[发明专利]半导体结构与处理在审
| 申请号： | 202110069312.8 | 申请日： | 2016-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN112786705A | 公开（公告）日： | 2021-05-11 |
| 发明（设计）人： | S·卡纳卡萨巴帕蒂;F·L·李;G·卡尔威;徐顺天;S·西格;何虹;D·刘;B·多里斯 | 申请（专利权）人： | 泰塞拉公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 酆迅 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种半导体结构，所述半导体结构包含具有端壁(15W)并从衬底(10)向上延伸的半导体鳍部分(14P)。栅极结构(16)跨越所述半导体鳍部分(14P)的一部分。第一组栅极间隔物(24P/50P)位于栅极结构(16L/16R)的相对侧壁表面上；并且第二组栅极间隔物(32P)位于所述第一组栅极间隔物(24P/50P)的侧壁上。所述第二组栅极间隔物(32P)的一个栅极间隔物具有直接接触所述半导体鳍部分(14P)的所述端壁(15W)的下部。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 处理 | ||
【主权项】：
暂无信息
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