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- [实用新型]双层坩埚及碳化硅晶体生长装置-CN202321021993.1有效
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燕靖
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江苏集芯先进材料有限公司
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2023-04-27
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2023-10-24
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C30B29/36
- 本实用新型公开一种双层坩埚及碳化硅晶体生长装置，双层坩埚包括内、外坩埚和气体扩散通道，外坩埚包括外坩埚本体以及外坩埚盖，外坩埚本体底部连接有旋转轴；内坩埚包括内坩埚本体以及内坩埚盖，内坩埚本体设置在外坩埚本体内部，且内、外坩埚本体之间具有夹层通道；气体扩散通道连接在内、外坩埚盖之间，且其上端口与外坩埚本体的外部空间连通，下端口与原料区连通，气体扩散通道侧壁开设排气孔。碳化硅晶体生长装置包括生长装置本体、旋转驱动部件以及安装在生长装置本内部的上述双层坩埚，旋转轴下端穿过生长装置本体与外部的旋转驱动部件相连。本实用新型能够解决碳化硅晶体中出现硅液滴、碳包裹等杂质的技术问题，提高碳化硅晶体的质量。
- 双层坩埚碳化硅晶体生长装置
- [实用新型]碳化硅晶体生长装置-CN202320193721.3有效
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燕靖;吴建
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江苏集芯先进材料有限公司
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2023-02-08
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2023-08-29
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C30B29/36
- 本实用新型公开了一种碳化硅晶体生长装置，包括：长晶坩埚，长晶坩埚包括长晶盖和长晶埚本体，长晶盖的底壁设有籽晶，长晶埚本体内设有第一碳化硅粉料，长晶盖适于打开或关闭长晶埚本体，长晶埚本体的周壁外绕有第一线圈；辅助坩埚，辅助坩埚与长晶坩埚间隔开设置，辅助坩埚包括辅助盖和辅助埚本体，辅助埚本体内设有第二碳化硅粉料，辅助盖适于打开或关闭辅助埚本体，辅助埚本体的周壁外绕有第二线圈，第二线圈和第一线圈独立控制；驱动机构，驱动机构适于将长晶盖和辅助盖的位置对调。根据本实用新型的碳化硅晶体生长装置，不仅有利于减少碳化硅晶体中的碳包裹物，还有利于使碳化硅晶体的厚度增加。
- 碳化硅晶体生长装置
- [发明专利]碳化硅晶体生长装置-CN202111446990.8有效
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燕靖;陈俊宏
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江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司
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2021-11-30
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2023-06-27
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C30B29/36
- 本发明公开了一种碳化硅晶体生长装置，包括：坩埚组件，坩埚组件具有第一腔室和第二腔室，第二腔室位于第一腔室的内侧，第二腔室适于盛放原料，第一腔室适于放置籽晶，坩埚组件具有进气口、出气口和进气通道，进气口和出气口均与第一腔室连通，进气通道的进气端位于第一腔室外，进气通道的出气端与第二腔室连通，进气通道适于通入含有气态钒化合物的混合气，进气口适于通入含有还原性气体的吹扫气，原料升华产生的碳化硅气体适于在混合气和吹扫气的驱动下从第二腔室进入第一腔室并在籽晶上沉积，出气口用于排出过剩气体。根据本发明的碳化硅晶体生长装置，在实现利用钒补偿氮、硼制备碳化硅晶体的同时避免晶体中出现硅掺杂物，节约原料。
- 碳化硅晶体生长装置
- [发明专利]碳化硅晶体生长装置-CN202111448965.3有效
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燕靖;陈俊宏
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江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司
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2021-11-30
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2023-06-02
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C30B29/36
- 本发明公开了一种碳化硅晶体生长装置，包括：坩埚组件，所述坩埚组件具有容纳腔，所述容纳腔适于放置原料和籽晶，所述坩埚组件具有进气口、出气口和进气通道，所述进气口和所述出气口均与所述容纳腔连通，所述进气通道的进气端位于所述容纳腔外，所述进气通道的出气端埋入所述原料内，所述进气通道适于通入含有气态钒化合物的混合气，所述进气口适于通入含有还原性气体的吹扫气，所述原料受热升华产生的碳化硅气体适于在所述混合气和所述吹扫气的驱动下传输至所述籽晶表面沉积，所述出气口用于排出过剩气体。根据本发明的碳化硅晶体生长装置，可以避免碳化硅晶体纯度下降，并且在长晶过程中，易于控制晶体品质。
- 碳化硅晶体生长装置
- [实用新型]碳化硅长晶热场-CN202223179443.0有效
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燕靖;包伟刚
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江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司
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2022-11-29
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2023-05-05
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C30B23/00
- 本实用新型公开了一种碳化硅长晶热场，包括：坩埚，坩埚呈圆柱状，坩埚包括坩埚本体和坩埚盖，坩埚盖粘贴有籽晶，坩埚本体的底部设有碳化硅粉；顶部石墨毡，顶部石墨毡设于坩埚的顶部，顶部石墨毡的中心轴线与籽晶的中心轴线在同一条直线上，顶部石墨毡包括从下到上依次排布的多个第一环毡，每个第一环毡的外径与坩埚的外径相同，在从下到上的方向上，多个第一环毡的内径逐渐减小。根据本实用新型的碳化硅长晶热场，可以使得碳化硅晶体边缘向晶体中心温度逐渐降低，从而使得晶体中心生长速率大于边缘生长速率，有利于提高碳化硅晶体的品质。
- 碳化硅长晶热场
- [发明专利]碳化硅粉及其制备工艺-CN202310101251.8在审
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燕靖
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江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司
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2023-02-03
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2023-04-18
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C01B32/984
- 本发明公开了一种碳化硅粉及其制备工艺，制备工艺包括以下步骤：聚合反应：取碳前驱体均匀溶解于溶剂中，加入硅源，搅拌使硅源均匀分散在溶液中，得混合溶液，再向混合溶液中加入催化剂，在催化剂的作用下碳前驱体发生聚合反应得到有机聚合物，所述有机聚合物内均匀包裹硅源；老化、干燥：有机聚合物在40‑80℃恒温条件下老化，使未完全反应的碳前驱体充分反应，将老化后的有机聚合物干燥，得到干燥后的有机聚合物；高温合成：将干燥后的有机聚合物置于石墨热场中，并转移至炉腔中，在高温条件有机聚合物碳化形成碳源，碳源与硅源反应，得到高纯碳化硅粉。同时公开了采用上述工艺制备而成的碳化硅粉，该碳化硅粉具有碳包裹硅的微观结构。
- 碳化硅及其制备工艺
- [发明专利]碳化硅晶体生长装置-CN202111448112.X有效
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燕靖;陈俊宏
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江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司
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2021-11-30
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2023-03-28
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C30B23/02
- 本发明公开了一种碳化硅晶体生长装置，包括：坩埚组件，坩埚组件具有第一腔室和第二腔室，第二腔室位于第一腔室的内侧，第二腔室适于盛放原料，第一腔室的底部设有籽晶，坩埚组件具有进气口、出气口和进气通道，进气口和出气口均与第一腔室连通，进气通道的进气端位于坩埚组件外，进气通道贯穿第二腔室，进气通道的出气端与第一腔室连通，进气通道与第二腔室连通且连通处位于进气通道的进气端和出气端之间，进气通道和进气口用于吹入惰性气体以驱动第二腔室内的原料受热产生的气体从第二腔室进入第一腔室并在籽晶上沉积，出气口用于排出过剩气体。根据本发明的碳化硅晶体生长装置，有利于减少籽晶生长界面的应力，从而减少碳化硅晶体的缺陷。
- 碳化硅晶体生长装置
- [实用新型]碳化硅晶体生长装置-CN202223134048.0有效
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李远田;许成凯;燕靖;包伟刚;刘留
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江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司
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2022-11-24
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2023-03-28
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C30B29/36
- 本实用新型公开一种碳化硅晶体生长装置，包括坩埚、加热组件、第一发热件、过滤件、第二发热件和籽晶；加热组件对称安装在坩埚内侧顶壁和底壁，其包括多层与坩埚同轴设置的环形加热件，环形加热件的高度在粉源至籽晶方向上逐渐递减；第一发热件侧壁与最高的环形加热件的侧壁紧密贴合；过滤件顶部与坩埚上部的第一发热件底部相连，底部与坩埚下部的第一发热件顶部相连，过滤件和第一发热件将坩埚分隔为生长空间和原料空间；第二发热件安装在原料空间内；籽晶纵向安装在生长空间内，籽晶的中心与坩埚的中心均在加热组件对称线上。本实用新型能够过滤碳化硅气氛中的杂质，避免碳包裹现象，提高碳化硅晶体的品质。
- 碳化硅晶体生长装置
- [实用新型]高纯碳化钽粉的制备装置-CN202223592459.4有效
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李远田;许成凯;刘留;包伟刚;燕靖
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江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司
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2022-12-30
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2023-03-28
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C01B32/914
- 本实用新型公开了一种高纯碳化钽粉的制备装置，该制备装置包括：生长炉，生长炉安装在炉架内；反应坩埚，反应坩埚设置于生长炉的中心处，反应坩埚呈内部在上下方向贯穿的套筒状，反应坩埚的上、下两端分别设有托板，反应坩埚的侧壁沿周向均匀设有多组通孔，每组通孔有两个，每组的两个通孔相对设置；每个通孔的内侧设有用于密封该通孔的石墨纸，每个通孔内活动设有侧托板，反应坩埚内填充有碳粉和钽粉的混合粉，混合粉与上、下两个托板之间也设有石墨纸，施压部件，每个托板和每个侧托板分别连接一个施压部件，施压部件的一端向外伸出生长炉；输气管，输气管的一端伸入至混合粉中，其另一端依次伸出反应坩埚、生长炉和炉架。
- 高纯碳化制备装置
- [实用新型]一种碳化硅籽晶粘接装置-CN202222602583.8有效
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燕靖;陈俊宏
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江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司
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2022-09-29
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2023-03-10
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B28D5/00
- 本实用新型公开了一种碳化硅籽晶粘接装置，包括籽晶安置装置，限位模具，以及热压机构，所述籽晶安置装置用于放置并固定籽晶；所述限位模具形成有供所述籽晶安置装置转动、上下移动的限位腔，所述限位模具的内侧壁上设有与所述限位腔相通的排胶槽，所述排胶槽沿着所述限位模具的内侧壁周向环布，用于收集多余的粘胶；所述热压机构设置在所述限位模具的上方，用于与所述籽晶安置装置配合，从上下两侧进行加压，以实现籽晶的粘接固定；所述籽晶安置装置适于在所述限位腔内旋转、上下移动。本实用新型能够控制胶的均匀性，防止局部区域出现胶量多或胶量少的情况，还能有效控制压合的胶的厚度，进而提高籽晶粘接的合格率，提高生产效率。
- 一种碳化硅籽晶装置
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