[发明专利]一种温度补偿型薄膜体滤波器及膜层制备方法在审

专利信息
申请号: 202110017007.4 申请日: 2021-01-07
公开(公告)号: CN112803915A 公开(公告)日: 2021-05-14
发明(设计)人: 刘娅;马晋毅;孙科;杜雪松;徐阳;张必壮;田本朗 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第二十六研究所
主分类号: H03H9/17 分类号: H03H9/17;H03H3/02;H03H9/02
代理公司: 重庆辉腾律师事务所 50215 代理人: 卢胜斌
地址: 400060*** 国省代码: 重庆;50
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摘要: 发明属于薄膜体声波滤波器工艺技术领域,具体涉及一种温度补偿型薄膜体滤波器及膜层制备方法,该滤波器的电路结构包括串联谐振器和并联谐振器,谐振器的膜层结构包括硅晶圆衬底,在硅晶圆衬底的中央开设有空腔;串联谐振器的膜层结构还包括在所述硅晶圆衬底上依次制备下电极、压电层、上电极、温补层以及保护层;并联谐振器的膜层结构还包括在所述硅晶圆衬底上依次制备下电极、压电层、上电极、加厚层、温补层以及保护层;本发明采用直接在上电极上生长温补层,压电层直接淀积于下电极之上,避免了压电层直接生长在二氧化硅薄膜上;在上电极上生长温补层不影响压电层的取向和有效机电耦合系数,可降低对薄膜体声波滤波器性能的影响。
搜索关键词: 一种 温度 补偿 薄膜 滤波器 制备 方法
【主权项】:
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