[发明专利]一种紫外LED外延结构及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 202110919094.2 | 申请日： | 2021-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN113725332A | 公开（公告）日： | 2021-11-30 |
| 发明（设计）人： | 李国强 | 申请（专利权）人： | 广州市众拓光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州容大知识产权代理事务所(普通合伙) 44326 | 代理人： | 刘新年 |
| 地址： | 510000 广东省广州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： |
本发明涉及发光二极管技术领域，具体涉及一种紫外LED外延结构及其制备方法和应用。所述紫外LED外延结构从下向上依次包括衬底、缓冲层、非故意掺杂层、N型掺杂层、量子阱发光层、P型电子阻挡层和P型AlGaN层；所述N型掺杂层从下向上依次包括第一NAl |
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| 搜索关键词： | 一种 紫外 led 外延 结构 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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- 刘春杨;吕蒙普;胡加辉;金从龙;顾伟 - 江西兆驰半导体有限公司
- 2023-08-08 - 2023-09-05 - H01L33/14
- 本发明公开了一种LED外延片及其制备方法、LED芯片，涉及半导体器件技术领域，该LED外延片包括衬底及层叠于衬底之上的外延层，外延层包括电子阻挡层以及P型掺杂GaN层；外延层还包括电容层，电容层设于电子阻挡层与P型掺杂GaN层之间，电容层为第一AlN子层、P型掺杂GaN子层与第二AlN子层相互层叠的复合层。在本发明中，通过在电子阻挡层与P型掺杂GaN层之间制作电容层，在大电流情况下，在电子朝向P层运动的过程中，可以较好的把电子锁在电容层内，提高了芯片自身储存电荷的能力，从而提高了抗静电能力，即提升了极限ESD能力。
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