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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]沟槽栅极式半导体装置及其形成方法-CN202210673206.5在审
  • 许忠龙;陈旷举;刘汉英 - 新唐科技股份有限公司
  • 2022-06-15 - 2023-10-27 - H01L29/78
  • 本发明公开了一种沟槽栅极式半导体装置及其形成方法。该沟槽栅极式半导体装置，包括具有一沟槽的一外延层，以及设置于沟槽的下部的一遮蔽电极。遮蔽电极具有一第一侧壁及与其相对的一第二侧壁，且第一侧壁及第二侧壁的顶部各自具有一第一凹槽。上述装置也包括设置于沟槽的下部且隔开外延层与遮蔽电极的一下层介电层。下层介电层的一上表面具有一阶梯形轮廓自沟槽的一侧壁向下延伸至第一侧壁及第二侧壁各自的第一凹槽。上述装置也包括覆盖遮蔽电极的顶部及第一侧壁及第二侧壁各自的第一凹槽的一电极间介电层，以及设置于沟槽的一上部且覆盖阶梯形轮廓及电极间介电层的一栅极电极。
  • 沟槽栅极半导体装置及其形成方法
  • [发明专利]沟槽式功率半导体装置及其制造方法-CN202210485429.9在审
  • 许忠龙;陈旷举;刘汉英 - 新唐科技股份有限公司
  • 2022-05-06 - 2023-10-03 - H01L29/78
  • 本发明提供一种沟槽式功率半导体装置及其制造方法。沟槽式功率半导体装置包括半导体基底、遮蔽栅、氧化层、栅极层以及栅氧化层。遮蔽栅设置于半导体基底的第一沟槽中，其包括第一遮蔽部分及位于第一遮蔽部分上的第二遮蔽部分，第二遮蔽部分的宽度大于第一遮蔽部分的宽度。氧化层设置于遮蔽栅与半导体基底之间，其包括环绕第一遮蔽部分的第一氧化部分及环绕第二遮蔽部分的第二氧化部分，第一氧化部分的厚度大于第二氧化部分的厚度。栅极层设置于第一沟槽中并位于遮蔽栅上。栅氧化层包括设置于栅极层与第二遮蔽部分之间的第一栅氧化部分及设置于栅极层与半导体基底之间的第二栅氧化部分。第二栅氧化部分的厚度小于第二氧化部分的厚度。
  • 沟槽功率半导体装置及其制造方法
  •  1 
  • 共 5 条
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