[发明专利]半导体器件及其制作方法有效
| 申请号： | 202110281808.1 | 申请日： | 2021-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN113066799B | 公开（公告）日： | 2022-08-19 |
| 发明（设计）人： | 刘学刚;李威谕 | 申请（专利权）人： | 泉芯集成电路制造（济南）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L27/02;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 姚璐华 |
| 地址： | 250101 山东省济南市*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种半导体器件及其制作方法，所述半导体器件包括：第一导体层，所述第一导体层包括至少一条第一走线；第二导体层，所述第二导体层包括至少一条第二走线；所述第一走线与所述第二走线交叉接触；绝缘层，所述绝缘层位于所述第二导体层背离所述第一导体层的一侧；通孔，所述通孔贯穿所述绝缘层，所述第一走线与所述第二走线的至少一个交叉位置上具有所述通孔；第三导体层，所述第三导体层位于所述绝缘层背离所述第一导体层与所述第二导体层的一侧。本发明方案通过在第一走线与第二走线的至少一个交叉位置上设置通孔，并将其余的通孔按照尽可能多的均匀分布，可以使得同层金属的连接性增加，提高可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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