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[发明专利]锂电柔性自支撑负极材料Sn/MoOx-CN202210241677.9在审
发明人：吴刚;肖彬;魏镇港;谢泽林;吴亚娟;关春洋;乔帅帅 -专利权人： 江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司;中国矿业大学
申请日： 2022-03-11 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种锂电柔性自支撑负极材料Sn/MoOx@CNFs@rGo及其制备方法，制备方法包括以下步骤：称取钼酸钠、氯化亚锡二水合物和溶剂，依次加入烧杯中，盖上保鲜膜，进行搅拌处理；称取高分子表面活性剂加入烧杯中，在60～80℃下搅拌，得到所需纺丝液；纺丝液进行静电纺丝，得前驱体，将前驱体放入烘箱干燥；干燥后的前驱体进行预烧结，得纺丝膜；将纺丝膜作为滤膜，石墨烯分散液作为滤液进行抽滤，得抽滤膜；待抽滤膜干燥后，经过热处理，即得锂电柔性自支撑负极材料Sn/MoOx@CNFs@rGo。本发明方法所得锂电柔性自支撑负极材料为纯相，呈被石墨烯包覆的纳米线状，线直径为100～250nm。
柔性支撑负极材料 sn moo base sub

[发明专利]一种锂电负极材料Mo2-CN202210241697.6在审
发明人：魏镇港;肖彬;吴刚;谢泽林;吴亚娟;关春洋;乔帅帅 -专利权人： 江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司;中国矿业大学
申请日： 2022-03-11 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01M4/62 文献下载
摘要：本发明公开了一种锂电负极材料Mo2C/NiO@GO碳纳米纤维的制备方法，包括以下步骤：S1:称取氧化镍、四水钼酸铵和溶剂进行超声处理；S2:称取高分子表面活性剂加入烧杯中进行常温搅拌，得到所需纺丝溶液；S3:采用针管吸取纺丝液进行静电纺丝以获得前躯体，在纺丝完成后取下前驱体，在烘箱中进行干燥；S4:对干燥后的前驱体进行预烧结；S5:预烧结后的前驱体进行抽滤；抽滤烘干后对其进行热处理，得到所需的锂离子电池负极材料。本发明的制备方法获得了具有三维网状结构的Mo2C/NiO@GO材料，提高了负极材料的比表面积及电导率，所获得的电池具有较高的比容量以及很好的循环稳定性，具有显著的经济价值。
一种负极材料 mo base sub

[发明专利]制备平衡化学计量比的碳化钽粉的装置及方法-CN202310244066.4在审
发明人：李远田;包伟刚;许成凯 -专利权人： 江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司
申请日： 2023-03-14 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： F27B14/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备平衡化学计量比的碳化钽粉的装置，包括：加热器，加热器沿周向设置于反应腔内的保温墙的内侧；反应坩埚，反应坩埚设置于反应腔底部中心处，反应坩埚的上端敞口设置，反应坩埚内填充有钽粉以及位于钽粉内的碳源，钽粉受压完成后，碳源位于钽粉的中心处，且碳源相对于钽粉过量；保温层，反应坩埚外侧壁与加热器之间、反应坩埚底壁与底部的保温墙之间填充有保温层；施压件，用于按压钽粉并在高温合成时给与钽粉特定压力，施压件包括按压轴和按压板，按压轴的底部固定连接按压板，按压轴的上端贯穿并伸出炉盖。本发明还公开了制备碳化钽粉的工艺，通过高温下以碳源的原位自扩散，制备的碳化钽粉纯度更高，不存在剩余游离的碳。
制备平衡化学计量碳化装置方法

[发明专利]制备高质量碳化硅晶体的生长方法及设备-CN202310474685.2在审
发明人：许成凯 -专利权人： 江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明公开一种制备高质量碳化硅晶体的生长方法及设备，方法采用两个长晶阶段，第一长晶阶段采用提拉法对碳化硅籽晶进行长晶，将碳化硅籽晶浸润在碳化硅熔液中，消除籽晶中的微管缺陷位错；第二阶段采用气相法对消除微管缺陷后的碳化硅籽晶进行长晶。设备采用内外双坩埚设计，将内坩埚设置在熔融室内，首先籽晶在内坩埚内的碳化硅熔液中进行第一长晶阶段，对碳化硅籽晶的微管缺陷及位错进行修复，修复后，旋转升降轴带动籽晶上升，在上升过程中，通过传动装置缓慢闭合盖体和导流装置，直至籽晶上升至预设位置，盖体和导流装置完全闭合，开始第二长晶阶段，由于第一长晶阶段已经对籽晶缺陷进行修复，后续长晶过程中无缺陷可继承，提高晶体的品质。
制备质量碳化硅晶体生长方法设备

[发明专利]单晶生长装置-CN202210136243.2有效
发明人：李远田;陈俊宏;吴亚娟 -专利权人： 江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司
申请日： 2022-02-14 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶生长装置，包括：外坩埚，外坩埚限定出生长腔，生长腔的顶壁设有籽晶；第一内坩埚，第一内坩埚设于生长腔内，且第一内坩埚与籽晶沿轴向相对布置，第一内坩埚的朝向籽晶的一端敞开，第一内坩埚的外侧壁与外坩埚的内侧壁间隔开以限定出气流通道，第一内坩埚用于盛放碳化硅原料；第二内坩埚，第二内坩埚在生长腔内且位于第一内坩埚的背离籽晶的一侧，第二内坩埚的朝向第一内坩埚的一端敞开，第二内坩埚适于盛放用于产生补偿气氛的硅料或用于产生掺杂气氛的掺杂剂，第二内坩埚适于在第一位置和第二位置之间移动以连通或隔断气流通道与第二内坩埚的内腔。根据本发明的单晶生长装置，可以提高碳化硅晶体生长过程的连续性。
生长装置

[实用新型]可补充硅粉的坩埚组件及碳化硅晶体生长装置-CN202320203414.9有效
发明人：李卫月;吴建;李兆颖;关春洋 -专利权人： 江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司
申请日： 2023-02-14 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种可补充硅粉的坩埚组件及碳化硅晶体生长装置，坩埚组件包括：坩埚；套筒和伸缩杆，套筒设在坩埚内，伸缩杆在第一位置和第二位置之间可上下移动；多个第一连接杆，每个第一连接杆的一端与套筒的顶端可转动地相连，每个第一连接杆的另一端与补料箱固定相连，补料箱包括箱体和滑动板，箱体的顶部设有敞开口，箱体内设有硅粉，滑动板可移动地设于敞开口处；多个第二连接杆，当伸缩杆向下移动到第二位置时，多个第一连接杆处于张开状态，箱体倾斜，滑动板打开敞开口。根据本实用新型的坩埚组件，在长晶中后期，通过控制存料箱打开，箱体中硅粉气化升华，与碳源结合生长碳化硅气体，有利于减少晶体中的碳包裹。
补充坩埚组件碳化硅晶体生长装置

[实用新型]制备碳化钽粉的预处理装置-CN202320115792.1有效
发明人：李卫月;李兆颖;关春洋 -专利权人： 江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司
申请日： 2023-02-06 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： B01F27/90 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种制备碳化钽粉的预处理装置，包括第一混料机构、装料机构和压实机构，所述第一混料机构包括第一机壳、第一机盖和第一搅拌机构，所述第一机壳限定出顶部敞开的第一容纳腔，所述第一机壳的底部设有第一出料阀；所述第一机盖设于所述第一机壳的顶部，并设有第一进料斗；所述第一搅拌机构的顶端能够转动地安装在所述第一机盖的中心处；所述装料机构、所述压实机构设于第一混料机构下方，用于向反应坩埚内装料并将料压实；所述反应坩埚可在所述装料机构、所述压实机构间往复移动。本实用新型能够可对钽粉和碳粉进行充分混合，提高了钽粉和碳粉的混合均匀性，还可对混合后粉体的分装、压实，降低了成本，提高了效率。
制备碳化预处理装置

[实用新型]碳化硅粉的合成装置-CN202320545066.3有效
发明人：许成凯 -专利权人： 江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司
申请日： 2023-03-20 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： B01J19/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种碳化硅粉的合成装置，该合成装置包括反应坩埚、反应组件和出料组件，所述反应坩埚限定出反应腔，所述反应坩埚的底部设有出料口；所述反应组件有多个，多个所述反应组件设于所述反应腔内，用于提供反应场所并将反应生成的碳化硅粉输送至所述反应腔的底部；所述出料组件设于所述反应腔内，用于将堆积在所述反应腔底部的碳化硅粉推送至所述出料口；所述反应坩埚侧壁的上部设有供反应气体通入的第一进气口，所述反应坩埚侧壁的下部设有供载气通入的第二进气口；所述反应坩埚的顶部设有出气孔。本实用新型可降低碳化硅粉末内部单质夹杂问题，获得高纯度的碳化硅粉；同时还可进行连续出料，提升产率和效率。
碳化硅合成装置

[实用新型]碳化硅晶体清洗装置-CN202320117012.7有效
发明人：李卫月;孟洁;李兆颖;关春洋 -专利权人： 江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司
申请日： 2023-02-06 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： B08B11/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种碳化硅晶体清洗装置，包括置料箱、清洗组件和限位组件，置料箱下部开设有排液口，排液口通过排液管路与废水池相连，排液管路上连接有出液阀；清洗组件连接于置料箱上；清洗组件包括一组导向件、过滤件和升降调节件，其中，导向件分别对称设置在置料箱两侧，过滤件连接在导向件内侧上部，升降调节件连接在导向件外侧上部，导向件能够在升降调节件的作用下沿置料箱内壁上下移动；限位组件安装在导向件上，用于限制碳化硅晶体上下移动。本实用新型能够彻底对碳化硅晶体表面进行清洗，去除碳化硅晶体表面的杂质，提高碳化硅晶体的洁净度，且清洗效率高。
碳化硅晶体清洗装置

[发明专利]碳化硅晶体生长装置-CN202111446990.8有效
发明人：燕靖;陈俊宏 -专利权人： 江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅晶体生长装置，包括：坩埚组件，坩埚组件具有第一腔室和第二腔室，第二腔室位于第一腔室的内侧，第二腔室适于盛放原料，第一腔室适于放置籽晶，坩埚组件具有进气口、出气口和进气通道，进气口和出气口均与第一腔室连通，进气通道的进气端位于第一腔室外，进气通道的出气端与第二腔室连通，进气通道适于通入含有气态钒化合物的混合气，进气口适于通入含有还原性气体的吹扫气，原料升华产生的碳化硅气体适于在混合气和吹扫气的驱动下从第二腔室进入第一腔室并在籽晶上沉积，出气口用于排出过剩气体。根据本发明的碳化硅晶体生长装置，在实现利用钒补偿氮、硼制备碳化硅晶体的同时避免晶体中出现硅掺杂物，节约原料。
碳化硅晶体生长装置

[发明专利]用于解决生长初期籽晶重熔的装置及方法-CN202310225992.7在审
发明人：李远田;包伟刚;刘留 -专利权人： 江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司
申请日： 2023-03-09 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于解决生长初期籽晶重熔的装置及方法，该装置包括生长坩埚、冷却机构和测温组件，生长坩埚包括坩埚本体和坩埚盖，坩埚盖能够上下移动地安装在坩埚本体的顶部，且坩埚盖上下移动过程中时刻与坩埚本体连接；坩埚盖的底部装有籽晶；冷却机构设于坩埚盖的上方，冷却机构具有第一工作状态和第二工作状态，在第一工作状态，冷却机构紧靠坩埚盖，以对坩埚盖进行降温；在第二工作状态，冷却机构远离坩埚盖；测温组件正对生长坩埚设置，用于检测生长坩埚顶部和底部的实时温度。本发明能够抑制籽晶表面石墨化，稳定初始生长条件，消除与严重的微管等缺陷有关的生长中心，提高晶体质量。
用于解决生长初期籽晶装置方法

[发明专利]碳化硅粉的合成装置及合成方法-CN202310270183.8在审
发明人：许成凯 -专利权人： 江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司
申请日： 2023-03-20 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： B01J19/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅粉的合成装置及合成方法，该合成装置包括反应坩埚、反应组件和出料组件，所述反应坩埚限定出反应腔，所述反应坩埚的底部设有出料口；所述反应组件有多个，多个所述反应组件设于所述反应腔内，用于提供反应场所并将反应生成的碳化硅粉输送至所述反应腔的底部；所述出料组件设于所述反应腔内，用于将堆积在所述反应腔底部的碳化硅粉推送至所述出料口；所述反应坩埚侧壁的上部设有供反应气体通入的第一进气口，所述反应坩埚侧壁的下部设有供载气通入的第二进气口；所述反应坩埚的顶部设有出气孔。本发明可降低碳化硅粉末内部单质夹杂问题，获得高纯度的碳化硅粉；同时还可进行连续出料，提升产率和效率。
碳化硅合成装置方法

[发明专利]生产高质量碳化硅晶体的装置及方法-CN202310459177.7在审
发明人：请求不公布姓名 -专利权人： 江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司
申请日： 2023-04-25 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种生产高质量碳化硅晶体的装置，包括：石墨发热体，石墨发热体设置于保温毡内，石墨发热体限定形成反应腔；外坩埚，外坩埚设置于容纳腔的下部；石墨载台，石墨载台包括连接筒和载板，连接筒的中部水平固定载板，石墨载台的下端与外坩埚密封连接，其上端与石墨罩密封连接，石墨载台在载板的下方水平可拆卸连接籽晶；石墨罩，石墨罩的下部限定形成凹槽，凹槽与载板共同限定形成容纳腔，容纳腔内平铺有修补物颗粒；承载坩埚，在反应前，承载坩埚内铺满碳化硅粉，承载坩埚的上方水平盖设多孔石墨板，承载坩埚可升降设置于外坩埚内，以使多孔石墨板与晶体生长面之间的距离L为定值。本发明还公开了一种生产高质量碳化硅晶体的方法。
生产质量碳化硅晶体装置方法

[发明专利]坩埚组件和具有其的单晶生长装置-CN202111448221.1有效
发明人：乔帅帅;陈俊宏 -专利权人： 江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种坩埚组件和具有其的单晶生长装置，所述坩埚组件包括：坩埚；导流装置，导流装置将坩埚的内腔分隔为位于第一腔室和第二腔室，第一腔室适于放置籽晶，第一腔室的腔壁上形成有出气口，第二腔室适于放置原料，第二腔室的腔壁形成有进气口，导流装置的内侧限定导流通道，导流通道与籽晶沿上下方向相对且同轴设置，导流通道包括从下至上依次连接的第一通道、第二通道及第三通道，第一通道远离第二通道的一侧与第二腔室连通，第三通道远离第二通道的一端与第一腔室连通，第二通道的内径不大于籽晶的直径。根据本发明的坩埚组件，有利于籽晶形成平整或微凸的生长界面，从而提高晶体品质。
坩埚组件具有生长装置

[发明专利]碳化硅晶体生长装置-CN202111448965.3有效
发明人：燕靖;陈俊宏 -专利权人： 江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅晶体生长装置，包括：坩埚组件，所述坩埚组件具有容纳腔，所述容纳腔适于放置原料和籽晶，所述坩埚组件具有进气口、出气口和进气通道，所述进气口和所述出气口均与所述容纳腔连通，所述进气通道的进气端位于所述容纳腔外，所述进气通道的出气端埋入所述原料内，所述进气通道适于通入含有气态钒化合物的混合气，所述进气口适于通入含有还原性气体的吹扫气，所述原料受热升华产生的碳化硅气体适于在所述混合气和所述吹扫气的驱动下传输至所述籽晶表面沉积，所述出气口用于排出过剩气体。根据本发明的碳化硅晶体生长装置，可以避免碳化硅晶体纯度下降，并且在长晶过程中，易于控制晶体品质。
碳化硅晶体生长装置

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