[发明专利]一种半导体功率器件的制造方法在审
| 申请号： | 202210420622.4 | 申请日： | 2022-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN114823367A | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 潘嘉;杨继业;姚一平;黄璇 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/288;H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王关根 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体功率器件的制造方法，提供正面工艺完成的IGBT晶圆，正面工艺包括形成正面金属层；对IGBT晶圆的背面进行Taiko减薄；对IGBT晶圆的背面进行离子注入并退火，形成集电区；将IGBT晶圆的正面放置到静电吸盘上；在IGBT晶圆的背面生长一层氧化层；将IGBT晶圆从静电吸盘中取出；利用化学镀工艺在正面金属层上镀上目标金属；去除IGBT晶圆背面的氧化层；在IGBT晶圆背面形成背面金属层。本发明通过在进行化镀工艺之前在IGBT晶圆背面形成氧化层，使得晶圆背面有氧化层保护，解决了IGBT化镀工艺导致背面金属脱落的问题，避免了造成晶圆碎片或机台沾污。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 功率 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
