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[发明专利]一种茶拢纵深高度测量装置-CN201810684188.4有效
发明人：许丽佳;刘伟;陈昕远;王玉超;黄鹏;刘得伟;吕代维奇;罗翰霄;张凤林 -专利权人：四川农业大学
申请日： 2018-06-28 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G01B11/06 文献下载
摘要：一种茶拢纵深高度测量装置，由支架、微处理器模块、驱动模块、滑块、YE系列光栅尺位移传感器、搭载架和五个611N压力传感器组成；所述支架呈“门”形架支撑整个测量装置，所述微处理器模块呈下吊状由螺钉固定在所述支架的横架上，用于接收传感器信号并发送指令至驱动模块；所述驱动模块固定在微处理器模块右侧，驱动搭载架上下移动；所述滑块左侧固定在搭载架上，其右侧连接在YE系列光栅尺位移传感器滑轴上并能沿其上下滑动；所述YE系列光栅尺传感器及其滑轴呈下吊状固定在支架的横架上；五个611N压力传感器通过螺钉均匀固定在搭载架上，用于测量茶拢表面压力值。本发明能完成对茶拢纵深高度的测量，使采茶设备能快速、准确采摘嫩芽。
一种纵深高度测量装置

[发明专利]一种夹渣含杂的单晶锗废料除杂方法-CN202210196199.4有效
发明人： 刘得伟;李宝学;杨涛;尹正雄;赵伟;周安祥;陆贵兵;普世坤 -专利权人：昆明云锗高新技术有限公司;云南中科鑫圆晶体材料有限公司;云南鑫耀半导体材料有限公司
申请日： 2022-03-01 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明属于锗单晶生长技术领域，具体公开一种夹渣含杂锗废料除杂方法，包括以下步骤：单晶锗生长废料融化；废料夹渣降温再结晶：锗废料完全融化为熔融态后，调整加热功率使温度下降15℃~50℃，使熔体再结晶；腔室流场控制：经过再结晶处理后的锗熔体，控制压强、坩埚旋转速度，保持真空泵蝶阀的开度为60%~80%；使锗熔体表面的氧化物浮渣向熔体中心移动；浮渣提拉沾附：控制籽晶杆转速，向下移动与浮渣进行接触，提拉籽晶杆，结晶长大到直径80mm~100mm时，结晶体快速冷却，去除杂质，通过本发明的方案，对单晶锗生长过程中产生的夹渣含杂锗废料进行除杂，经过除杂的锗废料，纯度达到6N以上，成为完全符合P型和N型单晶锗直拉法生长所需的原料。
一种夹渣含杂单晶锗废料方法

[发明专利]碳化硅粉料合成方法-CN202310433994.5在审
发明人：黄四江;王美春;李希超;刘得伟;尹归;杨海平;殷云川 -专利权人：昆明云锗高新技术有限公司;云南临沧鑫圆锗业股份有限公司
申请日： 2023-04-21 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： C01B32/984 文献下载
摘要：碳化硅粉料合成方法，属于碳化硅合成技术领域，具体涉及一种新型的碳化硅粉料的合成方法。本发明的方法首先将硅粉进行研磨筛分，并与碳粉混合均匀，并加入稳定剂硅化铈；把混好的料放入钽坩埚内抽真空，开启加热设备升温度充入氩气，让原料中的氮杂质与钽坩埚反应，生成氮化钽；继续升高温度让碳粉与硅粉充分反应生成反应生成α‑SiC粉料；反应室抽气，使炉内气压下降，继续提高温度，直至反应完成，然后逐渐降温至室温，结束反应。本发明的方法，用于半绝缘型碳化硅粉料的合成效果较好，合成粉料中消除了硅和碳单质，合成的粒径更大。
碳化硅合成方法

[实用新型]碳化硅余料锭块作返料进行晶体生长的结构件-CN202221331861.4有效
发明人： 刘得伟;黄四江;沙智勇;殷云川;尹归;杨海平;王美春 -专利权人：昆明云锗高新技术有限公司;云南临沧鑫圆锗业股份有限公司;云南鑫耀半导体材料有限公司
申请日： 2022-05-31 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：碳化硅余料锭块作返料进行晶体生长的结构件，涉及碳化硅单晶生长领域。本实用新型包括籽晶托、坩埚、余料锭块和凸台，籽晶托设置有放置籽晶的平面，籽晶托固定在坩埚顶部；凸台设置在坩埚内壁上，余料锭块放置在凸台上；余料锭块下方的坩埚内填充有长晶粉料。本实用新型拆卸方便，能够重复使用，更好的支撑余料锭块，使余料锭块更水平的放置，减小了余料锭块与坩埚之间的间隙，避免了石墨化碳颗粒通过间隙传输进入长晶界面；碳化钽耐受高温，与石墨坩埚紧密贴合，阻止了长晶组分中的硅与石墨坩埚中的碳反应，降低了石墨坩埚的高温腐蚀，还能够改善长晶过程中的组分富碳。
碳化硅余料锭块作返料进行晶体生长结构件

[实用新型]坩埚下降法锗单晶生长装置-CN202221582683.2有效
发明人： 刘得伟;李宝学;黄四江;杨涛;尹归 -专利权人：昆明云锗高新技术有限公司
申请日： 2022-06-23 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： C30B11/02 文献下载
摘要：坩埚下降法锗单晶生长装置，涉及锗单晶生长领域。本实用新型包括坩埚、保温桶、炉室、加热器、升降组件和支撑底座，炉室放置在支撑底座上，保温桶设置在炉室内，坩埚设置在保温桶内；升降组件放置在支撑底座中点处，升降组件穿过保温桶底部，坩埚放置在升降组件上；加热器为三组，从上至下等距设置在保温桶与坩埚之间的夹层中，分为高温区、梯度区和低温区。本实用新型能够较好的解决大尺寸锗单晶生长时的变晶问题，方便的调整保温毡形状和尺寸，能够控制长晶温度梯度在合理的区间，获得的长晶固液界面更平坦，生长的大尺寸锗单晶更好的保持单一晶型。
坩埚下降法锗单晶生长装置

[实用新型]PVT法生长碳化硅单晶用的石墨盖-CN202221065895.3有效
发明人： 刘得伟;黄四江;李宝学;王美春;沙智勇;殷云川;尹归;杨海平;普世坤 -专利权人：昆明云锗高新技术有限公司;云南临沧鑫圆锗业股份有限公司;云南鑫耀半导体材料有限公司
申请日： 2022-05-06 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本实用新型涉及碳化硅单晶生长热场装置领域，具体公开一种PVT法生长碳化硅单晶用的石墨盖，包括籽晶托和导流部件，所述导流部件与籽晶托通过螺纹或卡扣连接，包括圆筒状的扩径环和导流环，所述扩径环和导流环之间间隔一定距离，和籽晶托合围形成循环腔室，并设置有导流斜面。采用该技术方案，石墨盖与石墨坩埚连接，形成密闭或半密闭用于晶体生长的空间；有导流斜面，引导碳化硅粉料气氛流向，使升华的粉料气氛更集中的向籽晶处传输；有气氛循环腔室与长晶发生的空间进行长晶组分的传输，以及调控长晶组分的流向。在碳化硅单晶生长的热场中使用该石墨上盖，有效解决了晶型夹杂、位错密度大、生长速率不高等问题，生成的单晶良率和品质得到提高。
pvt 生长碳化硅单晶用石墨

[发明专利]半导体封装-CN202210316276.5在审
发明人：范秩逢;刘得伟;林于兆 -专利权人：联发科技股份有限公司
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体封装，包括：半导体芯片，包括第一芯片焊盘和第二芯片焊盘；以及重分布层结构，部分覆盖该半导体芯片，其中该重分布层结构包括：重分布层迹线，具有第一端子和第二端子，其中该重分布层迹线的该第一端子电耦接至该第一芯片焊盘，该重分布层迹线的该第二端子电耦接至该第二芯片焊盘。由于重分布层结构的重分布层迹线比半导体芯片内的互连具有更大的宽度，因此重分布层迹线可以为半导体芯片的电源电路提供具有较低电阻的外部导电路径以改善IR压降性能。
半导体封装

[发明专利]一种碳化硅籽晶的粘接后的碳化方法-CN202210688205.8在审
发明人：黄四江;王美春;沙智勇;刘得伟;尹归;杨海平;殷云川 -专利权人：云南临沧鑫圆锗业股份有限公司;昆明云锗高新技术有限公司;云南鑫耀半导体材料有限公司
申请日： 2022-06-17 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本发明属于碳化硅单晶生长前处理领域，具体公开一种碳化硅籽晶粘接后减少空腔的碳化方法，（1）把高纯石墨板放在井式炉炉底，然后再把石英筒放置在石墨板上；（2）把粘接好籽晶的石墨台放置到石英筒内，在石墨台上的籽晶上放置一张圆形石墨纸作为缓冲层，再往上面放置压铁；（3）启动井式炉真空泵，进行10‑30min的抽气，（4）打开进气孔阀门，以0.1‑0.3MPa的流量通入氩气然后开始加热；（5），以30%的漏率抽真空，开启井式炉底部的加热电阻丝进行加热，加热程序设定为3‑6h加热到碳化温度400‑600℃，在碳化温度保温0.5‑2h后结束加热，并让其自动降温到室温；本发明通过利用底部的电阻丝加热，中间气泡和有机胶中挥发物排出完全，长出的晶体表面光滑平整。
一种碳化硅籽晶粘接后碳化方法

[发明专利]一种角度调整装置-CN201910600968.0有效
发明人：李书田;刘得伟 -专利权人：北京京东乾石科技有限公司
申请日： 2019-07-04 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： B23P19/00 文献下载
摘要：本发明实施例提供的一种角度调整装置，包括：底座、支架、调整机构和夹紧机构；所述支架固定设置在所述底座上，所述夹紧机构与所述调整机构周向固定连接，且所述夹紧机构穿过所述支架和所述调整机构，所述夹紧机构用于夹持待调整部件；所述调整机构设置在所述支架上，且所述调整机构与所述支架转动连接，所述调整机构用于带动所述夹紧机构转动，以带动所述待调整部件转动，从而调整所述待调整部件与参照物之间的角度。通过此角度调整装置，代替了装配完成后才能对部件角度进行调整的方法，这样可以在装配过程中对部件的角度进行调整，减少了检测工时及返工工时，提高了工作效率。
一种角度调整装置

[发明专利]利用碳化硅长晶余料进行晶体生长的方法-CN202210606746.1在审
发明人： 刘得伟;沙智勇;黄四江;殷云川;尹归;杨海平;王美春 -专利权人：云南临沧鑫圆锗业股份有限公司;昆明云锗高新技术有限公司;云南鑫耀半导体材料有限公司
申请日： 2022-05-31 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：利用碳化硅长晶余料进行晶体生长的方法，涉及碳化硅单晶生长领域，具体涉及一种物理气相传输法（PVT）生长碳化硅单晶长晶余料再次用于晶体生长的方法。本发明的方法余料返料切割为块状，至少为一块设置在长晶坩埚中，籽晶长晶表面与最上层余料返料的上表面之间的距离为30~50mm，余料返料下依次设置硅粉层及碳化硅粉料。使用该方法，相比较传统的余料使用方法或处理工艺，有良好的效果：一是，余料用于再次长晶，避免了资源的浪费，降低了长晶成本；二是，处理的流程较为简单，不容易在处理过程中引入新的杂质；三是，生长的晶体品质与完全使用粉料长晶达到了同样的水平。
利用碳化硅长晶余料进行晶体生长方法

[发明专利]提高PVT法碳化硅晶体生长厚度的方法-CN202210525822.6在审
发明人：黄四江;刘得伟;王美春;沙智勇;尹归;杨海平;殷云川 -专利权人：昆明云锗高新技术有限公司;云南临沧鑫圆锗业股份有限公司;云南鑫耀半导体材料有限公司
申请日： 2022-05-13 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：提高PVT法碳化硅晶体生长厚度的方法，属于PVT法碳化硅单晶生长领域，具体涉及一种碳化硅单晶生长工艺中晶体生长的控制工艺。本发明的工艺步骤包括，高压升温、降压变压生长以及升压结束生长和退火过程，其中降压变压生长维持炉内温度2200‑2400℃，经3‑5h缓慢降低炉内气压达到10‑20mbar的低压，再经60‑100h把10‑20mabr的炉内压力线性降低到6‑8mbar，长晶炉的线圈以0.1‑0.5mm的速度向下移动。利用本申请的方法可以使碳化硅晶体厚度由目前15‑25mm的水平提高到30mm以上，解决了目前PVT法碳化硅晶体生长工艺中原料利用率低，生产效率低，剩料多回收困难的问题。
提高 pvt 碳化硅晶体生长厚度方法

[外观设计]鲜花自动售卖机-CN202230101688.8有效
发明人：陈玉;王静静;周亚;张恒;刘得伟 -专利权人：安徽财经大学
申请日： 2022-03-01 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： 20-01 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：鲜花自动售卖机。2.本外观设计产品的用途：用于存放及售卖鲜花。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
鲜花自动售卖

[发明专利]一种碳化硅晶体的高温二次退火方法-CN202110459963.8有效
发明人：黄四江;沙智勇;尹归;刘得伟;段金炽;普世坤;杨海平;王美春;殷云川 -专利权人：云南鑫耀半导体材料有限公司;云南临沧鑫圆锗业股份有限公司;云南中科鑫圆晶体材料有限公司
申请日： 2021-04-27 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明属于碳化硅单晶生长领域，具体公开一种碳化硅晶体的高温二次退火方法，包括以下步骤：装晶体，使用分段式加热程序升温，一阶段升温至1300‑1500℃，二阶段升温至2000℃，然后进行保温，保证温度波动范围在2000±1℃之内，降温：采用阶梯式的降温程序，以每小时降温200W的功率降温10小时，再以每小时降温400W的功率降温10小时；用10小时把功率降到0，晶体在晶炉中经24小时充分冷却后取出，该碳化硅高温二次退火的工艺采用升温、保温、降温的三段式，可更好的释放应力和避免应力进一步发展，而且控温能精确的把温度控制在保温所需的温度要求；在降温阶段通过分阶段冷却保证高温降温慢，低温降温快，减少用时的同时避免应力释放后又重新生成。
一种碳化硅晶体高温二次退火方法

[发明专利]碳化硅单晶生长中废料的回收处理方法-CN202110911820.6有效
发明人：黄四江;普世坤;刘得伟;王美春;惠峰;沙智勇;殷云川;尹归;杨海平;王东 -专利权人：云南临沧鑫圆锗业股份有限公司;云南鑫耀半导体材料有限公司;云南中科鑫圆晶体材料有限公司
申请日： 2021-08-10 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：碳化硅单晶生长中废料的回收处理方法。本发明属于第三代半导体材料碳化硅单晶生长及加工领域，具体涉及碳化硅单晶生长及加工过程碳化硅废料的回收处理方法，具体包括按顺序依次焙烧脱除碳单质、混酸处理脱除微量元素和碱氧化处理脱除硅单质三个步骤，其中脱除碳单质的方法为将碳化硅废料磨成粒径小于200微米的粉料后，装入石英舟放入管式炉内，管式炉加热到400℃‑600℃，焙烧2h‑5h，设定氧气瓶的通气速率以100kPa‑200kPa的压力值注入，冷却后取出石英舟，获得脱除碳单质的碳化硅废料，本发明方法脱除了碳化硅废料中含量较多的杂质，经以上步骤提纯后得到高纯碳化硅粉料，再把碳化硅粉料利用于碳化硅单晶的生产，以达到碳化硅废料的综合回收再利用，减少了碳化硅废料对环境的污染。
碳化硅生长废料回收处理方法

[发明专利]一种零位错P型锗单晶制备方法-CN202111660623.8在审
发明人：李宝学;刘得伟;林作亮;李长林;李国芳;黄四江;沙智勇;陆贵兵;普世坤 -专利权人：昆明云锗高新技术有限公司;云南中科鑫圆晶体材料有限公司;云南鑫耀半导体材料有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明属于锗单晶生长技术领域，具体涉及一种零位错P型锗单晶制备方法，包括缩颈生长，所述缩颈生长的方法为：向上缓慢提拉籽晶，控制提拉速度8～10mm/h，保持单晶棒直径在2～12mm，采用逐渐放大直径的缩颈生长方式，持续提拉生长长度800～1000mm，通过本发明的技术方案，极大的降低了大尺寸锗单晶的位错密度，特别的可获得位错密度为零的6英寸锗单晶，更加适用于锗衬底化合物半导体叠层电池所要求的电学性能。
一种零位型锗单晶制备方法

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