[发明专利]一种表面清洁度高的碳化硅衬底及其清洁方法在审
申请号: | 202110750285.0 | 申请日: | 2021-07-01 |
公开(公告)号: | CN113488528A | 公开(公告)日: | 2021-10-08 |
发明(设计)人: | 李加林;刘星;张宁;姜岩鹏;刘家朋 | 申请(专利权)人: | 山东天岳先进科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L29/16 | 分类号: | H01L29/16;B08B5/02;H01L21/02 |
代理公司: | 北京君慧知识产权代理事务所(普通合伙) 11716 | 代理人: | 冯妙娜 |
地址: | 250118 山*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 本申请公开了一种表面清洁度高的碳化硅衬底及其清洁方法,属于半导体材料处理技术领域,使用该清洁方法对碳化硅衬底进行清洁,能够提高碳化硅衬底C面和Si面的表面一致性。清洁后的碳化硅衬底的C面和Si面上,粒径>1μm的颗粒个数<10个,粒径在0.5μm‑1μm的颗粒个数<20个,粒径在0.1μm‑0.5μm的颗粒个数<30个,粒径在0.02μm‑0.1μm的颗粒个数<70个。 | ||
搜索关键词: | 一种 表面 清洁 碳化硅 衬底 及其 方法 | ||
【主权项】:
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