[发明专利]一种碳化硅中空微球的制备方法在审
| 申请号： | 202310056696.9 | 申请日： | 2023-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN116395694A | 公开（公告）日： | 2023-07-07 |
| 发明（设计）人： | 潘凯;张明慧;王子雯;陈轲;赵彪 | 申请（专利权）人： | 北京化工大学 |
| 主分类号： | C01B32/984 | 分类号： | C01B32/984 |
| 代理公司： | 北京圣州专利代理事务所(普通合伙) 11818 | 代理人： | 徐晟逸 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种碳化硅中空微球的制备方法，属于材料制备技术领域。将核层分散相、壳层分散相、连续相和收集相采用同轴微流控技术制备得到核壳结构酚醛微球；将得到的核壳结构酚醛微球在氮气氛围下进行煅烧，得到碳中空微球；将得到的碳中空微球与硅粉混合后在氮气氛围下进行高温煅烧，得到碳化硅中空微球。本发明方法成功克服了酚醛树脂难以快速固化成微球的问题，通过调控微流控的同轴管道直径可以实现核壳结构酚醛微球的壁厚的调控进而实现碳化硅中微球壁厚的调控最终实现密度可调，达到降低密度的目的。此外，碳化硅中空微球还具有可实现批量化生产的特性，在航天电子器件领域具有潜在应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 中空 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京化工大学，未经北京化工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202310056696.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 一种利用褐煤制备SiC纳米线的方法及应用-202311004551.0
- 王志江;王振;井庆贺;孙元帅;张宝财 - 扎赉诺尔煤业有限责任公司;哈尔滨工业大学
- 2023-08-10 - 2023-10-20 - C01B32/984
- 一种利用褐煤制备SiC纳米线的方法及应用，它涉及一种制备SiC纳米线的方法及应用。本发明要解决现有纯相SiC纳米线合成方法存在成本高、操作复杂的问题。制备方法：一、将硅粉和石英砂球磨混合并过筛处理；二、将硅粉和石英砂的混合物置于石墨坩埚中并盖上盖板；三、高温反应。本发明用于利用褐煤制备SiC纳米线的方法及应用。
- 一种提高固相合成碳化硅出料率的合成方法-202310905728.8
- 周元辉;陈建明;刘春艳 - 苏州优晶光电科技有限公司
- 2023-07-24 - 2023-10-20 - C01B32/984
- 本发明属于碳化硅晶体生长的衍生技术领域，具体涉及一种提高固相合成碳化硅出料率的合成方法，包括使碳化硅产物块体进行破碎、筛分、清洗和干燥后获得碳化硅粉末，所述碳化硅产物块体为固相合成获得的碳化硅产物块体，所述碳化硅粉末的粒度为20目~80目；使碳粉、硅粉和所述碳化硅粉末均匀混合后得到用于所述固相合成的原料，所述原料中，所述碳化硅粉末的质量与碳粉和硅粉的质量之和的比值为0.04~0.2；将所述原料铺设至所述固相合成所用的坩埚内，将所述坩埚放入合成炉中，进行固相合成碳化硅。本发明的方法能够提高碳化硅固相合成出料率。
- 一种碳化硅纳米线的制备方法-202310853980.9
- 李响;齐笑言;吴静;吴松羽;李成俊;韩月;杨璐羽;杨滢璇;李海强 - 国网辽宁省电力有限公司电力科学研究院;国家电网有限公司
- 2023-07-13 - 2023-10-10 - C01B32/984
- 本发明属于纳米材料制备技术领域，尤其涉及一种碳化硅纳米线的制备方法。本发明包括以下步骤：预处理、装料、反应及收集产物。本发明碳化硅纳米线的制备方法无需使用MTS、PCS等价格昂贵的有机硅烷作为反应前驱体，避免了金属催化剂的使用，也免去了杂质的引入，并且获得的产物纯度较高。本发明的纳米线形貌是在合成过程中生成的，并且使用的原料价格低廉，对设备要求低，常见的高温反应炉即可满足使用需求，制备工艺简单易操作，使生产成本得到显著的提高。
- 一种碳化硅粉制备装置-202223259248.9
- 马振备;颜才祥 - 福建省沙县言信碳化硅新材料有限公司
- 2022-12-06 - 2023-09-29 - C01B32/984
- 本实用新型涉及碳化硅粉制备技术领域，具体为一种碳化硅粉制备装置，包括制备炉、收集槽、收集驱动组件、刮粉板、电极、电极座和升降驱动组件，所述收集槽处于伸入所述制备炉内的状态时，所述收集槽将所述制备炉内部从上至下依次划分为刮粉区和生长区，所述刮粉板上竖直设置有多个刮粉孔，所述电极外接有电源，所述电极上设置有碳源，所述生长区设置有开口向上的坩埚，所述坩埚的内壁上设置有加热组件，所述制备炉的一侧设置有连通所述坩埚的进料管，所述电极和坩埚分别设置于所述收集槽的正上方和正下方；本实用新型连续性好，适用于碳化硅粉的连续制备，还能自动将碳化硅粉从电极上刮除，收集过程更省时省力。
- 一种大公斤碳化硅粉料合成方法-202310826893.4
- 徐红立;林育仪 - 通威微电子有限公司
- 2023-07-07 - 2023-09-26 - C01B32/984
- 本发明提供了一种大公斤碳化硅粉料合成方法，涉及碳化硅粉料制备技术领域，该方法将炉腔升温至第一排杂温度T1，利用PVC颗粒层的一次分解气体将大量杂气得以清除，实现一次排杂，然后再将炉腔升温至第二排杂温度T2，利用持续分解产生的二次分解气体持续带走杂气，实现二次排杂，持续将杂质去除，最后将炉腔升温至第三排杂温度，利用三次分解气体实现三次排杂。相较于现有技术，本发明一方面采用分散装料的方式，减小原料积压，减少碳化挥发现象，实现大公斤粉料的制备，提升产出率。另一方面使得反应坩埚能够实现不同温区的多次换气排杂，大幅提升排杂效果，可以有效提高粉料纯度。
- 降低氮元素杂质含量的碳化硅合成方法-202310670050.X
- 徐永宽;刘楚;陈建丽;马文成;齐小方;胡章贵 - 天津理工大学
- 2023-06-07 - 2023-09-22 - C01B32/984
- 本发明公开了一种降低氮元素杂质含量的碳化硅合成方法，将Ti金属单质装入带盖石墨坩埚中，然后将带盖石墨坩埚放入碳化硅粉料合成坩埚中；Si和C粉混合均匀后放入碳化硅粉料合成坩埚中并将碳化硅粉料合成坩埚密封；将粉料合成坩埚放入石墨加热器中，将石墨加热器密封并抽至本底真空，充入氩气，保持炉内压力，然后按照预设温控程序进行升温及保温完成碳化硅粉料的合成。本发明利用Ti金属在高温下具有物理吸附和化学吸附氮杂质的效果，生成Ti
- 一种全中空碳化硅微珠及其制备方法-202310685130.2
- 罗建华;王健;石珂俣 - 峨眉山市鑫锐新材料有限公司
- 2023-06-09 - 2023-09-22 - C01B32/984
- 本发明公开了一种全中空碳化硅微珠及其制备方法，属于无机填料制备领域。该方法包括以下步骤：将硅粉、硅溶胶按照用量比混合，经喷雾干燥机喷雾干燥成微珠；对微珠进行包膜处理、干燥处理、固化处理和碳化处理得到碳化后的微珠；对碳化后的微珠进行烧结处理，液化的单质硅浸润外包膜，生成碳化硅外壳；内核的二氧化硅、液相硅反应生成一氧化硅气体排出，排出的一氧化硅气体与外壳包膜的碳反应生成全中空碳化硅微珠。本发明不仅解决了现有技术中制备得到的空心碳化硅微珠内核是呈蜂窝或层状的，并不是完全中空的问题，极大程度减轻了碳化硅微珠的重量，而且在此基础上有效增强了碳化硅微珠的强度，避免全中空碳化硅微珠出现破碎的问题。
- 一种温场均匀的碳化硅立式合成炉-202210561656.5
- 王人松;高树良;胡动力;廖亚 - 连城凯克斯科技有限公司
- 2022-05-23 - 2023-09-22 - C01B32/984
- 本发明属于碳化硅合成领域，具体的说是一种温场均匀的碳化硅立式合成炉，包括石墨坩埚；所述石墨坩埚的侧壁安装有外壳；所述外壳的内部固接有电推杆；所述电推杆的输出端固接有支撑架；通过设置的环绕线圈连接中频感应电源供电，实现环绕线圈感应加热线圈的功率调整，配合电推杆带动上下滑动对石墨坩埚的侧壁加热，起到对外壳内部温场控制均衡的作用，并且依靠在环绕线圈的表面涂覆耐热涂层，并包裹环绕线圈，降低高温对环绕线圈的灼伤，同时利用温度传感器对外壳内部温度监测，温度过高时使警报灯发出警报，提醒工人打开密封塞使外壳内部快速散热，把控温场的均匀性。
- 合成SiC粉料的方法-202310692040.6
- 叶磊;张洁;高玉强 - 湖南三安半导体有限责任公司
- 2023-06-12 - 2023-09-15 - C01B32/984
- 本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及合成SiC粉料的方法，其包括：混合原料粉末，制得原料混合粉料，原料粉末包括第一Si粉和第一C粉；球磨原料混合粉料，制得球磨混合粉料，球磨混合粉料包括第二Si粉和第二C粉，第二Si粉的粒径小于5微米，第二C粉的粒径小于5微米，且第二Si粉和第二C粉在球磨混合粉料中的总占比大于或等于80％；将球磨混合粉料合成SiC粉料。本发明的方法能够减少黑色的SiC粉料的产生，进而有利于减少制得的SiC粉料在SiC长晶过程中产生的多型、空洞等晶体缺陷问题。
- 一种气固工艺合成碳化硅粉体的装置-202320208789.4
- 魏红康;邱慧娟;李佳;邓翔宇;赵林;汪长安;谢志鹏 - 景德镇陶瓷大学
- 2023-02-14 - 2023-09-08 - C01B32/984
- 本实用新型公开了一种气固工艺合成碳化硅粉体的装置，其盛放硅源的第一坩埚，第一坩埚开口向上，外围设有支撑件，凹件位于支撑件上，由支撑件支撑；凹件上挖设开口朝上环形的凹槽，凹槽内盛放碳源，凹槽的内环中设有通孔；第一坩埚位于通孔内，凹槽的底部由支撑件支撑，第一坩埚的锅壁与凹槽的内槽壁靠近且不接触；凹件上设有压盖，压盖覆盖凹件的槽口和第一坩埚的开口；凹件的内槽壁的上端与第一坩埚的锅壁的上端平齐，且不与压盖的底面接触。本实用新型提供的气固工艺合成碳化硅粉体的装置将碳源与硅源分开放置，且碳源位于硅源的上方四周，有利于缩短硅蒸汽到达碳源表面的路径，减少硅源损失，反应更均匀与充分，减少坩埚损耗，降低生产成本。
- 一种大颗粒碳化硅粉料制备装置与方法-202310654992.9
- 涂小牛;贺贤汉;忻隽;孔海宽;李书顶 - 安徽微芯长江半导体材料有限公司
- 2023-06-02 - 2023-09-01 - C01B32/984
- 本发明公开了一种大颗粒碳化硅粉料制备装置与方法，涉及到半导体材料技术领域，包括带有降温结构的高温加热炉、坩埚以及坩埚盖，还包括密封罩，所述密封罩靠近开口端的内腔壁上突出设有密封环，且所述密封环位于所述坩埚盖与所述坩埚连接缝隙处下方，所述密封罩上安装有与其内腔相通的连接管，且所述连接管通过连接件与贯穿所述高温加热炉的排气管进行密封连接，所述排气管位于所述高温加热炉外壁的部位上安装有排气单向阀，所述密封罩的内腔顶部固定有支撑件。本方法基于传统的固相合成方法，并借鉴气相合成原理，通过改变烧料坩埚的长径比，显著提高合成的碳化硅粉料颗粒度，可实现大批量合成大颗粒碳化硅粉料，具有显著经济效益。
- 一种颗粒度均匀的碳化硅粉料制备装置与方法-202310675593.0
- 涂小牛;贺贤汉;孔海宽;忻隽;李书顶 - 安徽微芯长江半导体材料有限公司
- 2023-06-08 - 2023-08-29 - C01B32/984
- 本发明公开了一种颗粒度均匀的碳化硅粉料制备装置与方法，涉及到半导体材料技术领域。本发明结构合理，方法基于传统的固相合成方法，通过设计长径比为0.95的烧料坩埚，在烧料坩埚内基本没有温度梯度，保证烧料坩埚内部的碳化硅晶粒能够原位长大，形成颗粒度均匀的碳化硅粉料。此外，通过调控合成时间还可以进一步调节颗粒度大小和占比。具有粒度大且可调、操作简单、无需分级等优点，能工业化制备高纯碳化硅粉料，具有显著经济效益。
- 碳化硅废粉再利用以生产碳化硅的方法及应用-202310391497.3
- 李奕铭;林宏达;翟虎;宋亚滨 - 浙江兆晶新材料科技有限公司;东旭科技集团有限公司
- 2023-04-13 - 2023-08-18 - C01B32/984
- 本发明涉及碳化硅制备领域，公开了一种碳化硅废粉再利用以生产碳化硅的方法及应用。本发明的方法包括：向所述管状模具与所述反应容器的侧壁之间的间隙填充碳化硅废粉，并向所述管状模具的内侧填充碳硅混合料；填充完成后，拆卸所述管状模具，盖上所述反应容器的盖体，将所述反应容器置于合成炉进行合成反应制得所述碳化硅粉料。本发明提供的方法将无法用于晶体生长的碳化硅废粉回收再利用以生产碳化硅粉料，为碳化硅废粉的再利用开辟了新途径，提高了碳化硅废粉的利用率，同时，克服了现有技术合成的碳化硅粉料碳化而导致最终得到的碳化硅产率降低的问题，提高了碳硅混合料合成得到的碳化硅粉料的产率。
- 碳化硅的生产方法以及专用生产系统-202110142740.9
- 王宁 - 北京绿清科技有限公司
- 2021-02-02 - 2023-08-18 - C01B32/984
- 本发明公开了碳化硅的生产方法以及专用生产系统。本发明在原材料的选取上采用易于提纯的液态体系为原材料为生产高纯度纳米级碳化硅粉体奠定了原料基础；在碳化硅生产过程中应用单炉多层流化熔融炉提高物料的充分混合和传质传热，一步实现碳化硅产品的完全转化，无需分离回用乏料；利用石墨化加热芯精准控制单炉多层流化熔融炉内各个床层的温度控制产品类型；应用单炉多层流化熔融炉多个床层有效缩短碳化硅生产过程的反应时间；应用惰性气体作为流化气在床层熔融物料中产生湍动实现物料混合和反应均匀；在碳化硅生产过程中充分应用流化气的余热用于生产原料的干燥和原料进入熔融制备单元气力输送过程，实现了能量的有效回用。
- 碳化硅粉料合成方法-202310433994.5
- 黄四江;王美春;李希超;刘得伟;尹归;杨海平;殷云川 - 昆明云锗高新技术有限公司;云南临沧鑫圆锗业股份有限公司
- 2023-04-21 - 2023-08-08 - C01B32/984
- 碳化硅粉料合成方法，属于碳化硅合成技术领域，具体涉及一种新型的碳化硅粉料的合成方法。本发明的方法首先将硅粉进行研磨筛分，并与碳粉混合均匀，并加入稳定剂硅化铈；把混好的料放入钽坩埚内抽真空，开启加热设备升温度充入氩气，让原料中的氮杂质与钽坩埚反应，生成氮化钽；继续升高温度让碳粉与硅粉充分反应生成反应生成α‑SiC粉料；反应室抽气，使炉内气压下降，继续提高温度，直至反应完成，然后逐渐降温至室温，结束反应。本发明的方法，用于半绝缘型碳化硅粉料的合成效果较好，合成粉料中消除了硅和碳单质，合成的粒径更大。
- 一种碳化硅原料合成炉-202111490166.2
- 黎志欣;胡动力;李扬;李占贤;廖亚;刘景和 - 连城凯克斯科技有限公司
- 2021-12-08 - 2023-08-08 - C01B32/984
- 本发明属于碳化硅合成领域，具体的说是一种碳化硅原料合成炉；包括外壳、中间云母条、上线圈和下线圈；所述外壳的内部设有云母条底座；所述云母条底座的顶面固连有中间云母条；所述中间云母条的表面固连有环绕线圈；所述环绕线圈包括有上线圈和下线圈；所述上线圈和下线圈分别连有中频感应电源；所述环绕线圈的中部位置设有坩埚；通过本发明双线圈感应加热及耦合控制，使得原料的合成区温场径向均匀，轴向温度梯度控制，控制系统稳定性较好，能够高效的进行原料合成，且碳化硅粉合成成本比传统的长晶炉合成成本降低50％,炉内热场中坩埚内部的温度均匀可控。
- 一种碳化硅粉料的制备方法与碳化硅粉料-202310731030.9
- 张永伟;袁振洲;刘欣宇 - 江苏超芯星半导体有限公司
- 2023-06-20 - 2023-08-04 - C01B32/984
- 本发明提供了一种碳化硅粉料的制备方法与碳化硅粉料，所述制备方法包括：硅粉与碳粉的混合粉料、碳化硅粉及粘结剂溶液混合后，通过喷雾造粒得到原料微球，所得原料微球进行热处理，得到碳化硅粉料；所述混合粉料的D50粒径为100～5000nm，所述碳化硅粉的D50粒径为50～300μm。本发明提供的制备方法的制备时间较短，大大缩短了碳化硅粉料的制备周期，从而降低了生产成本，有利于碳化硅粉料的批量化生产；同时，所述制备方法制备的碳化硅粉料的粒径均匀，颗粒较大，0.5mm以上粒径的碳化硅粉料的占比可达80％，且杂质含量较低。
- 基于直流脉冲激发的碳化硅纳米管制备方法-202111157245.1
- 周海涛;刘大博;罗飞;罗炳威;马可欣;胡春文 - 中国航发北京航空材料研究院
- 2021-09-30 - 2023-08-04 - C01B32/984
- 本发明涉及纳米材料制备技术领域，公开了基于直流脉冲激发的碳化硅纳米管制备方法，包括步骤通入气态碳源，对气态碳源加载直流脉冲形成激发电场，激发电场中的游离电子会被加速，导致电子雪崩形成碳等离子活性基团；所述碳等离子活性基团会与硅蒸汽反应生成碳化硅团簇，所述碳化硅团簇会在所述形核点上自组装成碳化硅纳米管。本方法具有工艺设备简单、产物纯度高、可控性强等优点。
- 碳化硅粉料的制备方法-202310406312.1
- 李奕铭;林宏达;翟虎;宋亚滨 - 成都中浦科技有限公司;东旭科技集团有限公司
- 2023-04-17 - 2023-07-28 - C01B32/984
- 本申请提供一种碳化硅粉料的制备方法，涉及碳化硅粉料技术领域。该方法包括：向石墨坩埚的内部中铺设保护层；向增设有保护层的石墨坩埚中装入待处理物；其中，保护层用于阻隔待处理物对石墨坩埚的侵蚀。本方法通过铺设的保护层来隔断待处理物与石墨坩埚的接触，防止了装入待处理物在加热过程中对石墨坩埚的侵蚀，解决了现有石墨坩埚因易被待处理物侵蚀而导致的使用寿命短的问题。
- 一种掺杂稀土元素的碳化硅粉料及其制备方法-202010615817.5
- 靳婉琪;耶夫亨·布勒琴科;王超 - 山东天岳先进科技股份有限公司
- 2020-06-30 - 2023-07-18 - C01B32/984
- 本申请公开了一种掺杂稀土元素的碳化硅粉料的制备方法，所述制备方法包括下述步骤：(1)将含稀土元素物质与高纯硅粉进行高温反应，得到稀土元素的硅化物；(2)将所述稀土元素的硅化物、高纯硅粉和高纯碳粉进行合成反应，得到掺杂稀土元素的高纯碳化硅粉料；所述稀土元素选自铈、镧、镨、钕、钪和钇中的至少一种。本申请方法利用含稀土元素物质，得到掺杂稀土元素的碳化硅粉料，所述稀土元素部分包覆在碳化硅粉料表面，部分进入到碳化硅粉料的晶格中，提高了稀土元素在碳化硅粉料中的分布均匀性；本申请的制备方法简单，条件易控制，制得的掺杂稀土元素的碳化硅粉料不仅稀土元素掺杂均匀，且纯度较高。
- 一种通过层层组装高产量制备高纯SiC纳米线的方法-202310399081.6
- 康鹏超;赵旗旗;卫增岩;王平平;张体恩;姜龙涛;武高辉 - 哈尔滨工业大学
- 2023-04-14 - 2023-07-14 - C01B32/984
- 一种通过层层组装高产量制备高纯SiC纳米线的方法，本发明涉及制备高纯SiC纳米线的方法领域。本发明是为了解决目前SiC纳米线合成工艺复杂和苛刻、制备周期长、成本高，且纳米线纯度低、产量低的问题。方法：一、硅粉和碳基板预处理；二、SiC纳米线合成。本发明打破反应气体的浓度分布，不仅能在石墨基板上获得大量高纯度纳米线，同时在硅源位置也能获得大量纳米线，石墨基板和硅源这两个位置生长纳米线，显著提高纳米线的产量。本发明所制备的SiC纳米线在高温陶瓷，光电器件、微波吸收等领域拥有广阔的应用前景。
- 一种碳化硅中空微球的制备方法-202310056696.9
- 潘凯;张明慧;王子雯;陈轲;赵彪 - 北京化工大学
- 2023-01-16 - 2023-07-07 - C01B32/984
- 本发明提供了一种碳化硅中空微球的制备方法，属于材料制备技术领域。将核层分散相、壳层分散相、连续相和收集相采用同轴微流控技术制备得到核壳结构酚醛微球；将得到的核壳结构酚醛微球在氮气氛围下进行煅烧，得到碳中空微球；将得到的碳中空微球与硅粉混合后在氮气氛围下进行高温煅烧，得到碳化硅中空微球。本发明方法成功克服了酚醛树脂难以快速固化成微球的问题，通过调控微流控的同轴管道直径可以实现核壳结构酚醛微球的壁厚的调控进而实现碳化硅中微球壁厚的调控最终实现密度可调，达到降低密度的目的。此外，碳化硅中空微球还具有可实现批量化生产的特性，在航天电子器件领域具有潜在应用价值。
- 一种具有片层结构β-SiC及其制备方法-202011168634.X
- 李江涛;王丽圆;杨增朝;贺刚 - 中国科学院理化技术研究所
- 2020-10-28 - 2023-07-07 - C01B32/984
- 本发明以石墨烯为碳源，与硅粉在氮气气氛下，通过引燃化学炉进行燃烧合成制备β‑SiC，呈现规则的薄片层状结构，不含有游离硅，相纯度高；在片层结构的边缘存在β‑SiC纳米晶须，片层结构内部包括相互交错、细小且短的SiC纳米晶须、以及相互连接的SiC纳米颗粒。大大提高了材料热导率以及陶瓷材料的韧性，能够应用于电子器件封装基板、热交换器等热性能要求高的场合；且制备工艺简单、成本低、反应时间短，有利于工业化生产。
- 生产碳化硅粉料的方法、碳化硅粉料及其应用-202211582777.4
- 李健;林宏达;宋亚滨;翟虎 - 成都中浦科技有限公司;东旭科技集团有限公司
- 2022-12-09 - 2023-06-27 - C01B32/984
- 本发明涉及碳化硅制备技术领域，公开了生产碳化硅粉料的方法、碳化硅粉料及其应用。该方法包括：将原料进行第一合成反应；在惰性气体的存在下，将第一合成反应的产物进行第二合成反应；其中，原料由混合料A和混合料B沿垂直方向依次层叠堆积而得，混合料A和混合料B中均含有硅粉和碳粉；混合料A的层数与混合料B的层数相同且不小于1；混合料A的硅碳摩尔比大于1：1；混合料B的硅碳摩尔比小于1：1；混合料A和混合料B的用量使得原料的硅碳摩尔比等于1：1‑1.03。该方法能够避免反应前期硅碳上下分层，使得混合料在反应过程中层与层之间再次反应混合，达到更充分的反应，进而提高产率。此外，该方法也不引入新的杂质且成本较低。
- 一种超低N、B含量碳化硅原料的制备方法-202310191453.6
- 陈建军;孔海宽;忻隽;张永良;涂小牛 - 安徽微芯长江半导体材料有限公司
- 2023-03-02 - 2023-05-16 - C01B32/984
- 本发明公开了一种用于制备超低N、B含量高纯碳化硅粉料的方法，采用高纯碳毡代替固相合成中的碳粉，提供反应所需的碳源，高纯硅粉提供反应需要的硅源，多孔的碳毡与硅粉相间铺设，高温下高纯硅粉挥发、渗透进高纯碳毡内部，与高纯碳毡反应生成碳化硅；同时，在反应过程中通入氢气及含有卤素的气体，置换掉碳毡及硅粉中少量的N、B元素，生成超低N、B含量碳化硅原料。且这种方法生成的原料粒度均匀，疏松，不需粉碎、研磨、筛选即可直接使用，避免了二次处理带来的污染。
- 一种套环状碳化硅纳米纤维气凝胶材料及其制备方法-202210954798.8
- 张晚林;李文静;刘圆圆;黄红岩;贺丽娟 - 航天特种材料及工艺技术研究所
- 2022-08-10 - 2023-05-05 - C01B32/984
- 本发明涉及一种套环状碳化硅纳米纤维气凝胶材料及其制备方法，所述方法包括：利用硅粉、掺杂有金属氧化物纳米颗粒的二氧化硅气凝胶粉和炭粉进行化学气相沉积反应，得到套环状碳化硅纳米纤维；用水将套环状碳化硅纳米纤维分散均匀，然后进行液氮冷冻，得到纳米纤维凝胶；将纳米纤维凝胶依次进行冷冻干燥和退火处理，得到套环状碳化硅纳米纤维气凝胶材料。本发明制备的套环状碳化硅纳米纤维气凝胶是一类由复杂表面结构纳米纤维构建成的气凝胶，该复杂表面结构纳米纤维是纳米纤维主干在一维长度方向上、表面不等距离处套有系列纳米套环，相比于表面光滑的碳化硅纳米纤维气凝胶，具有在力学、隔热、电磁吸波等方面更为优异的特性。
- 一种高纯α相碳化硅粉料的制备方法-202010766811.8
- 朱一鸣;周芳享;周维 - 比亚迪股份有限公司
- 2020-08-03 - 2023-05-05 - C01B32/984
- 本发明提供了一种高纯α相碳化硅粉料的制备方法，包括：在石墨坩埚的底部铺设第一阻隔材料，将高纯硅粉和高纯碳粉混合成的粉末原料装填在第一阻隔材料上，还在石墨坩埚的侧壁与粉末原料之间装填第二阻隔材料，并在粉末原料内装填气流疏导材料；其中，第二阻隔材料与气流疏导材料的装填高度均高于粉末原料的装填高度；将完成装料的石墨坩埚置于加热炉中，抽至真空后，在充入惰性气体下将炉内温度从室温升至碳化硅粉料的合成温度，保温后降至室温，收集碳化硅块体，对其研磨、退火后，得到高纯α相碳化硅粉料。该制备方法操作简单，所得产物的纯度高、产量大，所用坩埚不会被烧结。
- 碳化硅粉及其制备工艺-202310101251.8
- 燕靖 - 江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司
- 2023-02-03 - 2023-04-18 - C01B32/984
- 本发明公开了一种碳化硅粉及其制备工艺，制备工艺包括以下步骤：聚合反应：取碳前驱体均匀溶解于溶剂中，加入硅源，搅拌使硅源均匀分散在溶液中，得混合溶液，再向混合溶液中加入催化剂，在催化剂的作用下碳前驱体发生聚合反应得到有机聚合物，所述有机聚合物内均匀包裹硅源；老化、干燥：有机聚合物在40‑80℃恒温条件下老化，使未完全反应的碳前驱体充分反应，将老化后的有机聚合物干燥，得到干燥后的有机聚合物；高温合成：将干燥后的有机聚合物置于石墨热场中，并转移至炉腔中，在高温条件有机聚合物碳化形成碳源，碳源与硅源反应，得到高纯碳化硅粉。同时公开了采用上述工艺制备而成的碳化硅粉，该碳化硅粉具有碳包裹硅的微观结构。
- 一种废旧轻质光伏组件热解回收产物并制备碳化硅的方法-202211627554.5
- 袁浩然;范洪刚;顾菁;王亚琢;吴玉锋;陈勇 - 中国科学院广州能源研究所
- 2022-12-16 - 2023-04-14 - C01B32/984
- 本发明公开了一种废旧轻质光伏组件热解回收产物并制备碳化硅的方法，利用废旧轻质光伏组件热解产物中的非金属组分作为基体材料制备碳化硅的新方法，该方法能够实现废旧轻质光伏组件的全组分高效回收和高值利用，具有工艺简单、资源利用率高及环境友好等特点，可应用于轻质光伏组件的大规模回收，解决了现有技术没有实现废旧轻质光伏组件的全组分高效回收和高值利用的问题，也解决了现有技术采用高纯度硅砂和无烟煤做碳化硅的制备原料导致碳化硅生产成本较高问题。
- 一种碳化硅的制备方法和制备装置-202211269375.9
- 张文忠;浩瀚;赵新田;罗烨栋;周勋;洪志伟;黄世玺;瞿勇杰;祝真旺 - 宁波合盛新材料有限公司
- 2022-10-18 - 2023-04-04 - C01B32/984
- 本发明提供了一种碳化硅的制备方法和制备装置，属于半导体材料制备技术领域。本发明通过在石墨坩埚中增加石墨柱，不仅可以缩短混合原料的径向距离达到缩小温度梯度目的，而且可以很好的将石墨坩埚底部的热量传递到混合原料的芯部，减少混合原料径向温度梯度和轴向温度梯度；本发明通过支撑部件带动热场以及石墨坩埚旋转，能够避免热场材料和热场缠制带来的温度偏析，有利于提高石墨坩埚内混合原料温度的均匀性；本发明通过对感应线圈位进行往复提拉，可以将石墨坩埚内部的高温区随着感应线圈的提拉来进行控制，有利于进一步提高石墨坩埚内混合原料温度的均匀性。因此，采用本发明提供的方法制备的碳化硅产品质量一致性好。
- 专利分类
