[发明专利]沟槽栅极式半导体装置及其形成方法在审
| 申请号： | 202210673206.5 | 申请日： | 2022-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN116960177A | 公开（公告）日： | 2023-10-27 |
| 发明（设计）人： | 许忠龙;陈旷举;刘汉英 | 申请（专利权）人： | 新唐科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 沈珍珠;郝博 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种沟槽栅极式半导体装置及其形成方法。该沟槽栅极式半导体装置，包括具有一沟槽的一外延层，以及设置于沟槽的下部的一遮蔽电极。遮蔽电极具有一第一侧壁及与其相对的一第二侧壁，且第一侧壁及第二侧壁的顶部各自具有一第一凹槽。上述装置也包括设置于沟槽的下部且隔开外延层与遮蔽电极的一下层介电层。下层介电层的一上表面具有一阶梯形轮廓自沟槽的一侧壁向下延伸至第一侧壁及第二侧壁各自的第一凹槽。上述装置也包括覆盖遮蔽电极的顶部及第一侧壁及第二侧壁各自的第一凹槽的一电极间介电层，以及设置于沟槽的一上部且覆盖阶梯形轮廓及电极间介电层的一栅极电极。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 栅极 半导体 装置 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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