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[发明专利]封装结构及通信设备-CN202310210090.6在审
发明人：赵志华;曹梦逸;王开展 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2018-11-26 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种封装结构和应用其的通信设备，封装结构包括基板、晶片及用于将晶片粘接至基板上的粘接层，粘接层内设有带电粒子，晶片之背离粘接层的表面设有电极，电极与带电粒子的电位相反，封装结构还包括第一屏蔽结构，基板为零电位，第一屏蔽结构位于所述晶片的外表面且位于所述粘接层和所述电极之间，以阻止所述带电粒子迁移至所述电极。本申请实施例中提供了一种实现了抑制粘接材料中的离子迁移的封装方案，才对封装结构中的电极进行保护。
封装结构通信设备

[发明专利]晶体管、功率放大器及电子设备-CN202110831326.9在审
发明人：王东盛;田凯;姜腾;曹梦逸;谢荣华 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2021-07-22 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本申请提供一种晶体管、功率放大器及电子设备。该晶体管包括AlN势垒层及层叠于AlGaN层上的AlGaN层及SiN层，由于AlGaN层能够与AlN势垒层之间形成AlGaN/AlN复合势垒，SiN层与AlN势垒层之间形成SiN/AlN复合势垒，从而使得本申请的晶体管为增强型晶体管，能够避免晶体管不工作时漏电而产生的安全方面的问题。并且，由于SiN层为绝缘材料，SiN层部分覆盖AlN势垒层，可以起到表面钝化的作用，进一步提供该晶体管能够有更高的安全性能。
晶体管功率放大器电子设备

[发明专利]封装结构及通信设备-CN201880099731.2有效
发明人：赵志华;曹梦逸;王开展 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2018-11-26 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01L23/28 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种封装结构和应用其的通信设备，封装结构包括基板、晶片及用于将晶片粘接至基板上的粘接层，粘接层内设有带电粒子，晶片之背离粘接层的表面设有电极，电极与带电粒子的电位相反，封装结构还包括第一屏蔽结构，基板为零电位，第一屏蔽结构位于所述晶片的外表面且位于所述粘接层和所述电极之间，以阻止所述带电粒子迁移至所述电极。本申请实施例中提供了一种实现了抑制粘接材料中的离子迁移的封装方案，才对封装结构中的电极进行保护。
封装结构通信设备

[发明专利]一种集成电路-CN202110477067.4在审
发明人：张小敏;周峻民;曹梦逸 -专利权人：上海华为技术有限公司
申请日： 2021-04-29 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种集成电路，该集成电路包括衬底和第一电路，该第一电路包括电容和与电容有关(电连接)的布线，电容的一个极板的信号电流流经衬底中的n个导电结构而从衬底的一个表面导出衬底的对侧，并且，该n个导电结构从衬底的第二表面贯穿衬底至该极板，有利于缩小电容和与电容有关的布线的尺寸，降低集成电路的尺寸，并且有利于减少该极板的信号电流所经过的路径长度，从而有利于降低集成电路的损耗，从而有利于提高电容的Q值。
一种集成电路

[发明专利]封装结构及电子器件-CN202011064057.X在审
发明人：张宗民;谢荣华;孙益军;曹梦逸 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种封装结构及电子器件，该封装结构的第一导电层通过位于芯片本体外部的第一导电件与第一衬底导通，而且芯片本体上开设有槽孔，槽孔内设有第二导电件，第一导电层通过第二导电件与第一衬底导通。通过在第一导电层与衬底之间设置两条通道并联实现接地，降低了接地寄生参数，减小了功耗，从而在一定程度上提高了电子器件的输出效率。
封装结构电子器件

[发明专利]功率器件及其基底、功率器件组件、射频模块和基站-CN201811460547.4有效
发明人：谢荣华;张宗民;曹梦逸;赫然 -专利权人：华为机器有限公司
申请日： 2018-12-01 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本申请提供一种用于功率器件的基底，用于支撑功率器件的功率芯片。所述基底包括：金属基座、导热块和保护金属层，所述金属基座的封装面设有安装槽，所述导热块包括基材和多个均匀嵌设于所述基材内的导热粒子，所述导热块收容并固定于所述安装槽内，所述导热块包括用于支撑所述功率芯片的支撑面，所述支撑面与所述金属基座的封装面朝向相同，所述保护金属层层叠于所述支撑面上。本申请将混合有导热粒子的导热块嵌设到金属基座内，以降低基底的热阻，提高热导率，在安装功率芯片时，将功率芯片安装在导热块的支撑面上，使功率芯片产生的热量通过导热块及时导出，降低了功率芯片的工作温度，以提高功率芯片的使用寿命和工作效率。
功率器件及其基底组件射频模块基站

[发明专利]一种金刚石基氮化镓复合晶片及其键合制备方法-CN202010586692.8在审
发明人：胡文波;白海洋;王康;吴胜利;王宏兴;曹梦逸;谢荣华;张宗民;阮坤 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2020-06-24 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： H01L29/20 文献下载
摘要：一种金刚石基氮化镓复合晶片及其键合制备方法，该晶片具有氮化镓/成核层/碳化硅/金属中间层/金刚石衬底、氮化镓/金属中间层/金刚石衬底、氮化镓/陶瓷膜层/金属中间层/金刚石衬底等结构，主要制备步骤为：减薄氮化镓的碳化硅衬底，或者将碳化硅衬底完全剥离并减薄氮化镓层；对碳化硅衬底或氮化镓层及金刚石的待键合表面进行抛光和氩等离子体处理；在碳化硅衬底待键合表面沉积金属缓冲层及金膜，或者在氮化镓层待键合表面沉积金属缓冲层和金膜或沉积陶瓷膜层、金属缓冲层和金膜，在金刚石待键合表面沉积金属缓冲层和金膜；先进行氮化镓与金刚石的预键合，再进行二次键合；对金刚石基氮化镓复合晶片进行退火处理。本发明能提高键合强度。
一种金刚石氮化复合晶片及其制备方法

[发明专利]一种法兰和半导体功率器件-CN201811460542.1在审
发明人：袁昌发;曹梦逸;张宗民;谢荣华 -专利权人：华为机器有限公司
申请日： 2018-12-01 - 公布日： 2019-03-19 - 主分类号： H01L23/13 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种法兰和一种半导体功率器件，其中，所述法兰包括法兰本体和嵌件，所述嵌件嵌入所述法兰本体的上端面或下端面，并嵌绕于所述法兰本体的四周；其中，所述嵌件为适配于所述法兰本体端面形状；所述法兰本体的热膨胀系数高于所述嵌件的热膨胀系数。有效提高了法兰结构的机械可靠性，改善了半导体功率器件、集成电路板中法兰结构和芯片之间的CTE失配问题。
法兰本体嵌件半导体功率器件法兰热膨胀系数法兰本体端面机械可靠性集成电路板法兰结构上端面下端面中法兰失配适配嵌入芯片

[发明专利]一种法兰和半导体功率器件-CN201810618368.2在审
发明人：袁昌发;曹梦逸;张宗民;谢荣华 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2018-06-15 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： H01L23/13 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种法兰和一种半导体功率器件，其中，所述法兰包括法兰本体和嵌件，所述嵌件嵌入所述法兰本体的上端面或下端面，并嵌绕于所述法兰本体的四周；其中，所述嵌件为适配于所述法兰本体端面形状；所述法兰本体的热膨胀系数高于所述嵌件的热膨胀系数。有效提高了法兰结构的机械可靠性，改善了半导体功率器件、集成电路板中法兰结构和芯片之间的CTE失配问题。
法兰本体嵌件半导体功率器件法兰热膨胀系数法兰本体端面机械可靠性集成电路板法兰结构上端面下端面中法兰失配适配嵌入芯片

[发明专利]封装结构及通信设备-CN201711254631.6在审
发明人：陈开荣;张宗民;曹梦逸 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2017-11-30 - 公布日： 2018-03-16 - 主分类号： H01L23/043 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种封装结构和通信设备。封装结构包括基板、芯片、粘接层和涂层，基板设有多个凹槽，多个凹槽内以及基板表面上设置银粘接材料，以构成粘接层。芯片通过粘接层连接至基板，多个凹槽沿两条相互垂直的第一对称轴和第二对称轴分别对称排列，芯片在基板上的垂直投影以第一对称轴和第二对称轴呈中心对称，多个凹槽中与芯片边缘相对的凹槽为外圈凹槽，芯片基板上的垂直投影覆盖外圈凹槽的部分面积。涂层覆盖粘接层之未与基板及芯片接触的表面，用于阻止粘接层中的银离子迁移。本发明实施例提供的封装结构具有低热阻优势，具有良好的散热效率，能够提升功率放大器的使用寿命。
封装结构通信设备

[发明专利]源场板异质结场效应晶体管及其制作方法-CN201210418868.4无效
发明人：郝跃;张凯;马晓华;陈永和;曹梦逸 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2012-10-26 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种源场板异质结场效应晶体管及制作方法，主要解决现有场板技术击穿电压低、功率增益小的问题。该器件包括衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、源极(4)、漏极(5)、钝化层(6)、Γ栅(8)和保护层(11)，钝化层(6)上开有凹槽(7)，Γ栅(8)一部分位于凹槽(7)内，其余部分位于钝化层(6)上部；Γ栅(8)与漏极(5)之间的钝化层(6)上设有一个源场板(9)以及n个浮置金属场板(10)，源场板(9)与源极(4)相连，这些浮置金属场板长度相同，场板间的间距相同；Γ栅(8)、源场板(9)和n个浮置金属场板(10)经同一次金属淀积工艺完成，形成源场板异质结场效应晶体管。本发明具有击穿电压高，栅漏反馈电容小，功率增益高，工艺简单的优点，适用于高频、大功率III-V族化合物微波功率器件。
源场板异质结场效应晶体管及其制作方法

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