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[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202310691806.9有效
发明人：万星星;王晋;高晋文;郭佳惠 -专利权人：润芯感知科技（南昌）有限公司
申请日： 2023-06-13 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H03H9/17 文献下载
摘要：本公开实施例提供一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括衬底基板、压电层、第一电极、阻挡结构、空腔以及支撑层；压电层位于衬底基板的一侧；第一电极位于压电层的靠近衬底基板的一侧；阻挡结构在垂直于衬底基板主表面的第一方向上位于压电层和衬底基板之间；空腔位于压电层与阻挡结构之间以及第一电极与阻挡结构之间；支撑层在第一方向上位于阻挡结构的部分与压电层之间，且在平行于衬底基板的主表面的水平方向上位于阻挡结构的远离空腔的一侧，其中第一电极自空腔延伸至阻挡结构中，且第一电极与支撑层被阻挡结构分隔开。本公开的半导体器件可提高器件的结构稳定性和可靠性以及产品良率。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]溅射装置及使用其形成半导体结构的方法-CN202310720707.9有效
发明人：王晋;黄峰;高晋文;郭佳惠 -专利权人：润芯感知科技（南昌）有限公司
申请日： 2023-06-19 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：一种溅射装置及使用其形成半导体结构的方法，所述溅射装置包括至少一个溅射腔室，且每个溅射腔室包括承载台和靶材结构。承载台被配置为承载待镀膜的基板，且可绕沿第一方向的旋转轴旋转，第一方向垂直于承载台配置为承载基板的主表面，其中承载台包括被配置为安装基板的基板安装区；靶材结构在第一方向上与承载台相对设置，且包括靶材溅射区，靶材溅射区是被配置为在溅射工艺中向位于承载台上的基板提供靶材粒子的区域，其中靶材溅射区与基板安装区在第一方向上交叠，且在平行于承载台的主表面的第二方向上延伸超出基板安装区的边缘。本公开实施例的溅射装置可提高溅射工艺在深孔侧壁镀膜的能力。
溅射装置使用形成半导体结构方法

[发明专利]应用于电力行业的语音识别方法、设备控制方法及系统-CN202310812347.5在审
发明人：段星辉;李沛奇;孙国繁;高宝明;段雨松;高晋文;马璇;周鑫 -专利权人：国网山西省电力公司超高压变电分公司
申请日： 2023-07-04 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G10L25/06 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种应用于电力行业的语音识别方法、设备控制方法及系统，包括：将待识别的语音信号转换为语音数字信号；提取出语音数字信号中的人声语音波信号；对人声语音波信号进行分帧处理，并提取每一帧人声语音波信号对应的音素特征向量；通过训练好的音素特征状态转移模型和最优路径算法，对每一帧人声语音波信号对应的音素特征向量进行识别，将相似度最高的语音样本作为识别字输出；具有语音识别精确度较高的有益效果，适用于语音识别的技术领域。
应用于电力行业语音识别方法设备控制系统

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN202310533505.3有效
发明人：康晓旭;郭佳惠;高晋文;陆原;王晋 -专利权人：润芯感知科技（南昌）有限公司;华润微电子控股有限公司
申请日： 2023-05-12 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制造方法，所述方法包括：提供敏感材料层，敏感材料层包括第一表面和第二表面；在敏感材料层的第二表面上形成牺牲层和包围牺牲层的边墙层，边墙层的顶部形成有连接牺牲层的释放孔，边墙层的底部设置在敏感材料层的第二表面上；自敏感材料层的第一表面起依次刻蚀敏感材料层和边墙层，以形成贯穿敏感材料层、并延伸至边墙层内部的凹槽，凹槽的开口与边墙层的底部相对设置；形成填充凹槽的填充层；通过释放孔去除牺牲层，以在边墙层和敏感材料层之间形成空腔结构。本发明能够降低敏感材料层与边墙层之间的界面层的腐蚀速度，避免在敏感材料层与边墙层之间产生开裂。
一种半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN202310474824.1有效
发明人：康晓旭;郭佳惠;高晋文;陆原;王晋 -专利权人：润芯感知科技（南昌）有限公司;华润微电子控股有限公司
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：一种半导体器件及其制造方法，所述方法包括：提供敏感材料层；在敏感材料层上形成第一牺牲层和环绕第一牺牲层的第一边墙层；在第一牺牲层和第一边墙层上方形成第二牺牲层和包围第二牺牲层的第二边墙层，第二边墙层连接第一边墙层，第二牺牲层的材料与第一牺牲层的材料不同；在第二边墙层中形成连接第二牺牲层的释放孔；采用第一刻蚀工艺，通过释放孔去除第二牺牲层，以露出第一牺牲层；采用第二刻蚀工艺，通过释放孔去除第一牺牲层，以在第一边墙层和第二边墙层中形成空腔结构。本发明能够降低敏感材料层与边墙层之间的界面层的腐蚀速度，避免在敏感材料层与边墙层之间产生开裂。
一种半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN202310474878.8有效
发明人：康晓旭;郭佳惠;高晋文;陆原;王晋 -专利权人：润芯感知科技（南昌）有限公司;华润微电子控股有限公司
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：一种半导体器件及其制造方法，所述方法包括：提供敏感材料层，敏感材料层的第一表面形成有第一电极；在敏感材料层的第一表面上形成牺牲层和包围牺牲层的边墙层，其中，牺牲层包括第一牺牲层和包围第一牺牲层的第二牺牲层，第一牺牲层的材料与第二牺牲层的材料不同；在边墙层中形成连接第一牺牲层的释放孔；采用第一刻蚀工艺，通过释放孔去除边墙层内部的第一牺牲层；采用不同于第一刻蚀工艺的第二刻蚀工艺，通过释放孔去除第二牺牲层，以在边墙层中形成空腔结构；形成贯穿敏感材料层、与第一电极电连接的第一通孔，并在敏感材料层的第二表面形成与第一通孔电连接的第一焊盘。本发明能够避免在敏感材料层与边墙层之间产生开裂。
一种半导体器件及其制造方法

[发明专利]图案化方法和半导体结构的制造方法-CN202310670869.6在审
发明人：王晋;黄峰;郝玮倩;万星星;高晋文;郭佳惠 -专利权人：润芯感知科技（南昌）有限公司
申请日： 2023-06-08 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：一种图案化方法和半导体结构的制造方法，所述图案化方法包括：在衬底基板上形成第一掩膜材料层和第二掩膜材料层；移除第二掩膜材料层的一部分，以形成第二掩膜层；移除第一掩膜材料层的一部分，以形成第一掩膜层，并在第一掩膜层的侧边在第二掩膜层的屋檐部与衬底基板之间形成初始底切结构；对第二掩膜层进行坍塌处理，使得第二掩膜层的屋檐部朝向衬底基板坍塌，第一掩膜层和坍塌的第二掩膜层构成掩膜结构；在衬底基板的部分和掩膜结构上形成材料层；进行剥离工艺，移除掩膜结构以及材料层的位于掩膜结构上的部分，并形成具有目标图案的图案化的材料层。使用本公开的图案化方法可使得所形成的图案化的材料层具有精度较高的图案和尺寸。
图案方法半导体结构制造

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN202310474850.4在审
发明人：康晓旭;郭佳惠;高晋文;陆原;王晋 -专利权人：润芯感知科技（南昌）有限公司;华润微电子控股有限公司
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制造方法，所述方法包括：提供敏感材料层，敏感材料层包括第一表面和与第一表面相对的第二表面；在敏感材料层的第一表面上形成牺牲层和包围牺牲层的边墙层，其中，牺牲层包括第一牺牲层和包围第一牺牲层的第二牺牲层，第一牺牲层的材料与第二牺牲层的材料不同；在边墙层中形成连接第一牺牲层的释放孔；采用第一刻蚀工艺，通过释放孔去除边墙层内部的第一牺牲层；采用不同于第一刻蚀工艺的第二刻蚀工艺，通过释放孔去除第二牺牲层，以在边墙层中形成空腔结构；在边墙层上方形成密封层，以密封住释放孔。本发明能够降低敏感材料层与边墙层之间的界面层的腐蚀速度，避免在敏感材料层与边墙层之间产生开裂。
一种半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种基于ALPHA—VDIO_R协调控制的换流变分接头控制方法-CN202110163143.4有效
发明人：王克胜;高晋文;姚兆民;张锋;郝成龙;赵彦平;刘伟;张峥;樊宏宇;王小波;王祎凡;任春光 -专利权人：国网山西省电力公司检修分公司;太原理工大学
申请日： 2021-02-05 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H02J3/36 文献下载
摘要：本发明涉及应用于特高压直流输电系统整流站换流变分接头控制的技术领域，具体为一种基于ALPHA—VDIO_R协调控制的换流变分接头控制方法。本发明解决了传统的定角度控制分接头动作频繁和定电压控制换流器触发角波动范围偏大的问题。该控制方法通过定周期监测触发角α和空载直流电压Vdio的越限情况，设计了协调控制的判定逻辑，根据判定结果输出相应的分接头升降或闭锁信号，有效减少分接头动作次数，降低整流站站端运维投入，同时改善触发角分布，提高换流器利用效率。本发明适用于特高压直流输电系统，整流侧换流器定电流控制，逆变侧换流器定电压控制模式下，整流侧换流变分接头控制技术领域，具有灵活可控，优势互补的特点。
一种基于 alpha vdio_r 协调控制流变接头方法

[发明专利]一种兼顾无功补偿装置裕量调压的换流变分接头控制方法-CN202210150475.3有效
发明人：王克胜;郝成龙;成小胜;杨阳;姚兆民;高晋文;时伟光;冯利君;任春光 -专利权人：国网山西省电力公司超高压变电分公司;太原理工大学
申请日： 2022-02-18 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H02J3/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种兼顾无功补偿装置裕量调压的换流变分接头控制方法，涉及应用于特高压直流输电系统整流站换流变压器有载调压开关分接头控制的技术领域。本发明解决传统的换流变压器有载调压开关定角度控制策略中分接头频繁动作和无功补偿装置利用率低的问题。该控制方法通过在原有的分接头动作条件中，增加交流滤波器、并联电容器、低压电抗器的调压启动条件，当交流母线超出额定范围波动时，根据超出量的不同，优先选择投退相应的无功补偿装置以平衡电压，再利用分接头进行补位调压，有效减少分接头动作次数，提高无功补偿装置利用效率。本发明适用于特高压直流输电系统定功率运行工况下整流侧换流变分接头控制技术领域，具有良好的经济性、适用性。
一种兼顾无功补偿装置调压流变接头控制方法

[发明专利]一种用于高压接地线收纳支架的翻转装置-CN202211494206.5在审
发明人：闫丽婷;姚兆民;杜建忠;张锋;高晋文;段星辉;王建伟;任云霞;张彬;罗淇元 -专利权人：国网山西省电力公司超高压变电分公司
申请日： 2022-11-25 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： B65H75/18 文献下载
摘要：本发明属于电力检修设备技术领域，具体涉及一种用于高压接地线收纳支架的翻转装置，包括小车主板，在所述小车主板下表面的一侧设置有左右对称的支撑板，在两个所述支撑板上共同转动设置有车轴，在所述车轴的两端均设置有车轮，在所述小车主板的另一侧设置有小车把手，在所述小车主板的上方设置有转台，所述转台通过转轴与小车主板转动连接，在所述转台的上表面开设有凹槽，在所述凹槽的两侧对称设置有滑块，在所述滑块上固定设置有用于卡紧收纳支架的卡板，本发明通过可旋转的转台带动高压接地线收纳支架进行翻转，大大的提升了高压接地线收纳支架的缠线速度，能够满足日渐频繁的倒闸操作需求。
一种用于高压接地线收纳支架翻转装置

[发明专利]一种变电站运行管理监控设备-CN202211431300.6在审
发明人：闫丽婷;张锋;王建伟;高晋文;段星辉;张彬;罗淇元 -专利权人：国网山西省电力公司超高压变电分公司
申请日： 2022-11-14 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： F16M7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种变电站运行管理监控设备，包括底座，所述底座的上端左部和上端右部均固定安装有一个支架，两个所述支架的上端中部均固定安装有一个固定板，两个所述固定板的相对面均开设有一个滑槽，两个所述固定板的相对面中部均固定安装有一个固定块，两个所述固定块的相对面共同固定安装有支撑板，所述支撑板的上端设置有驱动监控装置，所述支撑板的下端中部设置有伸缩支撑装置，两个所述滑槽的内部共同设置有滑动调节装置，所述滑动调节装置的下端中部设置有稳固装置，所述滑动调节装置的上部设置有阻挡节能装置。通过太阳能板往下运动时更加靠近监控器，从而提高遮雨防水效果，防止雨水进入到监控器的内部，保障监控器的正常使用。
一种变电站运行管理监控设备

[发明专利]用于电力检修的变电安全施工用移动式施工箱-CN202211350790.7在审
发明人：闫丽婷;罗淇元;张锋;段星辉;王建伟;高晋文;张彬;姚兆民;杜建忠;杨明 -专利权人：国网山西省电力公司超高压变电分公司
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H02B1/46 文献下载
摘要：本发明公开用于电力检修的变电安全施工用移动式施工箱，其包括箱体、移动支撑结构以及安防监控系统。所述移动支撑结构包括底板、四个支杆、四个折叠槽、四个撑杆和四个行走轮。所述安防监控系统包括监控单元、控制单元和执行单元。所述监控单元包括移动探测模块和识别模块。所述控制单元包括人员状态分析模块、救援模块、无线通信模块和供电模块。所述执行单元包括声光报警模块。本发明用于电力检修的变电安全施工用移动式施工箱支杆与行走轮可进行支撑与移动的快速转换，可满足箱体施工用需求；通过在箱体上增设安防监控系统，其可在箱体进行线路测试的过程中，提供有效的监控报警结构以实现触电人员救援信息的自动呼叫，安全可靠。
用于电力检修变电安全施工移动式

[发明专利]一种风力发电与太阳能发电结合的双向发电设备-CN202211281211.8在审
发明人： 高晋文 -专利权人：安徽信息工程学院
申请日： 2022-10-19 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： F03D9/00 文献下载
摘要：本发明涉及能源设备技术领域，具体为一种风力发电与太阳能发电结合的双向发电设备，包括中心柱，所述中心柱的底端固定连接有底座，且其上端外表面转动连接有机舱，所述机舱的左端外表面转动连接有叶片，所述机舱的右侧外表面固定连接有防尘网，所述中心柱的环形外表面靠近中心的位置转动连接有转盘，该装置结构不仅能够有效的对机舱上散热网的外表面进行清理，防止灰尘在其外表面积附，提高了风力发电设备的散热效率，保证了机舱的正常工作，还能够自动的控制电池板折叠与张开，减小了该装置的整体空间占用率，拆卸安装更加方便，且在遇到恶劣环境时，能够自动将电池板折叠收纳保护起来，提高了该装置的使用寿命。
一种风力发电太阳能结合双向设备

[发明专利]一种沟槽型IGBT终端及其制造方法-CN202211382652.7在审
发明人：冯会会;李宇柱;郑婷婷;张大华;周东海;叶枫叶;严毅琳;史志扬;高晋文;杨阳 -专利权人：南瑞联研半导体有限责任公司
申请日： 2022-11-07 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种沟槽型IGBT终端及其制造方法，本发明在相邻场限环之间、主结区和第一个场限环之间设置场限环沟槽，利用器件耐压时自然产生的高电位，在场限环沟槽附近引入电子聚集，从而对前一个场限环横向耗尽做截止，可在保证耐压要求的同时有效缩短环与环之间的间距，从而减少IGBT终端面积。
一种沟槽 igbt 终端及其制造方法

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