[发明专利]一种氮化镓场效应晶体管抗辐照加固的封装器件有效
| 申请号： | 202110127515.8 | 申请日： | 2021-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN112928072B | 公开（公告）日： | 2023-09-19 |
| 发明（设计）人： | 杨明生;郑斌;鲁国林;蒋兆坚 | 申请（专利权）人： | 重庆两江卫星移动通信有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/06 | 分类号： | H01L23/06;H01L23/10;H01L23/552;H01L23/373 |
| 代理公司： | 成都行之专利代理有限公司 51220 | 代理人： | 李朝虎 |
| 地址： | 401120 重庆*** | 国省代码： | 重庆;50 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种氮化镓场效应晶体管抗辐照加固的封装器件，应用于航空航天领域，包括：氮化镓场效应晶体管和氮化铝壳体；所述氮化铝壳体包含氮化铝底壳和氮化铝上盖，所述氮化铝底壳和氮化铝上盖之间通过合盖粘接剂密封形成密闭空间，所述氮化铝壳体内腔置有氮化镓场效应晶体管，所述氮化镓场效应晶体管的底部安装有焊条所述氮化铝壳体内腔底部还设有焊盘，所述焊条与所述焊盘通过焊膏焊接；所述焊盘的表面喷有金属镀层；该封装器件体积小、成本低、实现比传统抗辐照MOSFET更优的抗辐照和单粒子特性，且其参数和特性远远优于传统抗辐照MSOFET和商业MOSFET，同时解决GaN FET散热困难的问题，可直接运用于航天领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 场效应 晶体管 辐照 加固 封装 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于重庆两江卫星移动通信有限公司，未经重庆两江卫星移动通信有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110127515.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种防手汗用竞技网球拍
- 下一篇：一种烤烟栽前低温炼苗方法
- 同类专利
- 一种氮化镓场效应晶体管抗辐照加固的封装器件-202110127515.8
- 杨明生;郑斌;鲁国林;蒋兆坚 - 重庆两江卫星移动通信有限公司
- 2021-01-29 - 2023-09-19 - H01L23/06
- 本发明公开了一种氮化镓场效应晶体管抗辐照加固的封装器件，应用于航空航天领域，包括：氮化镓场效应晶体管和氮化铝壳体；所述氮化铝壳体包含氮化铝底壳和氮化铝上盖，所述氮化铝底壳和氮化铝上盖之间通过合盖粘接剂密封形成密闭空间，所述氮化铝壳体内腔置有氮化镓场效应晶体管，所述氮化镓场效应晶体管的底部安装有焊条所述氮化铝壳体内腔底部还设有焊盘，所述焊条与所述焊盘通过焊膏焊接；所述焊盘的表面喷有金属镀层；该封装器件体积小、成本低、实现比传统抗辐照MOSFET更优的抗辐照和单粒子特性，且其参数和特性远远优于传统抗辐照MSOFET和商业MOSFET，同时解决GaN FET散热困难的问题，可直接运用于航天领域。
- 一种金属封装外壳及其制作方法-202110815098.6
- 曾辉;钟永辉;方军;耿春磊;史常东 - 合肥圣达电子科技实业有限公司
- 2021-07-19 - 2023-09-01 - H01L23/06
- 本发明公开了一种金属封装外壳及其制作方法，包括金属外壳本体，所述金属外壳本体底部平面上阵列式设置有若干通孔，所述通孔内设置有铜柱，所述金属外壳本体内部设置铜柱的底面上设置有LTCC基板电路，所述金属外壳本体的材料为钛合金，所述铜柱的材料为无氧铜，所述通孔为阵列式排布，阵列式排布的通孔所占区域的面积大于LTCC基板电路的面积。本发明通过采用TC4钛合金外壳本体上阵列式镶嵌高热导率无氧铜材料铜柱的结构使得本发明的钛合金封装外壳热膨胀系数与内部电路的匹配，可靠性高，且密度低、重量轻、成本低；本发明的制备方法的钎焊参数设置使得钎焊时铜柱与钛合金金属外壳本体的通孔之间焊缝强度高。
- 一种IGBT模块封装外壳及IGBT模块封装结构-202320008440.6
- 段金炽;廖光朝 - 重庆云潼科技有限公司
- 2023-01-04 - 2023-08-11 - H01L23/06
- 本实用新型涉及半导体功率模块封装技术领域，尤其涉及一种IGBT模块封装外壳及IGBT模块封装结构，IGBT模块封装外壳包括两层树脂层和设置在两层树脂层之间的石墨层。IGBT模块封装结构，包括上述的IGBT模块封装外壳，还包括位于所述IGBT模块封装外壳与基板之间构成的封装空间内的衬板、第一芯片、第二芯片。本实用新型克服了现有的IGBT模块封装外壳没有减少电磁干扰的缺点，辅助提高IGBT模块的运行安全可靠性。
- 一种可控制玻璃“瘤体”的电源模块管壳生产方法-202310317288.4
- 侯丝丝;王宇飞;杨晨;宋瑞;程坤;郑浩楠 - 西安赛尔电子材料科技有限公司
- 2023-03-28 - 2023-06-27 - H01L23/06
- 本发明公开了一种可控制玻璃“瘤体”的电源模块管壳生产方法，所述生产方法包括将基座与引线通过高阻值的玻璃坯进行组装后，置于选定气氛中进行烧结；具体为，将原料进行预处理和检验，得到待装配的基座、引线和玻璃坯；将所述玻璃坯进行去毛刺处理，所述去毛刺处理包括物理处理和/或化学处理；将处理后的玻璃坯与所述基座、引线装配后，置于选定气氛中，并以特定的升温速率升温至800～1150℃进烧结，烧结时间为10～40min，得到电源模块管壳；所述电源模块管壳的镀覆方式为镀金、镀铜或镀镍中的至少一种。本发明优选物理方法处理玻璃坯，所制管壳外观与性能均佳，不良率低，提高了生产过程中速控步的生产效率，不仅保证外观优良，且大幅度提高了产能。
- 光学感测模块及其封装方法-202211628081.0
- 林裕闵;许峯荣 - 昇佳电子股份有限公司
- 2022-12-16 - 2023-06-20 - H01L23/06
- 本发明公开了一种光学感测模块及其封装方法，其中光学感测模块包含一基板，该基板设有一感光元件；以及一透光材质制成的壳体，该壳体连接该基板且覆盖该感光元件。其中，该壳体具有朝向该感光元件的一收光区域，该壳体朝向该基板的内侧表面于该收光区域以外的部分设有一遮光涂层。借此，可有效保护感光元件等光学元件，并仍保有避免噪声光影响干扰光感测模块的效果。
- 半导体封装用管座-202211401761.9
- 中泽胜哉 - 新光电气工业株式会社
- 2022-11-09 - 2023-05-19 - H01L23/06
- 本发明提供一种半导体封装用管座，其能够在孔眼部的下表面侧容易地配置散热部件。本半导体封装用管座具有：孔眼部，其形成有自第一面贯通至第二面的贯通孔；引线，其插入上述贯通孔；以及金属底座，其与上述孔眼部的第二面接合，上述引线在上述孔眼部的第二面侧弯曲，并且在俯视时自上述孔眼部的侧面突出，上述金属底座与上述引线分离配置，位于在俯视时与上述孔眼部重叠的位置的上述引线在侧视时配置在上述金属基座的厚度的范围内。
- 一种双列直插封装结构及陶瓷管壳及陶瓷管壳制备治具-202211687749.9
- 刘永良;孙小堆;王飞;张培然 - 瓷金科技（河南）有限公司
- 2022-12-28 - 2023-04-14 - H01L23/06
- 本发明公开一种陶瓷管壳，包括斜切面，在陶瓷管壳与引线框连接时，焊料堆积在斜切面，能够有效避免焊料堆叠造成的陶瓷管壳与印制电路板贴合度低的问题，提升产品品质；同时，本发明还提供一种双列直插封装结构，包含上述的陶瓷管壳，能够节约封装结构占用空间，有利于缩小电子产品尺寸。本发明还提供一种上述的陶瓷管壳的制备治具，包括切削平台和固定块，固定块和限位块相配合，将陶瓷管壳坯料固定于切削平台上，切削刀片沿切削槽滑动，对陶瓷管壳坯料进行切削，得到陶瓷管壳的斜切面，切削槽和限位块平行设置，保证了斜切面的切削精度，提高了陶瓷管壳的制备工作效率，同时为双列直插封装结构的制备提供了便利。
- 一种螺旋塔型管帽超高压雪崩二极管-202121321456.X
- 高君 - 固安京仪椿树整流器有限公司
- 2021-06-15 - 2023-03-28 - H01L23/06
- 本实用新型公开了一种螺旋塔型管帽超高压雪崩二极管，包括金属陶瓷管壳，所述金属陶瓷管壳的顶部安装有螺旋缓冲层，所述螺旋缓冲层的顶部安装有外露端头，所述外露端头的内部开设有洞孔，所述金属陶瓷管壳的内部设置圆形硅单晶片，所述圆形硅单晶片的一端固定安装有钼片，所述圆形硅单晶片的另一端固定安装有芯片，所述金属陶瓷管壳的内部固定连接有两组安装片。该螺旋塔型管帽超高压雪崩二极管，通过设置螺旋缓冲层，通过多层塔型的缓冲，以及由厚片与磷低掺杂设置而成，其缓冲效果好，高压电流的穿通效果好，提高了超高压雪崩二极管的实用性，也给实际使用过程中减免了不必要的麻烦，保证了产品的可靠性和使用寿命。
- 一种换能器封装外壳及换能器-202221958384.4
- 曲承铃 - 荣成歌尔微电子有限公司
- 2022-07-27 - 2023-02-28 - H01L23/06
- 本实用新型公开了一种换能器封装外壳及换能器，属于换能器技术领域，外壳由若干PCB板组成，所述PCB板包括两层铜箔层，两层所述铜箔层之间设置有石墨烯/金属复合材料层、环氧树脂层和玻璃纤维层；换能器包括上述的换能器封装外壳，所述外壳内设置有MEMS芯片和ASIC芯片，所述ASIC芯片通过金线与所述MEMS芯片和其中一个所述PCB板电连接，本设计的PCB板制成的换能器硬度大不易在压力下变形、耐热性高、耐磨性好，耐氧化也好，且具有较高的电磁屏蔽性能，有效提高换能器整体质量，提高市场竞争力。
- 一种带有保护结构的三层壁增强复合管-202222391246.9
- 张达;张琳;张丽 - 福建新胜达新材料科技有限公司
- 2022-09-06 - 2023-02-03 - H01L23/06
- 本实用新型涉及复合管技术领域，且公开了一种带有保护结构的三层壁增强复合管，包括外层塑料，所述外层塑料的外侧壁活动连接有防护套，所述防护套的顶部固定连接有第一连接块，所述第一连接块的顶部固定连接有卡块。该带有保护结构的三层壁增强复合管，通过设置的防护套、第一连接块、第二连接块、卡块、卡槽、螺纹槽和固定螺丝、垫圈和螺帽的相互配合使用下，从而实现了对复合管进行防护的作用，利用防护套来对复合管整体进行防护，将固定螺丝转入至螺纹槽的内部，从而将第一连接块和第二连接块进行再次固定与锁紧，尽量的避免复合管在长时间的使用过程中因防护性能不够造成损坏。
- 一种大功率、高耐压金属-陶瓷电源封装外壳-202122359270.X
- 谢新根;张春雨 - 南京固体器件有限公司
- 2021-09-28 - 2022-12-30 - H01L23/06
- 本实用新型公开了一种大功率、高耐压金属‑陶瓷电源封装外壳，包括底座、金属墙体、陶瓷墙体、封接框、覆铜氮化铝热沉、可伐密封圈和引线，所述底座上设有金属墙体、陶瓷墙体、覆铜氮化铝热沉，所述覆铜氮化铝热沉设置在金属墙体和陶瓷墙体之间，所述封接框的底部与金属墙体和陶瓷墙体的顶部连接，所述覆铜氮化铝热沉包括无氧铜片和氮化铝陶瓷，所述覆铜氮化铝热沉和底座之间通过银铜焊料进行焊接，所述陶瓷墙体上设有可供引线穿过的安装孔，本实用新型的有益效果为：使用的覆铜氮化铝热沉和陶瓷墙体将散热功率提升至180W/m•K，耐压能力提升至2000V，满足大功率、高耐压组件使用。
- 适用于大功率裸芯片烧结的多层异质电子封装外壳及工艺-202211047897.4
- 齐安;王乐英;王新刚;刘克群;李锐 - 青岛航天半导体研究所有限公司
- 2022-08-30 - 2022-11-29 - H01L23/06
- 本发明涉及适用于大功率裸芯片烧结的多层异质电子封装外壳及工艺，其包括层设置的无氧的铜底板、过渡的中间钼片、陶瓷绝缘片及顶部钼片；陶瓷绝缘片两侧采用附铜工艺；本发明设计合理、结构紧凑且使用方便。
- 氧化铝瓷件及其制作方法、陶瓷外壳的制作方法-202010819028.3
- 郭志伟;刘冰倩;李航舟 - 中国电子科技集团公司第十三研究所
- 2020-08-14 - 2022-10-25 - H01L23/06
- 本发明提供了一种氧化铝瓷件及其制作方法、陶瓷外壳的制作方法，氧化铝瓷件包括层叠压实并烧结为一体的多层瓷片，每层瓷片上均印刷有多个金属化图形，且每层瓷片上均设有多个分别与各个金属化图形对应导通的金属化互连孔，相邻层的瓷片上的各个金属化图形分别通过相应的金属化互连孔导通为多个互联网络，其中一层或多层瓷片上印刷有多条分别与各个互联网络对应导通的的电镀线，电镀线由金属化互连孔延伸至瓷片的边沿，瓷片的周边具有用于在陶瓷外壳电镀完成后去除的切边区域；其中，印刷有电镀线的瓷片上的切边区域内印刷有导通线，导通线将各个电镀线于切边区域内导通。本发明还提供了一种氧化铝瓷件及陶瓷外壳的制作方法。
- 冷压焊型金属封装外壳及其制作工艺-202210590299.5
- 张凤伟;冯东;唐正生;宁峰鸣 - 中国电子科技集团公司第四十三研究所
- 2022-05-27 - 2022-09-13 - H01L23/06
- 本发明公开了一种冷压焊型金属封装外壳及其制作工艺，该冷压焊型金属封装外壳包括底盘，所述底盘为无氧铜和可伐的复合材料；过渡环，所述过渡环设于所述底盘内腔的表面；硼硅玻璃材质的玻璃绝缘子；引线，所述引线插设于所述玻璃绝缘子中；以及盖帽，所述盖帽为无氧铜材质，其通过冷压焊工艺与所述底盘封装。通过将冷压焊型金属封装外壳的底盘采用可伐/无氧铜复合材料，其中，底盘、过渡环、引线和玻璃绝缘子封接，无氧铜面与同为无氧铜材质的盖帽冷压焊，保证了封接的气密性和产品的可靠性，提高了产品的使用寿命。
- 一种带水冷散热装置的凸台无氧铜管壳-202220828233.0
- 颜家圣;张钦;邹宗林;蒋平平;朱玉德;任丽 - 湖北台基半导体股份有限公司
- 2022-04-12 - 2022-08-05 - H01L23/06
- 本实用新型的名称一种带水冷散热装置的凸台无氧铜管壳。属于功率半导体器件及组件技术领域。它主要是解决现有凸台管壳应用时因需另配散热装置而存在发热量大和散热慢的问题，特别是在船舶及交通运输领域，还存在占用体积大、耗材多、重量重以及装配复杂的问题。它的主要特征是：包括上封接件和下封接件；所述下封接件包括依次连接下封接法兰、陶瓷环和下法兰圈；所述上封接件或/和下封接件还包括水冷散热装置。本实用新型具有自带水冷散热装置、厚度薄、体积小和可以简化集成组件安装的特点，主要用于大功率半导体器件的封装管壳。
- 用于保护半导体装置的容器及相关方法-202210019536.2
- M·A·迪塔利;A·F·拉福热;M·D·莱维特;A·D·韦切斯 - 美光科技公司
- 2022-01-10 - 2022-07-29 - H01L23/06
- 本申请涉及用于保护半导体装置的容器及相关方法。用于在其中支撑一或多个半导体装置的容器可包含经定位以至少部分地包围半导体装置的壁。所述壁中的至少一个可包含辐射屏蔽材料。支撑结构可经塑形、定位及配置以在所述壁内支撑所述半导体装置。
- 一种基于SIP封装技术的小型化光电振荡器-202011002098.6
- 潘超群;苏坪;徐晟;丁勇;郭培培;周王伟;刘永杰 - 上海无线电设备研究所
- 2020-09-22 - 2022-07-29 - H01L23/06
- 本发明公开了一种基于SIP封装技术的小型化光电振荡器芯片，包括光电振荡器光模块、光电振荡器电模块和封装用的金属陶瓷壳体；光模块的器件通过垫片烧结在镀金的壳体底面，电模块的器件通过微带板挖孔方式烧结在镀金的壳体底面，并经微带板传输信号；光电振荡器芯片呈现模块化隔离，光模块与电模通过金属隔板隔离，隔板外分别涂敷吸光材料和吸波材料。光电振荡器芯片供电和输出等信号通过陶瓷四边引线扁平封装(CQFP)的引脚进行传输。本发明利用SIP封装技术实现低相位噪声光电振荡器的芯片化三维集成，实现一体化、轻小型、可调谐、电磁兼容设计，大幅降低光电振荡器系统体积和重量，满足未来雷达的频综系统模块化、高可靠、小型化等发展需求。
- 半导体封装件及形成半导体封装件的方法-202111530364.7
- A·普拉扎卡莫;周志雄;林育圣 - 半导体元件工业有限责任公司
- 2021-12-14 - 2022-06-21 - H01L23/06
- 本申请涉及半导体封装件及形成半导体封装件的方法。半导体封装件的实施方式可以包括第一衬底，该第一衬底包括与其物理地耦接的第一组引线和与其物理地耦接的第二组引线；第二衬底，该第二衬底耦接在该第一衬底上并且物理地耦接到该第一组引线和该第二组引线；和一个或多个半导体管芯，该一个或多个半导体管芯耦接在该第一衬底与该第二衬底之间。第二组引线可以与第一衬底电隔离。
- 一种新型封装的二极管-202220390569.3
- 韩林 - 苏州基尔泰电子有限公司
- 2022-02-24 - 2022-06-14 - H01L23/06
- 本实用新型公开了一种新型封装的二极管，一种新型封装的二极管，包括管座和管帽，管座包括底座、安装在底座内的芯片以及连接在底座底部的第一引线和第二引线，管帽包括管壳和玻璃球镜，玻璃球镜密封设置在管壳顶部，底座为铜镀金材质；第一引线的顶端从底座内向上穿出后通过导线与芯片连接，第一引线与底座绝缘设置；芯片和第二引线均与底座电连接；管壳为304不锈钢材质，管壳底部与底座采用电阻焊焊接封装。本实用新型的底座为铜镀金材质，管壳为304不锈钢材质，管壳底部与底座采用电阻焊焊接封装，管壳与底座之间焊缝致密、没有疏松和裂纹，管壳和底座密封性好，且稳定性高，二极管在使用过程中受环境因素影响小，能够长时间保持性能稳定。
- 一种具有耐击穿结构的二极管-202220250142.3
- 涂长招 - 福建康博电子技术股份有限公司
- 2022-02-07 - 2022-06-14 - H01L23/06
- 本实用新型公开了一种具有耐击穿结构的二极管，包括外壳，所述外壳的内壁固定连接有绝缘壳，所述外壳的两侧分别连接有阳极引线与阴极引线，所述阳极引线的一端固定连接有金属触丝，所述阴极引线的一端固定连接有N型锗片。本实用新型所述的一种具有耐击穿结构的二极管，根据焦耳定律，电流通过导体产生的热量跟电流的二次方成正比，当电流过大时，金属触丝会产生较多的热量，对周围的环境进行加热，使得膨胀球内部的二氧化碳气体迅速膨胀，使得膨胀球将输电线上的金属触点接触到金属触丝，然后输送到电阻进行消耗，进而减小经过金属触丝的电流，增加二极管的击穿极限。
- 一种高结温SiC陶瓷封装硅堆外壳结构-202010496801.7
- 张玉明;刘文辉;伍志雄;王维乐;白朝辉 - 西安卫光科技有限公司;西安电子科技大学
- 2020-06-03 - 2022-06-07 - H01L23/06
- 本发明公开了一种高结温SiC陶瓷封装硅堆外壳结构，管壳的内腔为三腔室结构，每个腔室内对应设置有管芯，腔室的底部设置有底板，管壳的两端分别设置有引线，一端的引线依次连接三个腔室内的管芯后与另一端的引线连接，三只管芯与底板烧结后经压焊工艺将三只管芯串联形成硅堆，管壳的上方设置有盖板，盖板与内腔之间填充有硅凝胶，形成高结温SiC陶瓷封装硅堆外壳结构。本发明硅堆外壳结构减小了体积，提高了工作结温。
- 一种密封功率器件金属陶瓷管壳-202122601268.9
- 高永辉;徐守利;银军;夏达;顾颖言;蔡晓波;张晓帆;赵景波;默江辉;翟岐;段雪;杨光晖 - 中国电子科技集团公司第十三研究所
- 2021-10-27 - 2022-06-07 - H01L23/06
- 本实用新型提供了一种密封功率器件金属陶瓷管壳，包括类矩形的金属热沉和陶瓷封装；金属热沉的两端分别设有连接部；陶瓷封装沿金属热沉的长轴方向设于金属热沉上，且位于两个连接部之间，具有适于封装功率器件的气密腔；其中，陶瓷封装于功率器件的安装位上设有散热部，散热部用于将功率器件散发的热量传递至金属热沉上，金属热沉上位于陶瓷封装和两个连接部之间的两个位置上均设有应力缓释部。本实用新型提供的一种密封功率器件金属陶瓷管壳，能够避免陶瓷封装及功率器件受到应力拉扯而破裂，且散热性能好，从而能够提高功率器件的长期使用可靠性。
- 一种抗干扰的IGBT门极模块-202123292146.2
- 秦井武;李小琼;秦美仙 - 深圳市优联电气技术有限公司
- 2021-12-25 - 2022-05-17 - H01L23/06
- 本实用新型公开了一种抗干扰的IGBT门极模块，包括底座和树脂外壳，所述底座的上表面固定安装有树脂外壳，所述树脂外壳的上表面固定安装有树脂外盖，所述树脂外盖的上表面设有主端子，所述树脂外壳的上表面靠近四角嵌设有连接套环，所述树脂外壳的上表面靠近一端两侧固定安装有辅助端子，所述树脂外壳的上表面靠近一端两侧活动安装有端子防护罩。本实用新型所述的一种抗干扰的IGBT门极模块，通过设置的端子防护罩，端子防护罩可以对不使用时的辅助端子进行保护，避免辅助端子在不使用的时候受到外力碰撞而受损，端子防护罩对辅助端子的防护可以有效延长辅助端子的使用寿命，端子防护罩的拆装很方便。
- 一种贴片式射频芯片-202122629410.0
- 刘炳才 - 亿联智控科技(深圳)有限公司
- 2021-10-29 - 2022-05-13 - H01L23/06
- 本实用新型涉及射频芯片技术领域，且公开了一种贴片式射频芯片，包括外壳，所述外壳是由防水层、耐腐蚀层、基层和耐高温层组成的，防水层的内表面与耐腐蚀层的外表面固定连接，所述耐腐蚀层的内表面与基层的外表面固定连接，所述基层的内表面与耐高温层的外表面固定连接，所述外壳的内部固定连接有陶瓷天线基板，所述陶瓷天线基板的顶部右端设置有芯片本体，所述芯片本体的外表面固定连接有保护层，所述芯片本体的引脚处固定连接有连接线，所述连接线的左端固定连接有感应线圈。本实用新型通过在外壳上设置有防水层和耐腐蚀层的结构，可以使外壳具有防水和耐腐蚀的性能，对外壳内部的电器元件起到保护的作用。
- 一种芯片封装盖板-202122862522.0
- 吴乔 - 四川齐航盈创科技有限公司
- 2021-11-22 - 2022-05-13 - H01L23/06
- 本实用新型公开了一种芯片封装盖板，涉及电子器件生产技术领域；所采用的技术方案为：一种芯片封装盖板，包括刚性板体，所述刚性板体各侧均固定有柔性侧翼。本实用新型提供的封装盖板，只需将刚性板体吸取后卡入芯片容纳腔上端开口即可，其中柔性侧翼突出刚性板体侧壁，使得刚性板体卡接到位时，柔性侧翼竖向卡在刚性板体侧壁和芯片容纳腔侧壁之间，以通过柔性侧翼填充刚性板体与芯片容纳之间的空隙，能够确保刚性板体与芯片容纳腔开口可靠的卡接，可适应不同尺寸误差刚性板体，从而降低对刚性板体的尺寸精度要求。
- 一种保护效果较好的芯片封装结构-202121839643.7
- 张阳新 - 无锡元之昊电子科技有限公司
- 2021-08-09 - 2022-05-13 - H01L23/06
- 本实用新型涉及芯片封装技术领域，尤其涉及一种保护效果较好的芯片封装结构，包括封盖、底壳和放置组件，所述底壳设置于封盖底部，所述放置组件设置于底壳内部，所述放置组件包括放置槽、芯片保护槽和封块。该保护效果较好的芯片封装结构，封盖与底壳均由缓冲层、磁吸层和绝磁层组成，在该结构与外部物体发生碰撞时，缓冲层会将大量的冲击力吸收，并且经过磁吸层和绝磁层的削弱，冲击力传递至芯片内时，仅剩很小的一部分，而微小的冲击力不会对芯片造成损坏，同时封盖与底壳之间通过卡扣和卡槽进行卡接以及磁吸层进行磁性连接，因此封盖与底壳之间的连接效果较好，解决了封装结构发生碰撞，导致封装结构打开的问题。
- 一种用于瞬态电路封装的水解陶瓷外壳-202123352861.0
- 廖希异;陈容;李艳琼;郑旭;张正元;张培健;陈仙;王妍;蒋飞宇;邱盛 - 中国电子科技集团公司第二十四研究所
- 2021-12-28 - 2022-05-13 - H01L23/06
- 本发明属于微电子封装技术领域，具体涉及一种用于瞬态电路封装的水解陶瓷外壳，该外壳包括：引脚部件、金属引脚、外壳衬底、封帽环以及盖板；外壳衬底的正面两侧设置有凹槽；金属引脚的一端设置在外壳衬底的凹槽内，另一端与引脚部件连接；封帽环设置在外壳衬底正面的上方，使封帽环与外壳衬底形成一个腔体，该腔体用于设置瞬态电路芯片；盖板设置在封帽环的上方，用于对封帽环与外壳衬底形成的腔体进行气密性封装；本发明设计了一种用于瞬态电路的可水解陶瓷外壳，可以耐受封装工艺过程的高温、结构便于进行芯片的组装和互连、结构强度满足封装工艺过程及后续使用要求。
- 一种功分器射频芯片-202122524592.5
- 刘炳才 - 深圳市高特微电子有限公司
- 2021-10-20 - 2022-05-10 - H01L23/06
- 本实用新型涉及芯片技术领域，且公开了一种功分器射频芯片，包括外壳、所述外壳的内部安装有芯片,所述外壳的顶部安装有防水壳；所述外壳顶部的边缘处固定有固定架，所述固定架的顶部开设有与防水壳相适配的卡槽，所述防水壳的底部卡接在卡槽的内部；所述外壳的内部还安装有感应圈，所述感应圈与芯片电连接；所述防水壳的外表面粘结有晶硅涂层；本实用新型在外壳的上部设置有防水壳，通过防水壳起到对射频芯片保护的作用，减少了外界的水喷洒在芯片上部的可能性，从而提升了芯片的使用性；通过在防水壳上部设置有多个散热孔，能够保芯片具有良好的散热性能。
- 一种具备耐腐蚀功能的电源芯片-202123116027.1
- 石庆;张轲 - 深圳市通顺杰科技有限公司
- 2021-12-06 - 2022-05-03 - H01L23/06
- 本实用新型公开了一种具备耐腐蚀功能的电源芯片，包括壳体，所述壳体的表面固定连接有防护涂层，所述防护涂层的表面固定连接有抗压层，所述抗压层的表面固定连接有隔温层，隔温层的表面固定连接有防护层，防护层的表面固定连接有防腐层。本实用新型通过设置壳体、防护涂层、抗压层、隔温层、防护层、防腐层和保护层的配合使用，使用者通过保护层的设置，能够使保护层具有极好的耐化学腐蚀性能和较好的耐碱性的功能，解决了现有电源芯片的耐腐蚀性功能较差，容易因工作环境的影响，造成芯片被腐蚀，同时芯片长时间处于高温环境中，会加快芯片的损坏，进而造成芯片的损坏，降低了芯片使用寿命的问题。
- 一种直插整流二极管-202122163610.1
- 白四斗 - 上海曾都电子科技有限公司
- 2021-09-08 - 2022-04-29 - H01L23/06
- 本实用新型涉及半导体器件技术领域，且公开了一种直插整流二极管，包括二极管壳体。本实用新型通过在整流芯片两侧的连接腔内均设置有导接片和弹簧，在导接片一侧面的中心位置固定有引脚，使引脚在外力的拉扯下能够进行一定程度的拉出，通过在二极管壳体的外表面套接有橡胶套，在橡胶套上套接有陶瓷外壳，能够通过陶瓷外壳对整流二极管本体和其内部结构进行保护，同时橡胶套也能起到缓冲压力的作用，解决了目前市场上的一些整流二极管，存在由于其结构过于简单，在遭受外界压力和震动时，容易造成整流二极管本体和其内部结构的弯折损坏，且由于大多整流二极管的引脚是焊死固定的，不能进行拉出，导致引脚在受到外力拉扯时，容易断开的问题。
- 专利分类
