[发明专利]等离子增强原子层沉积法及沟槽/孔的表面成膜方法在审
| 申请号： | 202011566706.6 | 申请日： | 2020-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN114686851A | 公开（公告）日： | 2022-07-01 |
| 发明（设计）人： | 崔锺武;金成基;项金娟;李亭亭;刘青 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | C23C16/455 | 分类号： | C23C16/455;C23C16/04;C23C16/34;C23C16/40;C23C16/44;C23C16/50;C23C16/52 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 金铭 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种改进的等离子增强原子层沉积法及沟槽/孔的表面成膜方法。一种改进的等离子增强原子层沉积法，包括：在一个沉积循环中，在前驱体脉冲关闭或者反应物脉冲关闭后至少进行一次真空吹扫。一种沟槽/孔的表面成膜方法包括：提供半导体基底，所述半导体基底上形成有沟槽或孔；在所述沟槽或孔内，采用上述的等离子增强原子层沉积法进行绝缘膜的沉积。本发明能沉积出均匀性更好、杂质含量更少的薄膜，尤其适宜深沟槽或高深宽比的孔内沉积，例如DRAM、FLASH和逻辑器件中的绝缘膜。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子 增强 原子 沉积 沟槽 表面 方法 | ||
【主权项】：
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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