[发明专利]一种表面清洁度高的碳化硅衬底及其清洁方法在审
| 申请号： | 202110750285.0 | 申请日： | 2021-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN113488528A | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 李加林;刘星;张宁;姜岩鹏;刘家朋 | 申请（专利权）人： | 山东天岳先进科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/16 | 分类号： | H01L29/16;B08B5/02;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京君慧知识产权代理事务所(普通合伙) 11716 | 代理人： | 冯妙娜 |
| 地址： | 250118 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种表面清洁度高的碳化硅衬底及其清洁方法，属于半导体材料处理技术领域，使用该清洁方法对碳化硅衬底进行清洁，能够提高碳化硅衬底C面和Si面的表面一致性。清洁后的碳化硅衬底的C面和Si面上，粒径＞1μm的颗粒个数＜10个，粒径在0.5μm‑1μm的颗粒个数＜20个，粒径在0.1μm‑0.5μm的颗粒个数＜30个，粒径在0.02μm‑0.1μm的颗粒个数＜70个。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 表面 清洁 碳化硅 衬底 及其 方法 | ||
【主权项】：
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- 本发明适用于晶体管制备技术领域，提供了一种金刚石晶体管制备方法，该方法包括：提供氢终端金刚石，在氢终端金刚石上制备源极和漏极；将预先制备的栅介质层转移贴合在制备有源极和漏极的氢终端金刚石上；在栅介质层上制备栅极，得到金刚石晶体管。通过转移栅介质层避免高温制备栅介质层破坏氢终端金刚石的沟道，从而避免了晶体管电流密度的退化。
- 半导体器件和电子装置-202210804923.7
- 罗成志 - 武汉华星光电技术有限公司
- 2022-07-08 - 2022-10-25 - H01L29/16
- 本申请提供一种半导体器件和电子装置；该半导体器件包括薄膜晶体管，薄膜晶体管包括衬底、缓冲层和有源层，缓冲层设置于衬底一侧，有源层设置于缓冲层远离衬底的一侧，其中，半导体器件还包括金属层，金属层设置于有源层朝向缓冲层的一侧，金属层包括至少一个金属块，且金属块与有源层的至少部分直接接触。本申请通过在有源层朝向缓冲层的一侧设置金属层，金属层包括至少一个金属块，使金属块与有源层的至少部分直接接触，则在将有源层由非晶硅转化为多晶硅时，由于金属块的催化作用，使得多晶硅中的晶粒的尺寸交大，减少了多晶硅中的晶界，提高了半导体器件的迁移率。
- 一种SiC功率器件及其制造方法-202010846108.8
- 李立均;林科闯;郭元旭;彭志高;陶永洪 - 厦门市三安集成电路有限公司
- 2020-08-19 - 2022-09-09 - H01L29/16
- 本发明公开了一种SiC功率器件，包括由下至上设置的漏极、衬底和外延层，以及设于外延层上方的栅极和源极，外延层设有P‑离子注入区、P+离子注入区和N+离子注入区；其中栅极位于N+离子注入区之外的部分与外延层之间设有栅氧化层，末端位于N+离子注入区之内的部分与N+离子注入区之间设有附加介质层，且附加介质层的厚度大于栅氧化层的厚度。本发明还公开了上述结构的制作方法。本发明增加了栅极边缘与N+离子注入区之间的介质层厚度，降低了器件正向导通时位于栅极边缘与N+离子注入区之间介质层的最大电场，提高了栅源可靠性。
- 碳化硅LDMOSFET器件制造方法及碳化硅LDMOSFET器件-202210652972.3
- 余山;赵东艳;王于波;陈燕宁;付振;刘芳;王凯;吴波;邓永峰;刘倩倩;郁文 - 北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司
- 2022-06-10 - 2022-08-30 - H01L29/16
- 本发明涉及半导体领域，提供一种碳化硅LDMOSFET器件制造方法及碳化硅LDMOSFET器件。所述方法包括：在P型碳化硅衬底上形成碳化硅外延层，在碳化硅外延层上粘接P型硅层；对P型硅层进行刻蚀处理，形成两个延伸至碳化硅外延层的沟槽；分别沿两个沟槽的底部对碳化硅外延层进行离子掺杂形成沟道区；离子掺杂形成N型漂移区，填充沟槽形成P型体区；对填充沟槽进行刻蚀，形成场板隔离介质层；在刻蚀后的填充沟槽内填充多晶硅形成多晶硅栅极；在P型体区和N型漂移区形成源漏区。本发明采用碳化硅衬底，利用碳化硅的高击穿特性，提高器件的击穿电压；通过沟道区将两个多晶硅栅极串联形成组合栅结构，降低器件的导通电阻。
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