[发明专利]半导体装置的形成方法在审
申请号: | 202110347253.6 | 申请日: | 2021-03-31 |
公开(公告)号: | CN113270488A | 公开(公告)日: | 2021-08-17 |
发明(设计)人: | 刘昌淼;陈柏宁;陈科维 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L29/423 | 分类号: | H01L29/423;H01L29/40;H01L29/78;H01L21/336;H01L21/762;H01L27/092 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 聂慧荃;闫华 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本公开提出一种半导体装置的形成方法。半导体装置的形成方法包含图案化掩模层以及半导体材料以形成第一鳍片以及第二鳍片和插设于第一鳍片以及第二鳍片的沟槽。于第一鳍片、第二鳍片以及沟槽上方形成第一衬层。于第一衬层上方形成绝缘材料。执行第一退火,接着执行绝缘材料的第一平坦化以形成第一平坦化绝缘材料。其后,第一平坦化绝缘材料的顶表面系在掩模层的顶表面上方。执行第二退火,接着执行第一平坦化绝缘材料的第二平坦化以形成第二平坦化绝缘材料。蚀刻绝缘材料以形成浅沟槽隔离(STI)区域且于半导体材料上方形成栅极结构。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 形成 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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