[发明专利]一种用于测试MCU静电放电防护性能的电路及方法在审
| 申请号： | 202011566708.5 | 申请日： | 2020-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN114689955A | 公开（公告）日： | 2022-07-01 |
| 发明（设计）人： | 陈燕宁;刘红侠;郭丹;谢海武;赵东艳;周芝梅;付振;杜剑;刘芳 | 申请（专利权）人： | 北京智芯微电子科技有限公司;西安电子科技大学;北京芯可鉴科技有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/00 | 分类号： | G01R31/00;G01R31/28 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 100089 北京市海淀区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于测试MCU静电放电防护性能的电路及方法，该电路通过在MCU的外围电路中加入ESD干扰信号源，并接入待测试的MCU；然后利用直流电压信号驱动待测试MCU产生无ESD干扰信号的输出波形；获取ESD干扰信号源的参数，并得到ESD干扰信号；将直流电压信号和ESD干扰信号进行共同作用于待测试的MCU，得到有ESD干扰信号的输出波形；将无ESD干扰信号的输出波形和有ESD干扰信号的输出波形进行对比分析，以完成待测试MCU的静电放电防护性能测试评估。本发明提供的测试MCU静电放电防护性能的电路，克服了现有技术中在MCU启动后外围电路无法测试MCU在启动后的ESD干扰的问题，可用于对具有稳定静电放电防护性能的MCU的测试筛选，从而提高集成电路的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 测试 mcu 静电 放电 防护 性能 电路 方法 | ||
【主权项】：
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