[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 202211101974.X | 申请日： | 2022-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN115881806A | 公开（公告）日： | 2023-03-31 |
| 发明（设计）人： | 野濑幸则 | 申请（专利权）人： | 住友电工光电子器件创新株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/423;H01L29/43;H01L29/49;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 吕琳;朴秀玉 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体装置及其制造方法，半导体装置具有：基板；半导体层，设于所述基板之上；绝缘层，设于所述半导体层之上，形成有第一开口；栅电极，设于所述绝缘层之上，经由所述第一开口与所述半导体层接触；以及源电极和漏电极，与所述半导体层欧姆接触，所述栅电极具有：结晶性控制膜，设于所述绝缘层之上，并具备第二开口，该第二开口被形成为其内壁在从与所述基板的上表面垂直的方向的俯视观察下朝向所述基板与所述第一开口的内壁相连；第一金属膜，设于所述结晶性控制膜之上，经由所述第二开口和所述第一开口各自的相连的内壁与所述半导体层肖特基接触；以及第二金属膜，设于所述第一金属膜之上，所述第二金属膜的电阻比所述第一金属膜的电阻低。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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