[发明专利]一种温度补偿型薄膜体滤波器及膜层制备方法在审
| 申请号： | 202110017007.4 | 申请日： | 2021-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN112803915A | 公开（公告）日： | 2021-05-14 |
| 发明（设计）人： | 刘娅;马晋毅;孙科;杜雪松;徐阳;张必壮;田本朗 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第二十六研究所 |
| 主分类号： | H03H9/17 | 分类号： | H03H9/17;H03H3/02;H03H9/02 |
| 代理公司： | 重庆辉腾律师事务所 50215 | 代理人： | 卢胜斌 |
| 地址： | 400060*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明属于薄膜体声波滤波器工艺技术领域，具体涉及一种温度补偿型薄膜体滤波器及膜层制备方法，该滤波器的电路结构包括串联谐振器和并联谐振器，谐振器的膜层结构包括硅晶圆衬底，在硅晶圆衬底的中央开设有空腔；串联谐振器的膜层结构还包括在所述硅晶圆衬底上依次制备下电极、压电层、上电极、温补层以及保护层；并联谐振器的膜层结构还包括在所述硅晶圆衬底上依次制备下电极、压电层、上电极、加厚层、温补层以及保护层；本发明采用直接在上电极上生长温补层，压电层直接淀积于下电极之上，避免了压电层直接生长在二氧化硅薄膜上；在上电极上生长温补层不影响压电层的取向和有效机电耦合系数，可降低对薄膜体声波滤波器性能的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 温度 补偿 薄膜 滤波器 制备 方法 | ||
【主权项】：
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- 提供了一种体声波谐振器。所述体声波谐振器包括：基底；空气空腔，设置在第一电极之下；体声波谐振单元，设置在空气空腔之上，并且包括第一电极、第二电极和设置在第一电极和第二电极之间的压电层；第一反射层，设置在第二反射层与第二电极之间；第二反射层，设置在第一反射层与空气空腔之间，其中，第二反射层具有与第一反射层不同的声阻抗，其中，第一反射层包括用于补偿体声波谐振单元的频率温度系数TCF的至少一种材料，使得所述第一反射层包括：材料，被构造为在反射层中具有设定的较低的声阻抗特性；材料，被构造为提供被设置为将体声波谐振单元的TCF补偿为近似为零的设置的TCF补偿特性。
- 具有凸面的体声波谐振器及其形成方法-201810661942.2
- 严廷达 - 德州仪器公司
- 2018-06-25 - 2023-08-25 - H03H9/17
- 本发明涉及具有凸面的体声波谐振器及其形成方法。实例BAW谐振器(102)包含：第一电极(112)；压电层(110)，其形成于所述第一电极(112)上，所述压电层(110)具有凸面(116)；及第二电极(120)，其形成于所述凸面(116)上。实例集成电路IC封装(100)包含BAW谐振器(102)，其安置于所述IC封装(100)中，所述BAW谐振器(102)包含具有凸面(116)的压电层(110)。
- 一种薄膜体声波谐振器的腔体结构及制造工艺-202010094463.4
- 李林萍;盛荆浩;江舟 - 见闻录（浙江）半导体有限公司
- 2020-02-15 - 2023-08-25 - H03H9/17
- 本发明公开了一种薄膜体声波谐振器的腔体结构及制造工艺，通过在布置有牺牲材料层的衬底上布设支撑层以使得支撑层至少覆盖在牺牲材料层的外围的部分上表面，并且支撑层具有开口区域以使得牺牲材料层上表面的剩余部分暴露在外；利用牺牲材料填平支撑层的开口区域；在支撑层和牺牲材料上制作底电极层，底电极层架设在支撑层上；在底电极层上制作压电层和顶电极层；去除全部牺牲材料形成腔体结构。因此大大抑制了薄膜体声波谐振器的寄生电容，可以有效提高器件的机械稳定性，减小膜层的应力变化对器件的谐振性能的影响，可以有效提高谐振器的谐振性能。
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