专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]晶体侧环及晶体生长装置-CN202223422652.3有效
  • 廖青春;浩瀚;赵新田 - 宁波合盛新材料有限公司
  • 2022-12-19 - 2023-10-24 - C30B29/36
  • 本申请公开了一种晶体侧环及晶体生长装置,晶体侧环包括中空环形的侧壁,以及侧壁下端沿水平方向向内延伸的内环,侧壁界定一用于晶体生长的生长腔;晶体生长装置包括坩埚以及设置在坩埚上方的籽晶托,从而在籽晶托与坩埚之间形成原料腔,还包括设置在籽晶托下方的本申请晶体侧环。本申请的晶体扩径生长装置,能够降低晶体扩径生长时产生的多晶以及碳包裹物,得到高质量大直径的碳化硅晶体。
  • 晶体晶体生长装置
  • [发明专利]一种碳化硅籽晶粘结方法-CN202311121092.4在审
  • 杨弥珺;浩瀚;赵新田;朱凤;陈晶莹;章宣 - 宁波合盛新材料有限公司
  • 2023-09-01 - 2023-10-10 - C30B33/06
  • 本发明公开了一种碳化硅籽晶粘结方法,包括步骤:S100、提供待粘接的籽晶,籽晶的硅面设有多个凹坑,凹坑的直径为10μm~200μm,凹坑的深度为3μm~20μm;S200、在石墨盖的粘接面浸涂胶水,在石墨纸的两面浸涂胶水,在籽晶的硅面浸涂胶水;S300、将石墨纸的两面分别与石墨盖的粘接面和籽晶的硅面粘接得到粘接件,并将粘接件进行热压烧结,得到预制件;S400、对预制件进行高温碳化处理,使得胶水碳化,并在石墨纸与籽晶的硅面之间形成Si‑C键。使用本发明提供的碳化硅籽晶粘结方法得以通过较为简便的上胶方式使得籽晶、石墨纸和石墨盖达到良好的粘结效果,从而获得较高品质碳化硅单晶。
  • 一种碳化硅籽晶粘结方法
  • [发明专利]一种硅化铈的合成方法-CN202210847933.9有效
  • 章宣;罗烨栋;浩瀚;赵新田;杨弥珺;陈晶莹 - 宁波合盛新材料有限公司
  • 2022-07-19 - 2023-10-10 - C01B33/06
  • 本发明属于物质合成技术领域,提供了一种硅化铈的合成方法。本发明的合成方法,将硅和含铈物料混合,进行压制成型,得到块体物料;在保护气氛下,将所述块体物料进行焙烧,得到所述硅化铈;所述含铈物料为铈粉或氧化铈;氧化铈时焙烧的压力为0~30mbar;铈粉时焙烧的压力为300~950mbar。本发明提供的制备方法不需要使用有毒的汞,也未引入氟和氯元素,以含铈物料(铈粉或氧化铈)和硅为原料进行制备,工艺简单、安全环保;同时,焙烧压力小,安全隐患低。实施例的数据表明,本发明提供的制备方法得到的硅化铈的纯度为97~98.6%,纯度高;所得硅化铈在第三代半导体碳化硅长晶中使用,达到了稳定晶型的目的。
  • 一种硅化铈合成方法
  • [实用新型]一种SiC晶体的脱胶工装-CN202320125014.0有效
  • 颜海雷;浩瀚;罗烨栋;赵新田;周长青;师杰 - 宁波合盛新材料有限公司
  • 2023-01-17 - 2023-07-07 - H01L21/67
  • 本申请公开了一种SiC晶体的脱胶工装,包括脱胶架,脱胶架上设置有放置区;当进行脱胶时,将粘接有多个晶片的晶托放置于放置区内,进而将脱胶架连同晶托共同放置于加热槽内,以使得晶片受热后脱离晶托并整齐的掉落至放置区内。本申请的有益效果:相比较传统的人工热风枪脱胶方式,本申请通过脱胶架将晶托连同晶片一同放置于加热槽中进行加热,可以保证晶片的受热均匀并自然脱落,进而可以有效的提高晶片的脱胶效率和脱胶质量。同时,在晶片受热脱胶后,可以保证所有的晶片都整齐的掉落至放置区内,进而可以方便操作人员进行拿取,以避免发生晶片放反的情况。
  • 一种sic晶体脱胶工装
  • [实用新型]一种石墨件表面附着物处理装置-CN202320166630.0有效
  • 饶威;浩瀚;赵新田 - 宁波合盛新材料有限公司
  • 2023-01-16 - 2023-06-30 - B08B1/00
  • 本申请公开了一种石墨件表面附着物处理装置,包括第一处理组件、第二处理组件、第三处理组件以及第四处理组件;第一处理组件、第二处理组件、第三处理组件以及第四处理组件依次设置;第一处理组件用于刮除石墨件表面的附着物,第二处理组件用于吹扫石墨件表面残余的颗粒物;重复通过第一处理组件以及第二处理组件处理至少一次后,第三处理组件用于检测石墨件表面的颗粒物是否清除干净,没有清除干净的石墨件返回第二处理组件进行处理,直至石墨件表面的颗粒物清除干净后,第四处理组件用于使石墨件保持在惰性气体氛围中。该处理装置操作简单,使用方便,能够高效地处理石墨件表面的附着物,从而有利于石墨件用于的碳化硅外延机台重新复机成功。
  • 一种石墨表面附着物处理装置
  • [发明专利]一种碳化硅单晶的制备方法-CN202211396071.9在审
  • 赵新田;罗烨栋;浩瀚;杨弥珺;章宣;陈晶莹 - 宁波合盛新材料有限公司
  • 2022-11-09 - 2023-06-23 - C30B29/36
  • 本发明提供了一种碳化硅单晶的制备方法,属于半导体材料制备技术领域。本发明将长晶用碳化硅原料置于装料石墨坩埚中,然后装配第一石墨支撑环,将含涂层籽晶置于所述第一石墨支撑环上,且使所述含涂层籽晶的硅面朝上;然后在所述第一石墨支撑环上装配第二石墨支撑环,将所述多孔石墨板置于所述第二支撑环上,且使多孔石墨板与所述含涂层籽晶之间预留有空间;在所述多孔石墨板的表面铺设碳化硅粉料层,之后盖上石墨盖,加热进行长晶处理,得到碳化硅单晶。本发明在籽晶背部设置碳化涂层,能够有效的防止籽晶背部硅蒸汽的挥发,进而防止籽晶背部腐蚀;同时通过籽晶支撑结构的优化设计,能够进一步防止籽晶背部腐蚀,保证最终得到高品质碳化硅单晶。
  • 一种碳化硅制备方法
  • [发明专利]碳化硅晶片的多线切割方法-CN202211697888.X有效
  • 师杰;赵新田;廖青春;颜海雷;周长青 - 宁波合盛新材料有限公司
  • 2022-12-28 - 2023-06-20 - B28D5/04
  • 本申请公开了一种碳化硅晶片的多线切割方法,碳化硅晶棒无需粘接为较长的晶棒进行切割,这可以避免多个碳化硅晶棒粘接时产生的较大误差,能够保证切割后晶片具有较好的晶向参数,此外,减少了晶棒的拼接缝隙,也可以减少钢线往复切割时,张力传递在线网内发生弛豫的现象,有利于改善切割后晶片的面型;在单次切割过程中,无需将钢线布满整个罗拉,因此未处在切割区域的线槽不会受到磨损,可以在下一次切割时使用,如此极大地提高了罗拉的使用率,减少了罗拉的浪费,有利于降低碳化硅晶片的制造成本;由于一套罗拉可以进行多次切割,因此不需要每次切割前都进行更换,有利于提高加工效率,减少人员工作量。
  • 碳化硅晶片切割方法
  • [实用新型]一种用于晶体切割断线后恢复切割的工装-CN202320253573.X有效
  • 颜海雷;浩瀚;赵新田;罗烨栋;周长青;师杰 - 宁波合盛新材料有限公司
  • 2023-02-07 - 2023-06-20 - B28D5/04
  • 本申请公开了一种用于晶体切割断线后恢复切割的工装,所述工装包括支架,所述支架上设有多根分割线,所述分割线适于插入切割后的所述晶体缝隙内并均匀分割所述晶体,以使得所述晶体适配于多线切割机中的线网。本申请设置了具有分割线的支架,当遇到晶片自然贴合的情况下,使用人员能够手持支架,利用工装简便快速地将贴合在一起地晶片均匀分割成与线网适配的状态,从而再次压入线网继续切割,可有效降低工作人员的劳动强度,并大量减少耗时,增加效率,并且,采用工装,相比手工,可有效防止手工操作不当,导致出现裂片的情况,从而避免晶片损失。
  • 一种用于晶体切割断线恢复工装
  • [实用新型]一种高纯碳化硅颗粒自动清洗装置-CN202223124051.4有效
  • 张文忠;浩瀚;赵新田;罗烨栋;黄世玺;瞿勇杰;祝真旺;洪志伟 - 宁波合盛新材料有限公司
  • 2022-11-23 - 2023-06-13 - B08B3/12
  • 本实用新型公开一种高纯碳化硅颗粒自动清洗装置,涉及碳化硅清洗装置技术领域,主要结构包括超声溢流机构、石英容器和纯水系统;超声溢流机构包括清洗槽和超声波发生器,清洗槽设置于超声波发生器上,清洗槽上部设置有进水口,清洗槽下部设置有下排水口,清洗槽中部设置有溢流口;石英容器设置于清洗槽内,且石英容器的顶部高于溢流口;纯水系统用于向石英容器内提供纯水。本实用新型中的高纯碳化硅颗粒自动清洗装置,利用纯水将石英容器内的细小的碳化硅颗粒冲出,通过超声波加强清洗,提高了清洗效率;再利用滤布对冲出的碳化硅颗粒进行回收。实现了高程度的自动化清洗,并具有较高的清洗效率。
  • 一种高纯碳化硅颗粒自动清洗装置
  • [实用新型]一种大尺寸低缺陷碳化硅单晶生长装置-CN202320172174.0有效
  • 陈晶莹;罗烨栋;浩瀚;赵新田;杨弥珺;章宣;都佳豪 - 宁波合盛新材料有限公司
  • 2023-01-17 - 2023-06-13 - C30B29/36
  • 本实用新型公开一种大尺寸低缺陷碳化硅单晶生长装置,涉及碳化硅生产设备技术领域,包括上部石墨坩埚、下部石墨坩埚、多孔石墨圆筒、多孔石墨筒、籽晶提杆、石墨籽晶盖、保温毡和感应线圈;上部石墨坩埚设置于下部石墨坩埚的顶部,且上部石墨坩埚的底部与下部石墨坩埚相连通;上部石墨坩埚和下部石墨坩埚内分别设置有一多孔石墨圆筒,多孔石墨圆筒内设置有多孔石墨筒;保温毡外侧设置有感应线圈。可先通过PVT法,使用扩径机械装配式石墨盖来减少由于粘接不均导致的六方空洞缺陷,同时可实现晶体的扩径生长,再使用PVT法得到更大的直径籽晶作为LPE法的籽晶。由于有两套加热系统和生长腔室,可在同一块晶体上实现不同类型的掺杂。
  • 一种尺寸缺陷碳化硅生长装置
  • [实用新型]一种晶体用工装-CN202320172499.9有效
  • 卢超;罗烨栋;浩瀚;赵新田;周长青;师杰 - 宁波合盛新材料有限公司
  • 2023-01-13 - 2023-06-02 - H01L21/687
  • 本申请公开了一种晶体用工装,所述工装适于放置在定向仪内,且所述工装包括基座和至少一个支架,所述基座上设有用于放置晶体的晶托,所述支架上适于安装辅助固定结构,所述辅助固定结构适于实现对于所述晶体的限位,并适于配合所述定向仪调节所述晶体和所述晶托之间的位置关系。本申请可用辅助固定结构来实现对于晶体的限位,使得机械化标准代替人工经验,从而减少对人的依赖,更为标准化,也可有效降低工作人员的劳动强度,并且将工装放入定向仪内,在粘接过程中,工作人员可根据定向仪对辅助固定结构进行调节,从而实现粘胶过程中对于角度偏差的调整,并由此可提高晶体与晶托之间的位置精度。
  • 一种晶体用工
  • [实用新型]一种自动缠制装置-CN202320163897.4有效
  • 贺秀山;浩瀚;赵新田;杨弥珺 - 宁波合盛新材料有限公司
  • 2023-01-13 - 2023-05-30 - B65H18/10
  • 本申请公开了一种自动缠制装置,包括工作台、缠绕组件、转动组件、升降组件以及卷绕有保温毡的收纳架;收纳架可转动地设置于工作台上方;缠绕组件可拆卸地且可转动地设置于升降组件,且缠绕组件用于固定保温毡的起始端;升降组件设置于工作台上方,且升降组件用于驱动缠绕组件上下运动;转动组件可转动地设置于工作台上方,转动组件用于迫使保温毡与缠绕组件接触,从而通过摩擦力迫使保温毡卷绕于缠绕组件。通过该自动缠制装置能实现自动缠制,易于提高热场缠制的受力均匀性以及密实缠绕的松紧度,保障热场在高温度时需要的轴向、径向生长温度的均匀性与重复性;这种自动缠制的方式的自动化程度更高,能够避免人员长期接触,安全性更高。
  • 一种自动装置

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