[发明专利]一种功率半导体器件在审
| 申请号： | 202211052485.X | 申请日： | 2022-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN115579344A | 公开（公告）日： | 2023-01-06 |
| 发明（设计）人： | 谢健兴;成年斌;詹洪桂;袁海龙;蒙求恩;李丹伟 | 申请（专利权）人： | 佛山市国星光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/49 | 分类号： | H01L23/49;H01L23/498 |
| 代理公司： | 广州骏思知识产权代理有限公司 44425 | 代理人： | 吴静芝 |
| 地址： | 528000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及功率半导体器件，包括引线框架、基板、芯片组件，基板包括陶瓷板、以及设置在陶瓷板上的第一铜层和第二铜层，芯片组件包括并排设置在第一铜层上的第一芯片单元和第二芯片单元，第一芯片单元的顶面设置有第一栅极和第一源极，第一芯片单元的底面设置有第一漏极；第二芯片单元的顶面上设置有第二源极和第二栅极，第二芯片单元的底面设置有第二漏极；引线框架包括第一连接板和第二连接板，第一栅极与第二铜层之间通过第一键合线连接，第二栅极与第二铜层之间通过第二键合线连接；第一键合线与第二键合线垂直于陶瓷板的第一侧至第二侧的方向，其使栅源回路中的电流方向与漏源回路中的电流方向互相垂直，降低了功率半导体器件的寄生电感。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 半导体器件 | ||
【主权项】：
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