[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202110336426.4 | 申请日： | 2021-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN113178392A | 公开（公告）日： | 2021-07-27 |
| 发明（设计）人： | 杨昌易;庄博尧;郑心圃 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L21/56;H01L23/31;H01L23/482;H01L23/485;H01L23/498;H01L25/18;H01L23/488;H01L23/29;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 方法包括：形成包括金属化图案的再分布结构；将半导体器件附接到再分布结构的第一侧；用第一密封剂密封半导体器件；在第一密封剂中形成开口，开口暴露再分布结构的金属化图案；在开口中形成导电材料，包括用导电膏至少部分地填充开口；在形成导电材料之后，将集成器件附接到再分布结构的第二侧；用第二密封剂密封集成器件；以及在密封集成器件之后，在导电材料上形成预焊料材料。本申请的实施例还涉及半导体器件及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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