[发明专利]一种氧化镓肖特基二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 202210846604.2 | 申请日： | 2022-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN115394758A | 公开（公告）日： | 2022-11-25 |
| 发明（设计）人： | 张少鹏;曹佳 | 申请（专利权）人： | 北京无线电测量研究所 |
| 主分类号： | H01L23/58 | 分类号： | H01L23/58;H01L29/40;H01L29/872;H01L21/34 |
| 代理公司： | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人： | 李远思 |
| 地址： | 100854*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种氧化镓肖特基二极管及其制备方法，在一个具体示例中，所述氧化镓肖特基二极管自下而上包括：第一欧姆接触金属层、第二欧姆接触金属层、氧化镓基底层和氧化镓本征层，所述氧化镓本征层的上方设置有场板；在所述氧化镓本征层和场板上方设置有肖特基电极和浮动金属环；所述浮动金属环包括1‑3个等环间距设置的金属环，环间距为1‑7μm，环宽度为0.5‑15μm。所述氧化镓肖特基二极管，通过在氧化镓本征层上方布置场板和浮动金属环，将击穿电压分散，使氧化镓肖特基二极管的电场强度分布均匀化，提高了二极管的抗击穿能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 镓肖特基 二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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- 一种氧化镓肖特基二极管及其制备方法-202210846604.2
- 张少鹏;曹佳 - 北京无线电测量研究所
- 2022-07-19 - 2022-11-25 - H01L23/58
- 本发明实施例公开了一种氧化镓肖特基二极管及其制备方法，在一个具体示例中，所述氧化镓肖特基二极管自下而上包括：第一欧姆接触金属层、第二欧姆接触金属层、氧化镓基底层和氧化镓本征层，所述氧化镓本征层的上方设置有场板；在所述氧化镓本征层和场板上方设置有肖特基电极和浮动金属环；所述浮动金属环包括1‑3个等环间距设置的金属环，环间距为1‑7μm，环宽度为0.5‑15μm。所述氧化镓肖特基二极管，通过在氧化镓本征层上方布置场板和浮动金属环，将击穿电压分散，使氧化镓肖特基二极管的电场强度分布均匀化，提高了二极管的抗击穿能力。
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