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- [发明专利]使用互补电压电源的分裂栅闪存系统-CN202110506606.2在审
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H·V·陈;A·刘;T·于;H·Q·阮
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硅存储技术公司
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2015-12-04
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2021-08-10
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G11C5/14
- 本发明公开了一种包括第一导电类型的半导体衬底的非易失性存储器装置。非易失性存储器单元阵列位于所述半导体衬底中并按多个行和列布置。每个存储器单元包括位于所述半导体衬底的表面上的第二导电类型的第一区,以及位于所述半导体衬底的所述表面上的所述第二导电类型的第二区。沟道区位于所述第一区和所述第二区之间。字线覆盖在沟道区的第一部分上面并与所述沟道区的第一部分绝缘,并且与第一区相邻且与第一区几乎不或完全不重叠。浮栅覆盖在沟道区的第二部分上面,与第一部分相邻,并与沟道区的第二部分绝缘且与第二区相邻。耦合栅覆盖在浮栅上面。位线连接至第一区。在编程、读取或擦除操作期间,可将负电压施加至选择的或未选择的存储器单元的所述字线和/或所述耦合栅。
- 使用互补电压电源分裂闪存系统
- [发明专利]使用互补电压电源的分裂栅闪存系统-CN202110506608.1在审
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H·V·陈;A·刘;T·于;H·Q·阮
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硅存储技术公司
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2015-12-04
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2021-08-10
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G11C5/14
- 本发明公开了一种包括第一导电类型的半导体衬底的非易失性存储器装置。非易失性存储器单元阵列位于所述半导体衬底中并按多个行和列布置。每个存储器单元包括位于所述半导体衬底的表面上的第二导电类型的第一区,以及位于所述半导体衬底的所述表面上的所述第二导电类型的第二区。沟道区位于所述第一区和所述第二区之间。字线覆盖在沟道区的第一部分上面并与所述沟道区的第一部分绝缘,并且与第一区相邻且与第一区几乎不或完全不重叠。浮栅覆盖在沟道区的第二部分上面,与第一部分相邻,并与沟道区的第二部分绝缘且与第二区相邻。耦合栅覆盖在浮栅上面。位线连接至第一区。在编程、读取或擦除操作期间,可将负电压施加至选择的或未选择的存储器单元的所述字线和/或所述耦合栅。
- 使用互补电压电源分裂闪存系统
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