专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]台式升降器-CN201980101261.3在审
  • A·刘 - 科尔布鲁克博松及桑德斯(产品)有限公司
  • 2019-10-10 - 2022-06-24 - A47B9/16
  • 高度可调的工作表面包括平台和可移动地连接到平台的高度调节组件。支腿组件连接到高度调节组件并可移动地连接到平台。支腿组件在升高位置、降低位置和至少一个中间位置之间是可移动的。锁定组件可移动地连接到平台。锁定组件被构造成接合高度调节组件,以选择性地将支腿组件固定在升高位置、降低位置和至少一个中间位置中。
  • 台式升降
  • [发明专利]用于便携式电子设备的可变换箱体-CN202080048880.3在审
  • A·刘 - 科尔布鲁克博松及桑德斯(产品)有限公司
  • 2020-05-01 - 2022-03-11 - A45C11/00
  • 在一些方面中,用于便携式电子设备的可变换箱体(10)包括具有第一面板的底部表面(18)。顶部表面(14)可移动地联接到底部表面(18)。顶部表面(14)具有第二面板。底部表面(18)和顶部表面(14)至少部分地限定具有开口的腔(34)。底部表面(18)和顶部表面(14)可相对于彼此在储存构型与工作构型之间移动。在储存构型下,开口具有第一尺寸,并且,腔(34)和开口的尺寸被设置成接纳便携式电子设备。在工作构型下,开口具有大于第一尺寸的第二尺寸,并且,底部表面(18)和顶部表面(14)被定位成支承便携式电子设备。
  • 用于便携式电子设备变换箱体
  • [发明专利]使用互补电压电源的分裂栅闪存系统-CN202110506606.2在审
  • H·V·陈;A·刘;T·于;H·Q·阮 - 硅存储技术公司
  • 2015-12-04 - 2021-08-10 - G11C5/14
  • 本发明公开了一种包括第一导电类型的半导体衬底的非易失性存储器装置。非易失性存储器单元阵列位于所述半导体衬底中并按多个行和列布置。每个存储器单元包括位于所述半导体衬底的表面上的第二导电类型的第一区,以及位于所述半导体衬底的所述表面上的所述第二导电类型的第二区。沟道区位于所述第一区和所述第二区之间。字线覆盖在沟道区的第一部分上面并与所述沟道区的第一部分绝缘,并且与第一区相邻且与第一区几乎不或完全不重叠。浮栅覆盖在沟道区的第二部分上面,与第一部分相邻,并与沟道区的第二部分绝缘且与第二区相邻。耦合栅覆盖在浮栅上面。位线连接至第一区。在编程、读取或擦除操作期间,可将负电压施加至选择的或未选择的存储器单元的所述字线和/或所述耦合栅。
  • 使用互补电压电源分裂闪存系统
  • [发明专利]使用互补电压电源的分裂栅闪存系统-CN202110506608.1在审
  • H·V·陈;A·刘;T·于;H·Q·阮 - 硅存储技术公司
  • 2015-12-04 - 2021-08-10 - G11C5/14
  • 本发明公开了一种包括第一导电类型的半导体衬底的非易失性存储器装置。非易失性存储器单元阵列位于所述半导体衬底中并按多个行和列布置。每个存储器单元包括位于所述半导体衬底的表面上的第二导电类型的第一区,以及位于所述半导体衬底的所述表面上的所述第二导电类型的第二区。沟道区位于所述第一区和所述第二区之间。字线覆盖在沟道区的第一部分上面并与所述沟道区的第一部分绝缘,并且与第一区相邻且与第一区几乎不或完全不重叠。浮栅覆盖在沟道区的第二部分上面,与第一部分相邻,并与沟道区的第二部分绝缘且与第二区相邻。耦合栅覆盖在浮栅上面。位线连接至第一区。在编程、读取或擦除操作期间,可将负电压施加至选择的或未选择的存储器单元的所述字线和/或所述耦合栅。
  • 使用互补电压电源分裂闪存系统
  • [发明专利]使用相移焦线激光加工透明工件的装置和方法-CN201880023323.9有效
  • A·刘;M·R·罗斯 - 康宁股份有限公司
  • 2018-02-06 - 2021-07-30 - B23K26/53
  • 一种用于激光加工透明工件的方法包括在透明工件中形成具有缺陷的轮廓线,其包括引导沿着光束路径定向的脉冲激光束通过光束转换元件并通过相位修改光学元件,使得被引导进入透明工件的脉冲激光束的部分包括具有横截面相位轮廓的相移焦线,该横截面相位轮廓包括由相位修改光学元件引起的并沿相位脊线延伸的相位轮廓脊。此外,相移焦线在透明工件内生成诱发吸收以在透明工件内产生缺陷,该缺陷包括中心缺陷区域和从中心缺陷区域在径向缺陷方向上向外延伸的径向臂,该径向缺陷方向定向在相移焦线的相位脊线的20°内。
  • 使用相移激光加工透明工件装置方法

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