任一第一单元包括一个或多个串联耦合的第一晶体管；以及第二电路，具有n个并联耦合的第二单元，任一第二单元包括一个或多个串联耦合的第二晶体管。第一电路的栅极端子耦合到第二电路的栅极端子。m和n是不同的正整数。
集成电路及其制造方法

[发明专利]电压放大器、放大输入电压的方法及其系统-CN202110190026.7在审
发明人：张清河;洪照俊;彭永州 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-02-18 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： H03F3/45 文献下载
摘要：本文揭示内容揭示一种电压放大器、放大输入电压的方法及其系统，是关于基于串接电荷泵浦升压的放大输入电压的系统及方法。在一态样中，根据输入电压将第一电荷储存于第一电容器以获得第二电压。在一态样中，根据储存于第一电容器的第一电荷来放大第二电压以获得第三电压。在一态样中，根据第三电压将第二电荷储存于第二电容器。在一态样中，根据储存于第二电容器的第二电荷来放大第三电压以获得第四电压。
电压放大器放大输入电压方法及其系统

[发明专利]半导体装置-CN202110141281.2在审
发明人：杨忠傑;吕宗庭;彭永州 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-02-02 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：一种半导体装置包括具有第一组电路部件的电路，其中电路是在基板的第一侧上的电路区域中，及基板的第一侧上方的第一组导电柱。在半导体装置中，第一导电轨条电连接至第一组导电柱中的每一者，其中第一组导电柱中的每一者通过第一导电轨条电连接至第一组电路部件中的每一者；及延伸穿过基板的第一电力单元，其中第一电力单元包括延伸穿过基板的一第一数目个电力柱，其中第一数目个电力柱中的每一者并行电连接至第一导电轨条。
半导体装置

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